具有紫外线透明触点的氮化物基紫外线LED

技术编号：32271/UC案例2021-567-0

背景

在传统的UVLED氮化物器件中，金属镜通常用作电触点，并且需要加入其他金属以获得与半导体材料的低电阻电触点。然而，这些额外的金属对发射的光子并不透明，这会导致设备效率显著降低。虽然介质镜提供了一种潜在的替代方案，但其较差的电气性能不适合于高效率设备。

描述

加州大学圣巴巴拉分校（University of California，Santa Barbara）的研究人员开发了一种基于氮化物的紫外发光二极管（UVLED），该紫外透明接触（UVTC）是由（Ga，Al，In，B）O半导体组成的合金，例如Ga2O（运行）三n型、p型和UVTC区域对紫外光都是透明的，通过消除镜子和/或镜像表面，可以最大限度地减少UVLED内的内部反射。因此，通过最小化光的再吸收，UVLED输出大幅增加。因此，UVLED发光效率的提高使紫外半导体器件的应用扩展到各种商业产品中。

优点

  • 提高光效
  • 扩展UVLED应用程序

应用

  • 紫外发光二极管
  • LED指示灯
  • 微型发光二极管

专利状况

国家 类型 编号 日期 案例
美利坚合众国 已发布的应用程序 20230420617 2023年12月28日 2021-567
 

联系人

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发明人

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关键词

UVLED、LED、micro-LED、UVTC、透明、紫外线透明触点

分类为

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