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表面结构

年在不列颠哥伦比亚大学举行的第六届国际表面结构会议（ICSOS-6）1999年7月介绍了固体表面的原子级结构，以及表面和界面结构在影响重要技术材料性能方面的作用。一个特别的主题涉及环保氧化物表面，该领域的特邀演讲人包括B.Kasemo（Chalmers U.，Göteborg）、G.E.Brown（Stanford U.）、V.E.Henrich（Yale U.），S.A.Chambers（Pacific Northwest Nat.Lab）和M.Salmeron（Lawrence Berkeley Nat.Lab.）。

其他突出主题包括金属表面，B.S.Clausen（丹麦Haldor Topsöe Res.Lab.）应邀就纳米颗粒催化、P.A.Thiel（美国爱荷华州和艾姆斯实验室）准晶、D.Menzel（慕尼黑理工大学）包吸附结构和B.A.Joyce（伦敦帝国理工学院）对金属表面进行了演讲在半导体表面上，A.P.Hitchcock（McMaster U.）讨论了钝化层，K.Akimoto（Nagoya U.）介绍了使用表面X射线衍射（SXRD）量化Si（111）表面应变的方法。K.Hermann（柏林Fritz-Haber-Institute）就过渡氧化物表面和J.Tersoff（IBM，约克敦高地）就Si-SiO结构进行了受邀的理论演讲2接口；其他主题演讲包括S.Ferrer（ESRF，Grenoble）关于使用SXRD表征超薄磁性薄膜的演讲，A.Atrei（U.Siena）关于用作气体传感器的半导体表面的结构的演讲，L.D.Marks（西北大学）关于表面结构测定的直接方法的演讲，以及J.Gimzewski（IBM，Zürich）用于制造纳米级机器的设计分子。扫描隧道显微镜（STM）、低能电子衍射（LEED）、光电子衍射和SXRD的应用突出。后一种技术正在取得相当大的进展，包括用于探测液-固界面的结构，并为具有大单位网格面积的吸附系统提供新的见解（H.L.Meyerheim，U.München）。

[Takayanagi]K.Takayanagi公司
表面结构奖授予K.Takayanagi，表彰他在表面和界面结构领域取得的杰出成就，他定量测定了Si（111）-（7x7）的原子几何结构。”这是所有表面科学中唯一最重要的结构测定。它将许多其他技术的零碎结果汇集到一个单一的相干结构中，经得起时间的考验，揭示了半导体表面形成的新二维化合物的惊人复杂性。它解决了三十年来关于该结构的争议。这是一次实验样品制备的“巡演”，为半导体表面重建的能量学提供了新的见解，这是一项真正具有历史意义的惊人成就。ICSOS青年科学家奖授予彼得·布鲁克曼（波恩大学）。ICSOS-7将于2002年在澳大利亚纽卡斯尔举行。

K.A.R.Mitchell（ICSOS-6主席），不列颠哥伦比亚大学