@第{CiCP-1-886条，作者={}，title={Si^2+与H从中高能到高能的碰撞研究}，journal={计算物理中的通信}，年份={2006}，体积={1}，数字={5}，页数={886--897}，抽象={硅碰撞引起的总电荷转移、电离和剥离截面和状态选择电荷转移、离子化和剥离截面2+用经典轨迹蒙特卡罗（CTMC）方法研究了离子与氢原子在1keV/amu到10MeV/amu的碰撞能量范围内的相互作用。总电子俘获率系数在10的温度范围内获得5K（K）o个到108K（K）o个。与现有数据的比较表明，我们的CTMC结果是可靠的。分析了这些截面随弹丸能量变化的行为。给出了一幅经典的物理图像来解释这些行为背后的原因。
},issn={1991-7120}，doi={https://doi.org/},url={http://global-sci.org/intro/article_detail/cicp/7985.html}}
TY-JOUR公司T1-Si^2+与H从中高能到高能碰撞的研究JO-计算物理通信VL-5级SP-886型EP-8972006年上半年日期-2006/01锡-1做-http://doi.org/UR-（欧元）https://global-sci.org/intro/article_detail/cicp/7985.htmlKW-CTMC方法KW-电荷转移KW-电离KW-剥离。AB公司-硅碰撞引起的总电荷转移、电离和剥离截面和状态选择电荷转移、离子化和剥离截面2+用经典轨迹蒙特卡罗（CTMC）方法研究了离子与氢原子在1keV/amu到10MeV/amu的碰撞能量范围内的相互作用。总电子俘获率系数在10的温度范围内获得5K（K）o个到108K（K）o个。与现有数据的比较表明，我们的CTMC结果是可靠的。分析了这些截面随射弹能量变化的行为。给出了一幅经典的物理图像来解释这些行为背后的原因。
B.He、J.G.Wang、C.L.Liu、Y.Ning、Y.B.Qiu、J·Yan和P.C.Stancil。(2020). 中高能弹丸中Si^2+与H碰撞的研究。计算物理中的通信.1(5).886-897.数字对象标识：
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