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.2004年1月6日;101(1):396-401.
doi:10.1073/pnas.0303329101。 Epub 2003年12月22日。

细胞肿胀、发热和化学激动剂使用不同的途径激活阳离子通道TRPV4

附属公司

细胞肿胀、热和化学激动剂使用不同的途径激活阳离子通道TRPV4

J弗里斯等。 美国国家科学院程序. .

摘要

TRPV4是瞬时受体电位(TRP)家族香草类受体亚群中的一种Ca(2+)和Mg(2+)可渗透的阳离子通道,它与包括脑和血管内皮在内的多种组织中的Ca(2+)依赖性信号转导有关。TRPV4激活刺激包括渗透性细胞肿胀、热、佛波酯化合物和5',6'-环氧二十碳三烯酸,一种花生四烯酸(AA)的细胞色素p450环氧合酶代谢产物。目前尚不清楚这些不同的激活因子如何在通道开放时聚合。在此,我们证明磷脂酶A(2)(PLA(2。将第三跨膜结构域N末端的酪氨酸残基(Tyr-555)突变为丙氨酸会强烈削弱4alpha-phorbol 12,13-二酸盐和热量对TRPV4的激活,但对细胞肿胀或AA的激活没有影响。我们得出结论,TRPV4激活刺激通过不同的途径促进通道开放。细胞肿胀通过AA的PLA(2)依赖性形成激活TRPV4,随后通过细胞色素p450环氧合酶依赖性途径代谢为5',6'-环氧碳三烯酸。苯酚酯和热量通过一种独特的PLA(2)-和细胞色素p450环氧合酶非依赖性途径进行运作,该途径严重依赖于第三跨膜结构域N末端的芳香残基。

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数字

图1。
图1。
TRPV4的低渗诱导激活不需要Tyr-253。(A类)25%低渗溶液刺激对[Ca的影响2+]非转染(NT)HEK细胞(虚线)和转染Y253F突变体的细胞(实线)。(B类,左)平均值[Ca2+]低张刺激引起NT细胞增加(n个=31),WT TRPV4转染细胞(HTS,n个=32)和用酪氨酸激酶抑制剂PP1(10μM;n个=22)或染料木素(Gen;100μM;n个= 23). (B类,右)平均值[Ca2+]低张细胞肿胀(HTS)诱导Y253F转染细胞增加;n个=22),1μM4α-PDD(4αPDD;n个=18),10μMAA(n个=21),并加热至42°C(加热;n个= 22). 对于每一种情况,都要汇集至少三个独立实验的数据。
图2。
图2。
解放军的影响2-[Ca上的抑制剂pBPB2+]在表达WT TRPV4的HEK细胞中。(A类)25%低渗溶液刺激对[Ca的影响2+]非转染(NT)HEK细胞(虚线)、TRPV4转染细胞(实线)和用100μM pBPB处理的TRPV4转基因细胞(虚线上)。注意基础[Ca显著升高2+]TRPV4转染细胞中的水平(见图7)。(B类)抑制低渗诱导[Ca的剂量-反应曲线2+]增加pBPB(○)和ACA(•)。(CD类)与相同A类,除了用1μM4α-PDD刺激(C)或10μM AA(D类). (E类)平均值[Ca2+]4种不同PLA处理的NT细胞和TRPV4转染细胞对1μM4α-PDD、25%低渗溶液、10μM AA和加热至42°C的反应增加2抑制剂(100μM pBPB、10μM OBAA、20μM AACOCF和20μM ACA)。对于每种情况,n个在至少三个独立实验中≥16。*,P(P)与未处理的TRPV4表达细胞相比,<0.05。
图3。
图3。
解放军的影响2抑制剂pBPB对表达WT TRPV4的HEK细胞全细胞电流的影响。(A类)TRPV4转染的HEK细胞中-80和80 mV全细胞电流的时间进程,显示低渗溶液(HTS)刺激时的电流激活。(B类)在所示时间点获得的电流-电压关系A类(CD类)与相同A类B类除100μM pBPB外。注意,没有观察到电流激活。(E类如果)与中相同A类B类除1μM4α-PDD刺激转染TRPV4的HEK细胞外。(G公司H(H))与中的相同E类如果表明pBPB对4α-PDD诱导的TRPV4活化缺乏作用。
图4。
图4。
细胞色素P450环氧酶阻滞剂抑制低氧诱导的TRPV4激活。(A类)25%低渗溶液刺激对[Ca的影响2+]在未经处理的TRPV4转染的HEK细胞(实线)和经咪康唑处理的TRPV4转染HEK细胞中(10μM;虚线)。(B类)咪康唑(10μM)和17-ODYA(10μM)对[Ca升高的影响2+]由低张刺激(填充棒)和加热至42°C(开放棒)引起。对于每种情况,n个至少在三个独立实验中≥22。*,与未经处理的TRPV4表达细胞相比,存在显著差异。
图5。
图5。
各种激活刺激对[Ca的影响2+]在表达TRPV4 YS突变体(Y555A/S556A)的HEK细胞中。(A类D类)钙的时间进程2+用1μM4α-PDD刺激非转染细胞(虚线)和表达YS突变的细胞(实线)中的浓度(n个= 65) (A类),加热至42°C(n个= 34) (B类),25%低渗溶液(n个= 27) (C),或10μM AA(n个= 24) (D类). (E类)平均值[Ca2+]非转染HEK细胞和转染TRPV4 WT、Y555A、Y455F、S556A、Y555A/S556A和Y555F/S556A的HEK细胞分别对1μM 4α-PDD、10μM AA、25%低渗溶液和加热至42°C的反应增加。对于每种情况,n个在至少三个独立实验中≥17。*,与表达WT TRPV4的细胞相比,差异显著。
图6。
图6。
YS突变通过激动剂刺激和低渗肿胀对TRPV4电流激活的影响。(A类H(H))-80和+80 mV时全细胞电流的时间进程(A、 C、E、和G公司)以及在指定时间点获得的电流-电压关系(B、 D、F、和H(H))在表达Y555A/S556A突变的HEK细胞中,显示对4α-PDD缺乏反应(A类B类)并加热至42°C(CD类)和25%低渗溶液刺激时的电流激活(E类如果)和10μMAA(G公司H(H)). ()用1μM 4α-PDD刺激非转染细胞,在-80 mV时,内脏电流密度最大增加(n个=7),表达WT TRPV4的细胞(n个=6)和F548A(n个=5),Y555A/S556A(YS/AA;n个=11)和Y552A(n个=6)突变体。(J型)在未转染细胞和表达WT和突变TRPV4的细胞中,通过25%低渗、10μM AA和加热至42°C激活的平均内向电流的比较(n个= 5–13). *, 与表达WT TRPV4的细胞相比,差异显著。

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引用人

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