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.2021年3月10日;21(6):1929.
doi:10.3390/s21061929。

半胱胺修饰表面用于临床相关水平S100B定量的电化学免疫传感器

附属公司

半胱胺修饰表面用于临床相关水平S100B定量的电化学免疫传感器

亚历山大·罗德里格斯等。 传感器(巴塞尔). .

摘要

创伤性脑损伤(TBI)继发的神经损伤是一种快速发展的疾病,需要在及时识别临床恶化的基础上做出治疗决定。S100B生物标记物水平的变化与TBI严重程度和患者预后相关。S100B定量通常很困难,因为标准免疫分析耗时、昂贵,并且需要广泛的专业知识。采用半胱胺自组装单层膜(SAM)上的零长度交联方法,通过羰基键将抗S100B单克隆抗体固定在平面(AuEs)和叉指(AuIDEs)金电极上。通过原子力显微镜(AFM)和镜面反射FTIR对每个功能化步骤进行表面表征。利用亚铁氰化钾中电化学阻抗谱(EIS)的电荷转移电阻(Rct)变化研究了生物传感器的响应,[S100B]范围为10-1000 pg/mL。AuIDEs中也进行了电容的单频分析。采用全因子设计评估生物传感器的敏感性、特异性和检测限(LOD)。在两种平台中,随着S100B浓度的增加,发现Rct值升高。LOD分别为18pg/mL(AuES)和6pg/mL(AuIDE)。AuIDE提供了一种更简单的制造协议,具有减少的制造时间和可能的成本,更简单的电化学响应分析,并且可以用于监测与S100B水平相关的电容变化的单频率分析。

关键词:S-100B;生物标志物;生物传感器;脑损伤;电化学阻抗谱;金电极。

PubMed免责声明

利益冲突声明

作者声明没有利益冲突。资助者在研究设计中没有任何作用;收集、分析或解释数据;在撰写手稿时,或在决定公布结果时。

数字

图1
图1
使用半胱胺/EDC-NHS方法将抗S100B共价固定在金电极(AuEs)和金交指电极(AuIDEs)平台上的图形摘要。
图2
图2
()将AuEs连接至M204恒电位仪/恒流器,以进行S100B测量。10 mM K[铁(CN)6]在观测到测量值之前,加入0.2M KCl溶液。插入的图片显示了俯视图,并用自粘纸勾勒出圆形工作区的轮廓。(b条)AuIDE在其中一个功能化步骤(上图)中的图片,圆形工作区由SU-8树脂定义,并使用Micrux技术滴电池连接器(下图)与M204恒电位仪/恒流器进行设置连接。与AuEs一样,在测量之前添加氧化还原溶液。
图3
图3
AuEs/Cys(红色)和AuE/Cys/抗S100B(蓝色)的镜面反射FTIR光谱。带长约1020厘米−1:–NH2在半胱胺中弯曲;1259厘米−1:C=半胱胺中的N和C–N键;1550–1640厘米−1:酰胺II,N–H弯曲~1700厘米−1:酰胺I带,主要是C=O拉伸。两种光谱均进行了归一化,并在比较前减去背景。
图4
图4
二维和三维AFM地形()AuE和(b条)AuE/Cys和(c(c))AuE/Cys/抗S100B。
图5
图5
奈奎斯特(Nyquist)绘制了()AuEs和(b条)奥德斯。在这两个平台上观察到电荷转移电阻(Rct)的增加与生物膜的生长成正比。
图6
图6
S100B试验的简要数据。()在10–1000 pg/mL线性检测范围内测量PBS(pH 7.4)中[S100B]的ΔRct值箱线图。(b条)相同范围内AuEs-PBS测试的Nyquist图。AuEs-plasma的结果见(c(c),d日). 显著性(Games-Howell检验):第页< 0.01 (*);第页< 0.001 (**);第页= 0.000 (***);x个-轴in(a)=对数[S100B](pg/mL),-轴输入()=对数ΔRc(Ω);x个-轴在(b条)=Z’(Ω),-轴输入(b条)=−Z’’(Ω)。
图6
图6
S100B试验的简要数据。()在10–1000 pg/mL线性检测范围内测量PBS(pH 7.4)中[S100B]的ΔRct值箱线图。(b条)相同范围内AuEs-PBS测试的Nyquist图。AuEs-plasma的结果见(c(c),d日). 显著性(Games-Howell检验):第页< 0.01 (*);第页< 0.001 (**);第页= 0.000 (***);x个-轴in(a)=对数[S100B](pg/mL),-轴输入()=对数ΔRc(Ω);x个-轴在(b条)=Z’(Ω),-轴输入(b条)=−Z’’(Ω)。
图7
图7
()箱线图和(b条)AuIDEs实验结果的奈奎斯特图(Nyquist plot of AuIDEs),用于在10–1000 pg/mL范围内定量S100B的加标人血浆样品。显著性(Games-Howell检验):第页< 0.01 (*);第页< 0.001 (**);第页= 0.000 (***);x个-轴输入()=对数[S100B](pg/mL),-轴输入()=ΔRc(Ω);x个-轴输入(b条)=Z’(Ω),-轴输入(b条)=-Z''(Ω)。
图8
图8
S100B试验的校准曲线()在10 mMPBS(pH 7.4)样品中使用AuEs(b条)使用AuEs和(c(c))在使用Au IDEs的加标人体血浆中。y=ΔRct;x=[S100B](微微克/毫升)。
图9
图9
()对比AuEs生物传感器中血浆样本Rct的对照试验;B=抗S100B功能化AuE中的基础Rct;nNOS=使用抗S100B功能化AuE进行nNOS(1000 pg/mL)测试的Rct,表明具有良好的特异性;P0=血浆空白,P1=最低测试S100B浓度(10 pg/mL)。NSB1=Au/Cys/BSA电极中的基本Rct信号。NSB2=在向Au/Cys/BSA电极添加1000pg/mL的S100B后的Rct,表明在不存在抗S100B的情况下与阻断的平台的非特异性结合。(b条)这些发现在AuIDE中对于特异性和非特异性结合也是可重复的。
图10
图10
AuIDEs-S100B生物传感器的电容分析,使用单一频率分析方法。
图11
图11
根据EIS获得的奈奎斯特图等效电路的示意图,使用()AuEs生物传感器,对应于典型的Randles电路并使用(b条)简化的Randles电路适合绘图的AuIDEs。Rs,溶液电阻;Rct,电荷转移电阻;Cdl,双层电容;Zw,Warburg阻抗。

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引用人

工具书类

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