平面非极性M面氮化镓的MOCVD生长

简要说明

用金属有机化学气相沉积（MOCVD）成功生长平面非极性m面氮化镓（GaN）的方法。

背景

由于c面GaN具有较大的生长窗口（压力、温度和前驱体流动）及其稳定性，因此相对容易生长。然而，由于c面生长，每个材料层都会受到电子和空穴向层对面分离的影响。此外，相邻层之间界面处的应变会引起压电极化，导致电荷进一步分离。这种极化效应降低了电子和空穴重新结合的可能性，导致器件性能不佳。

描述

加州大学圣巴巴拉分校（University of California，Santa Barbara）的研究人员开发了利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）成功生长平面非极性m面氮化镓（GaN）的方法。这些方法利用了m面GaN的非极性特性来消除极化场，并利用了生长过程中m-GaN稳定性的优势，提高了生长变量的灵活性，例如温度、压力和前驱流。

优势

• 消除极化场

• 增长变量更加灵活

应用

非极性GaN薄膜的生长

GaN基器件

此技术可用于非决定性许可证。有关本发明的专利和专利申请的选择，请参见下文。请查询完整的专利组合状态。

专利状况

国家	类型	编号	日期	案例
美利坚合众国	已颁发专利	8,795,440	08/05/2014	2005-566
美利坚合众国	已颁发专利	8097481个	01/17/2012	2005-566
美利坚合众国	已颁发专利	7,338,828	03/04/2008	2005-566