@第{CiCP-20-179条，作者={}，title={激子解离压电效应的分析研究}，journal={计算物理中的通信}，年份={2018年}，体积={20}，数字={1}，页码＝{179-187}，抽象={我们通过分析和数值计算Onsager离解率（激子离解）在无机-有机界面上由压电势诱导杂化p-n结体系（ZnO+（聚对苯撑乙烯））；PPV）。当界面区域由于系统变形时，自由电子在界面上积聚。因此，筛选观察到了效果。假设电子层在界面上形成从p型PPV区域吸引自由空穴，这可能导致激子的形成通过Langevin重组过程。增加的激子密度可以有助于Onsager解离率，在界面附近最大。本文重点研究压电效应在促进激子形成中的作用在界面上及其与激子解离速率的关系。
},issn={1991-7120}，doi={https://doi.org/10.4208/cicp.140515.161115a},url={http://global-sci.org/intro/article_detail/cicp/11149.html}}
TY-JOUR公司压电效应对激子离解的T1分析研究JO-计算物理通信VL-1型SP-179EP-1872018年上半年DA-2018年4月序号-20做-http://doi.org/10.4208/cicp.140515.161115aUR-（欧元）https://global-sci.org/intro/article_detail/cicp/11149.html千瓦-AB公司-我们通过分析和数值计算Onsager离解率（激子离解）在无机-有机界面上由压电势诱导杂化p-n结体系（ZnO+（聚对苯撑乙烯））；PPV）。当界面区域由于系统变形时，自由电子在界面上积聚。因此，筛选观察到了效果。假设电子层在界面上形成从p型PPV区吸引自由空穴，这可能导致激子的形成通过Langevin重组过程。增加的激子密度可以有助于Onsager解离率，在界面附近最大。本文重点研究压电效应在促进激子形成中的作用在界面上及其与激子解离速率的关系。
金成敏（SeongMin Kim）、河在旭（Jaewook Ha）、金贤惠（Hyeok Kim）和金金百惠（Jin Baek Kim）。(2020). 激子解离压电效应的分析研究。计算物理中的通信.20(1).179-187.doi:10.4208/cicp.140515.161115a
复制到剪贴板
