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印度的晶体和薄膜

[PCSC标志]
对特性良好的单晶和外延薄膜的基础研究对于创新和复杂器件的设计至关重要。材料表征领域探索材料性能与其结构之间的关系。2001年2月在新德里国家物理实验室组织的一次重要技术单晶的制备和表征国际研讨会(PCC-2001)涵盖了以下主题:•氧化物光电和传感器应用;半导体材料薄膜、多层膜、量子阱、界面和太阳能电池大块单晶、薄膜、多层膜及其缺陷的表征;晶体生长模拟;晶体生长仪器和高分辨率X射线衍射技术。
[PCSC参与者2001年2月在印度新德里举行的PCSC会议的与会者。

研讨会会议记录(包括136篇论文)已分发给180名注册与会者。

组织了一次特别会议,纪念克里山·拉尔60岁第个生日。

在一个文化节目中描绘了印度的各种舞蹈。

开场讨论引出以下建议:

  1. 未来的会议应该有工业产品展览。
  2. 应在国家一级建立先进的材料表征设施。
  3. 印度应成立材料特性学会
  4. 应在研究生阶段开设材料表征高级课程。

研讨会由科学和工业研究委员会、国家物理实验室、印度国家科学院、科学技术部、信息技术部、非传统能源部、全印度技术教育委员会、印度理工学院、,以及英国切斯特国际结晶学联合会。IUCr的一份捐款帮助支持了37名参加研讨会的年轻研究人员。

受邀演讲人包括:德国的G.Heger、H.Klapper、R.Kohler;印度的B.M.Arora、R.K.Bagai、D.N.Bose、P.N.Kotru、Krishnan Lal、J.Lakshmana Rao、V.D.Vankar;日本的T.Fukada、Ken Suto;一、俄罗斯卢布廷;英国J.N.Sherwood;美国的M.Dudley、V.Greenhut、V.Prasad、I.L.Smolsky。
S.K.哈尔德