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接触3流形的局部辛填充障碍层次。 (英语) Zbl 1279.57019号

如果辛流形(W,ω)的邻域上存在一个向量场(Y),该向量场横向向外指向(W,W),且其流是辛扩张,即({mathcal L}_Y\omega=ω),则称辛流形具有凸边界。坐标超平面场(xi=ker(iota_Y\omega_{|T\部分W})子集T\部分W满足某种最大不可积性条件,使其成为接触结构,并且在同位素方面,它只依赖于(W,\omega)附近的辛结构,而不依赖于向量场的选择。有意思的是,接触流形的哪些同构类不是紧辛流形的边界,也就是说,哪些是不可辛填充的。有一些阻碍辛填充的例子,这些例子取决于所涉及的流形的全局性质。相反,我们还可以考虑填充局部障碍物,即某些接触子域是否永远不会存在于紧辛流形的凸边界中。有辛填充障碍物的例子,辛4流形的接触型边界永远不能包含超扭曲圆盘,这些障碍物由所谓的Giroux扭转域提供。
在本文中,作者引入了一种几何形式,并扩展了已知的局部填充障碍物库。特别地,我们证明了所给出的例子占据了无限层次中的前两个层次:对于每个整数(k \geq 0),定义了一类特殊的紧致接触3-流形,可能带有边界,称为平面(k \)-扭转域。平面扭转的定义将支撑开卷分解的基本接触拓扑概念与一种简单的拓扑操作(称为余维2接触子流形上的接触纤维和)结合在一起。对于具有非退化接触形式(lambda)和一般相容复合结构(J:xi to xi)的闭接触3-流形((M,xi)),链复合物由所谓的轨道集(gamma=left((gamma_1,M_1),dots,(gamma_n,M_n)right)定义,其中(gamma_i)是不同的简单覆盖周期Reeb轨道和(M_i)是正整数,称为重数。然后,通过计算(M,xi)辛化中嵌入的一类刚性全纯曲线,定义了一个微分算子,这类曲线可视为轨道集之间的协边。所得链复合物的同源性称为嵌入接触同源性(ECH_*(M,\lambda,J))。空轨道集总是同调中的一个循环,它定义了一个可分辨类\(c(\xi)\),称为ECH接触不变量。本文的主要结果表明,如果(M,xi)是一个具有任意阶平面扭转的闭接触3-流形,那么它不允许在任何闭辛4-流形中嵌入一个接触型,并且它的ECH-接触不变量(c(xi)消失。如果(M,xi)是一个具有完全分离平面扭转的闭接触3-流形,则其扭曲ECH-接触不变量(c(xi))消失。还证明了闭接触3-流形具有平面扭转当且仅当它是超扭的,并且每个具有Giroux扭转的闭接触流形也具有平面扭转。如果(M,xi)是一个由开卷支持的接触3-流形(pi:M\set-B到S^1),那么(M,xi)中的任何平面扭转域都必须与约束(B)相交。进一步的性质表明,如果(M,xi)是包含部分平面域的闭接触3-流形,并且允许将接触型嵌入到某个闭辛4-流形(W,omega)中\到ECH_*(M,\xi)\)包含\(c(\xi。作为这些结果的技术基础,作者在爆破和公开书籍中建立了某些类(J)-全纯曲线的存在性、唯一性和紧性定理;这也意味着部分平面域的平面性和嵌入存在代数障碍。最后,作者提出了一些开放性问题,并讨论了该课题的最新进展。

MSC公司:

57兰特 高维或任意维辛拓扑和接触拓扑
第53页第10页 接触歧管(一般理论)
第32季度65 伪全纯曲线
第53天42 辛场理论;接触同源性
57米50 低维流形上的一般几何结构
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