中子和X射线散射全国研讨会

2005年8月，印度尼西亚塞尔蓬格

第6个^第个2005年8月3日，在印尼国家核能机构（BATAN）举行了中子和X射线散射国家研讨会。来自当地大学和研究机构的120多名参与者参加了为期一天的研讨会，其中包括来自国外的16名科学家。来自印度、英国、澳大利亚、日本、新加坡和印度尼西亚的八位发言者应邀参加了这次研讨会，并作了口头发言。同时，还展示了39张参与者的海报。

研讨会由BATAN主席Soedyartomo Soentono正式宣布开幕，随后由S.Goyal（UGC-DAE科学研究联盟，印度BARC）就软凝聚物质中的中子散射进行了一般性发言。A.Ikram（印度尼西亚巴丹中子散射实验室负责人）简要介绍了Serpong的中子散射设施。英国谢菲尔德大学的G.Ungar发表了另一篇关于小角度X射线散射在复杂液晶系统中的一些应用的演讲。R.Knott（澳大利亚ANSTO）对生物材料中的小角中子散射（SANS）进行了综述。午休后，J.R.C.Van der Maarel（新加坡国立大学）发表了题为“离子型二嵌段共聚物胶束：冠状层电荷有序的小角散射估计”的演讲。Z.Nurachman（印尼ITB）发表了关于蛋白质X射线晶体学的演讲。M.Nishida（日本神户市理工学院）就钨纤维增强铜复合材料的中子应力测量进行了演讲。S.Mazumder（印度BARC）就小角度散射：印度的情况作了演讲。最后，BATAN副主席Pramudita Angglata正式宣布研讨会闭幕。

研讨会之前，在Serpong中子散射实验室举行了为期两天的研讨会。30多名与会者参加了研讨会，其中包括来自马来西亚和墨西哥等国的6名与会者。根据他们感兴趣的主题，他们被分为两组，即小角度中子散射和残余应力分析。研讨会期间，a.Purwanto（印度尼西亚BATAN）作了中子和X射线散射基本理论讲座，同时，上述受邀演讲人作了SANS、SAXS和残余应力分析理论讲座，其中包括年轻科学家V.K.Aswal（印度BARC），他就SANS和数据简化的原理进行了富有启发性的演讲，N.Minakwa（日本）就残余应力分析进行了令人印象深刻的演讲。参与者有机会体验使用SANS机器和粉末衍射仪进行残余应力测量的实际操作培训，并与导师一起进行数据分析。

除了促进思想、知识和经验的交流外，讲习班和研讨会还旨在吸引人们，特别是当地研究人员，利用Serpong的中子散射设施进行研究。参与者的反馈显示，他们对该项目印象深刻，并期待着参加计划于明年在西爪哇万隆举行的延续项目。