Accurate measurement of the Si structure factor by the Pendellösung method

Kato, N.; Saka, T.

doi:10.1107/S0108767386098860

硅结构因子的精确测量彭德尔松方法

从积分强度对厚度的依赖关系，测量了30个净平面的硅的X射线结构因子λ比例尺。在十个低阶平面中，估计准确度水平在可能误差中为0.05%。因此，可以高精度地确定Hartree-Fock孤立原子在谐波振荡下的标准模型偏差。在其余净平面中，准确度为0.1%。对于高于660的八个净平面，Dawson规则（均匀和高阶反射应为正常反射）得到了很好的满足。在此背景下，奇阶和中阶平面的一些Fg值偏离了标准模型。在差分傅里叶图中，不仅识别出反键区的键电荷和电荷亏损，而且在原子位置附近也有轻微的过剩。

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