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.2001年4月;85(4):1719-31.
doi:10.1152/jn.2001.85.4.1719。

实验性皮质发育不良反应性星形胶质细胞的电生理特征

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实验性皮质发育不良反应性星形胶质细胞的电生理特征

A边界等。 神经生理学杂志. 2001年4月.
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摘要

新皮质冷冻损伤已被广泛用于研究发育异常皮质的超兴奋性的神经机制。相对而言,很少有人关注周围星形胶质细胞的生物物理变化,这些变化表现出深刻的形态和生物化学变化,通常被称为反应性胶质增生。星形胶质细胞被认为通过缓冲细胞外K(+)来帮助正常的神经元功能。受损的星形细胞K(+)缓冲被认为会导致神经元功能障碍。星形胶质细胞的钾缓冲部分由内向整流钾通道(K(IR))的活性介导,可能涉及通过缝隙连接在细胞内重新分配钾(+)。我们描述了冻融诱导的发育不良新皮质中星形胶质细胞之间的K(+)通道表达和缝隙连接耦合。从出生后第16-P24天接受P1冻存的大鼠切片中的星形胶质细胞获得全细胞斑贴灯记录。沿着冷冻损伤的整个长度,可以观察到胶质纤维酸性蛋白免疫反应性显著增加。在微溃疡深度附近可见成簇的增殖性星形胶质细胞(溴脱氧尿苷核染色,BrdU+)。病变周围皮质层I中的星形胶质细胞的特征是K(IR)显著降低。微溃疡深度附近的BrdU阳性星形胶质细胞基本上没有K(IR)通道的表达,但延迟整流K(+)(K(DR))通道的表达显著增强。这些增殖细胞几乎没有显示出染料偶联,而靠近微溃疡的超兴奋区的星形胶质细胞显示出显著的染料偶联以及大的K(IR)和外向K(+)电流。这些发现表明,反应性胶质增生伴随着K(IR)电流的丢失和间隙连接耦合的减少,这反过来表明K(+)缓冲能力受损。

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