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在标题化合物中,[In(C8H(H)4O(运行)4)(OH)(H)2O) ]n个、In的协调该离子由三个二价苯-1,2-二羧酸盐配体的六个O原子、两个羟基和一个配位的水分子组成,呈扭曲的八面体几何结构。In公司3+离子通过羟基连接形成锯齿状In–OH–In链,然后通过苯-1,2-二羧酸配体进一步桥接,形成具有三种类型环(六元、十四元和二十元)的二维层状结构。层内观察到水分子和羧酸氧原子之间以及羟基和羧酸O原子之间的氢键。在晶体堆积中,相邻层苯环之间存在π–π堆积相互作用,中心距为3.668(3)φ和4.8的二面角(2)°.

支持信息

到岸价

结晶信息文件(CIF)https://doi.org/10.107/S010827016026679/av3026sup1.cif
包含全局数据块I

香港特别行政区

结构系数文件(CIF格式)https://doi.org/10.107/S010827016026679/av3026Isup2.hkl
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CCDC参考:621253

注释顶部

配位聚合物的构造是近年来的材料研究。对这些材料的浓厚兴趣是作为功能材料(催化、,磁性、导电性、气体储存和非线性光学),以及作为它们有趣的结构拓扑(Janiak,2003;Kitagawaet(等)阿尔。, 2004; 奥基夫等。, 2000). 在连接分子中,刚性芳香羧酸,例如1,3,5-苯三甲酸,1,2,4,5-苯四甲酸和1,4-苯二甲酸由于其多功能协调模式(Yaghi等。, 1997; 等。, 2002; 卡拉诺维奇等。,2002). 1,2-苯二甲酸(H2BDC)是一种重要的二羧酸盐配体具有多种配位模式金属离子的配位几何导致了产物的产生包含一维链、二维层和三维框架(Ma等。, 2004; Thirumurugan公司&Natarajan,2004年)。

到目前为止,人们在过渡金属基的研究方面付出了大量努力配位聚合物。然而,相对较少的关注主族金属离子的配位聚合物,尽管它们很重要在离子交换或电致发光器件中的应用(林等。,2005; Liu&Xu,2006)。据推测基团金属离子可能会产生不同于这些离子的不同结构含有过渡金属离子。在搜索其他类别的材料中,我们按顺序引入了一种三价金属,即铟(III)研究金属中心的变化对金属装配过程中的协调结构带H的中心2BDC公司。输入离子容易水解,这限制了其用于构建配位聚合物。但是,通过添加脱质子H的合适碱性试剂2BDC并仔细控制在反应条件下,我们发现离子可以用来建造新框架。InCl的水热反应带H2BDC位于2-甲基吡啶的存在产生标题络合物,(I),我们提出它的结构。据我们所知,没有In–BDC物种之前报告过。

(I)的非对称单元由一个In组成离子,一个BDC2-戴安妮奥,一个羟基和一个配位水分子。如图1所示,输入原子由来自三个BDC的四个O原子六配位2-配体和一个配位水分子在扭曲的方形平面几何形状中,以及顶部位置的两个羟基的两个O原子。In–O系列八面体轻微压缩,轴向In-O键长为2.071(3)和2.093(3)Ω,赤道In-O键长为2.133(3)–2.244(4)Ω,O-In-O的键角为80.4(1)至173.5(2)°(表1). 涉及In的键尺寸是正常的,与相关铟(III)配合物(太阳等。,2002年)。

邻八面体共享轴向O原子角,形成之字形···OH-In-OH-In···链沿c(c)轴,带有In-OH-In角度为126.4(1)°,如图2所示。In-OH-In(I)中的角度远大于在三维框架中为118.6(2)-120.6(2)°{[英寸(OH)(-BDC)]4[-H(H)2BDC]}n个(-H(H)2BDC公司是1,4-苯二甲酸),其中-H(H)2BDC客体分子是在框架内观察到(Anokhina等。, 2005). In-In分离度为3.72Å,类似于化合物中3.63Å的值{[英寸(OH)(-BDC)]4[-H(H)2BDC]}n个和3.77º化合物{[In2(俄亥俄州)(-BDC)1.5]}n个(戈梅兹-洛尔et(等)阿尔。, 2002). 这些值如预期的那样更长,但与纯无机结构的,如类刚玉In2O(运行)结构或铟金属(d日两种情况下均=3.34Ω)(Prewittet(等)阿尔。, 1969). 相邻输入锯齿链中的离子也被桥接通过双齿羧酸基团形成六元环,A类(图。2). 沿着c(c)方向,与c(c)轴。

BDC公司2-配体通过其双齿和单齿羧酸基团。赤道羧酸盐O原子与BDC共享2-交联八面体链的阴离子成二维层状结构(图3)。另外两种类型的环在二维层中观察到。戒指B类是14人环,由两个BDC组成2-阴离子和两个In原子和环C类是一个包含两个BDC的20元环2-阴离子,五In原子和两个羟基O原子,如图4所示。在二维中层状结构,所有苯环均位于平面两侧由In-OH-In链形成。有趣的是一侧平行,相对于另一侧,二面角为86.1(1)°。

配位水分子和羧酸氧原子之间的氢键,在羟基和羧酸氧原子之间二维层,O-O距离在范围内2.838(5)-3.149(5)?(表2)。ππ叠加相互作用相邻层的苯环之间,具有中心到中心3.668(3)Ω的距离和4.8(2)°的二面角,这些是负责三维超分子框架结构(图。5).

实验顶部

标题化合物是在自生条件下通过水热法合成的压力。混合InCl(221 mg,1 mmol),1,2-苯二甲酸(166 mg,1 mmol)和蒸馏水(15 ml)在室温下搅拌条件。然后将2-吡啶(0.35 ml)缓慢添加到悬浮液中。这个将最终混合物密封在一个25ml的内衬特氟隆的钢制高压釜中,并在433 K持续4天,然后冷却至室温。无色板状得到了(I)的晶体,这些晶体通过过滤、洗涤进行回收使用蒸馏水并在空气中干燥(产率59%)。分析,针对C类8H(H)7O(运行)6单位:C 30.58,H 2.25%;发现:C 30.55,H 2.21%。

精炼顶部

芳香H原子被放置在计算位置,并使用riding模型近似,C-H=0.93º和U型国际标准化组织(H)=1.2U型等式(C) 。在差异图中可以看到与O原子结合的H原子并用DFIX公司(SHELXTL公司Sheldrick,1997)O-H约束=0.90(美国)奥和U型国际标准化组织(H)=1.5U型等式(O) ●●●●。

计算详细信息顶部

数据收集:水晶透明(Rigaku公司和分子结构公司,2000); 单元格细化:CrystalClear公司数据缩减:CrystalClear公司用于求解结构的程序:SHELXTL公司(谢尔德里克,1997);用于细化结构的程序:SHELXTL公司分子图形:SHELXTL公司钻石(勃兰登堡,2005);用于准备出版材料的软件:SHELXTL公司.

数字顶部
[图1] 图1。标题化合物的图纸,显示原子编号方案。在40%的概率水平上绘制位移椭球体。氢原子具有为了清楚起见,省略了。[对称代码:(i)-x个, -+ 1/2,z(z)- 1/2; (ii)-x个- 1/2, -+ 1/2,z(z)(iii)-x个, -+ 1/2,z(z)+ 1/2.]
[图2] 图2。锯齿形OH-In-OH-In链和六元链的视图戒指A类.
[图3] 图3。(I)的二维分层结构的透视图。
[图4] 图4。六元环、十四元环和二十元环的透视图A类,B类C类(形成环的原子表示为球)。
[图5] 图5。(I)包装视图,向下查看c(c)轴。
聚[水(µ-苯-1,2-二羧基)(µ2-氢化铟(III)]顶部
水晶数据 顶部
[输入(C8H(H)4O(运行)4)(哦)(H2O) ]F类(000) = 2432
第页= 313.96D类x个=2.270毫克
正交晶系F类d日d日2K(K)α辐射,λ= 0.71073 Å
大厅符号:F 2-2d2708次反射的单元参数
=11.915(1)Åθ= 3.3–27.5°
b条= 42.205 (5) ŵ=2.58毫米1
c(c)= 7.3069 (9) ÅT型=295千
V(V)= 3674.4 (7) Å板,无色
Z轴= 160.25×0.18×0.01毫米
数据收集 顶部
Rigaku水银70
衍射仪
1888独立反射
辐射源:细焦点密封管1822次反射>2个σ()
石墨单色仪R(右)整数= 0.033
ω扫描θ最大= 27.5°,θ最小值= 3.3°
吸收校正:多扫描
(CrystalClear公司Rigaku Corporation&Molecular Structure Corporation,2000年)
小时=1415
T型最小值= 0.589,T型最大= 0.976k个=5449
6877次测量反射=97
精炼 顶部
优化于F类2二次原子位置:差分傅里叶映射
最小二乘矩阵:满氢站点位置:从邻近站点推断
R(右)[F类2>2个σ(F类2)] = 0.026用独立和约束精化的混合物处理H原子
水风险(F类2) = 0.058 w个=1/[σ2(F类o个2) + (0.0306P(P))2+335年12月12日P(P)]
哪里P(P)= (F类o个2+ 2F类c(c)2)/3
S公司= 1.01(Δ/σ)最大< 0.001
1888次反射Δρ最大=1.11埃
145个参数Δρ最小值=0.94埃
4个约束绝对结构:Flack(1983),有755对Friedel对
主原子位置定位:结构-变量直接方法绝对结构参数:0.02(4)
水晶数据 顶部
[输入(C8H(H)4O(运行)4)(OH)(H)2O) ]V(V)= 3674.4 (7) Å
第页= 313.96Z轴= 16
正交晶系F类d日d日2K(K)α辐射
=11.915(1)ŵ=2.58毫米1
b条= 42.205 (5) ÅT型=295千
c(c)= 7.3069 (9) Å0.25×0.18×0.01毫米
数据收集 顶部
Rigaku水银70
衍射仪
1888独立反射
吸收校正:多扫描
(CrystalClear公司Rigaku Corporation&Molecular Structure Corporation,2000年)
1822次反射>2个σ()
T型最小值=0.589,T型最大= 0.976R(右)整数= 0.033
6877次测量反射
精炼 顶部
R(右)[F类2>2个σ(F类2)] = 0.026用独立和约束精化的混合物处理H原子
水风险(F类2) = 0.058 w个=1/[σ2(F类o个2) + (0.0306P(P))2+ 12.2335P(P)]
哪里P(P)= (F类o个2+ 2F类c(c)2)/3
S公司= 1.01Δρ最大=1.11埃
1888次反射Δρ最小值=0.94埃
145个参数绝对结构:Flack(1983),有755对Friedel对
4个约束绝对结构参数:0.02 (4)
特殊细节 顶部

几何图形.所有e.s.d.(两个l.s.平面之间二面角的e.s.d.除外)使用全协方差矩阵进行估计在估计e.s.d.的距离、角度时单独考虑和扭转角;e.s.d.细胞内参数之间的相关性仅为当它们由晶体对称性定义时使用。近似(各向同性)细胞e.s.d.的处理用于估计涉及l.s的e.s.d。飞机。

精炼.完善F类2对抗所有反射。加权R(右)-因子水风险和贴合度S公司基于F类2,常规R(右)-因素R(右)基于F类,使用F类设置为零消极的F类2。的阈值表达式F类2>σ(F类2)仅用于计算R(右)-因子(gt)等等.并且与选择反射进行细化无关。R(右)-因素基于F类2从统计上看大约是两倍大作为那些基于F类、和R(右)-基于所有数据的系数将为甚至更大。

分数原子坐标和各向同性或等效各向同性位移参数2) 顶部
x个z(z)U型国际标准化组织*/U型等式
输入10.01299 (2)0.242869 (6)0.36134 (6)0.01885(9)
O1公司0.1127 (3)0.28021 (9)0.4814 (5)0.0320 (8)
氧气0.0747 (3)0.29779(9)0.7603 (4)0.0326 (8)
臭氧0.3573 (3)0.28897 (8)0.4431 (5)0.0270 (8)
O4号机组0.2902 (4)0.30068 (10)0.1636 (5)0.0471 (11)
O5公司0.0639(2)0.23700 (7)0.6166 (5)0.0232 (6)
H5A型0.122 (3)0.2239 (10)0.618 (10)0.035*
O6公司0.1346 (3)0.27530 (10)0.3254 (5)0.0414 (10)
H6B型0.152 (6)0.2837 (16)0.216(5)0.062*
H6A型0.164 (6)0.2810 (17)0.432 (6)0.062*
C1类0.1654 (3)0.33230 (10)0.5537 (6)0.0196(9)
指挥与控制0.2455 (3)0.33447 (11)0.4147 (6)0.0207 (9)
C3类0.2822 (4)0.36434(11)0.3620 (8)0.0302 (9)
人30.33600.36620.27040.036*
补体第四成份0.2405 (4)0.39120 (12)0.4425 (9)0.0343 (12)
H4型0.26530.41100.40400.041*
C5级0.1613 (4)0.38890 (11)0.5818 (7)0.0348 (11)
H5B型0.13380.40710.63800.042*
C6级0.1239(4)0.35947 (11)0.6356 (7)0.0284 (10)
H6C型0.07030.35780.72760.034*
抄送70.1141 (3)0.30111 (10)0.6030(7)0.0212 (8)
抄送80.2991 (4)0.30590 (11)0.3295 (7)0.0259 (10)
原子位移参数(2) 顶部
U型11U型22U型33U型12U型13U型23
输入10.02296 (13)0.02252 (14)0.01106 (13)0.00047 (11)0.00091 (16)0.00076 (17)
O1公司0.038 (2)0.0265 (19)0.032 (2)0.0138 (15)0.0075 (16)0.0132 (15)
氧气0.048 (2)0.034 (2)0.0162 (17)0.0150 (17)0.0079 (16)0.0011 (14)
臭氧0.0245 (17)0.034 (2)0.0225 (17)0.0091 (14)0.0019 (14)0.0026 (14)
O4号机组0.064(2)0.058 (3)0.019 (2)0.023 (2)0.0018 (17)0.0055 (16)
O5公司0.0225(14)0.0346 (16)0.0125 (14)0.0079 (12)0.0032 (15)0.0018 (17)
O6公司0.045 (2)0.056 (3)0.023 (2)0.0224 (19)0.0046(17)0.0037 (17)
C1类0.0168 (19)0.025 (2)0.017 (2)0.0011 (16)0.0003 (15)0.0007(15)
指挥与控制0.018 (2)0.026 (2)0.018 (2)0.0007 (17)0.0022 (15)0.0044 (18)
C3类0.030 (2)0.035 (2)0.026 (2)0.0022 (19)0.003 (3)0.012 (3)
补体第四成份0.036 (3)0.021(2)0.046 (3)0.006 (2)0.010 (2)0.009 (2)
C5级0.040 (3)0.025 (2)0.039 (3)0.0031 (19)0.004 (2)0.002 (2)
C6级0.029 (2)0.029 (2)0.027 (3)0.0036 (17)0.002 (2)0.0101 (19)
抄送70.0146 (16)0.026 (2)0.023 (2)0.0026 (14)0.004 (2)0.002 (2)
抄送80.022 (2)0.032 (2)0.024 (3)0.0010 (17)0.0052 (19)0.0022 (18)
几何参数(λ,º) 顶部
In1-O5(五氧化二铟)2.071(3)O6-H6B型0.90 (5)
In1-O5(五氧化二铟)2.093 (3)O6-H6A型0.89 (5)
铟-O3ii(ii)2.133 (3)C1-C61.385(6)
In1-O22.140 (3)C1-C2类1.397 (6)
In1-O1型2.159 (3)C1-C7号机组1.496(6)
In1-O62.244 (4)C2-C3型1.389 (6)
O1-C7型1.252 (6)C2-C8型1.500 (6)
氧气-C71.250 (6)C3-C4型1.370 (7)
O2-In1型2.140 (3)C3至H30.9300
臭氧-C81.297 (5)C4-C5型1.392 (8)
O3-In1型ii(ii)2.133 (3)C4-H4型0.9300
O4-C8型1.237 (6)C5至C61.377 (7)
O5-In1型2.071 (3)C5-H5B型0.9300
O5-羟色胺5a0.89(4)C6-H6C型0.9300
O5公司-In1-O5(五氧化二铟)161.18 (2)C6-C1-C2型120.3 (4)
O5公司-铟-O3ii(ii)106.74 (13)C6-C1-C7型118.6 (4)
O5-In1-O3ii(ii)89.60 (13)C2-C1-C7型120.8 (4)
O5公司-In1-O2100.03 (12)C3-C2-C1118.5(4)
O5-In1-O289.92 (12)C3-C2-C8型118.7 (4)
臭氧ii(ii)-In1-O286.85 (14)C1-C2-C8型122.7 (4)
O5公司-In1-O1型83.70 (13)C4-C3-C2型121.2 (5)
O5-In1-O188.01 (12)C4-C3-H3型119.4
臭氧ii(ii)-In1-O1型86.99 (15)C2-C3-H3型119.4
氧气-In1-O1型173.51 (15)C3-C4-C5型120.2 (5)
O5公司-In1-O683.02 (13)C3至C4119.9
O5-In1-O680.40(13)C5-C4-H4119.9
臭氧ii(ii)-In1-O6169.97 (14)C6-C5-C4119.4 (5)
氧气-In1-O693.79 (16)C6-C5-H5B型120.3
O1-In1-O691.93 (16)C4-C5-H5B型120.3
C7-O1-合一144.1 (3)C5-C6-C1120.5 (5)
C7-O2-In1型126.2 (3)C5-C6-H6C119.7
C8-O3-In1型ii(ii)123.7(3)C1-C6-H6C型119.7
输入1-O5-In1型126.35 (13)O2-C7-O1型124.7 (4)
输入1-O5-H5A型118 (5)O2-C7-C1118.3 (4)
In1-O5-H5A115 (5)O1-C7-C1117.0 (4)
In1-O6-H6B122 (5)O4-C8-O3125.1 (4)
In1-O6-H6A112 (5)O4-C8-C2型120.9 (4)
H6B-O6-H6A126 (6)O3-C8-C2型113.9 (4)
O5公司-In1-O1-C7134.5 (6)C4-C5-C6-C1型0.7 (8)
O5-In1-O1-C728.6 (6)C2-C1-C6-C5型0.3(7)
臭氧ii(ii)-In1-O1-C7118.3 (6)C7-C1-C6-C5173.9 (4)
O6-In1-O1-C751.7(6)输入1-O2-C7-O1型3.6 (7)
O5公司-In1-O5-In1型74.5 (4)输入1-O2-C7-C1175.6 (3)
臭氧ii(ii)-In1-O5-In1型76.2 (2)In1-O1-C7-O239.0 (9)
氧气-In1-O5-In1型163.1 (2)In1-O1-C7-C1140.1 (4)
O1-In1-O5-In1型10.8 (2)C6-C1-C7-O230.6 (6)
O6-In1-O5-In1103.1 (2)C2-C1-C7-O2155.9 (4)
C6-C1-C2-C30.2 (7)C6-C1-C7-O1148.6 (4)
C7-C1-C2-C3173.7 (4)C2-C1-C7-O1型24.9 (6)
C6-C1-C2-C8型175.9(4)输入1ii(ii)-O3-C8-O4型18.7 (7)
C7-C1-C2-C8型10.7 (6)输入1ii(ii)-O3-C8-C2型158.2 (3)
C1-C2-C3-C4型0.6 (7)C3-C2-C8-O464.0 (7)
C8-C2-C3-C4176.4 (5)C1-C2-C8-O4120.4 (5)
C2-C3-C4-C5型1.0 (8)C3-C2-C8-O3113.1 (5)
C3-C4-C5-C6型1.1 (8)C1-C2-C8-O362.6 (6)
对称码:(i)x个,+1/2,z(z)1/2; (ii)x个1/2,+1/2,z(z)(iii)x个,+1/2,z(z)+1/2.
氢键几何形状(λ,º) 顶部
D类-H(H)···A类D类-H(H)H(H)···A类D类···A类D类-H(H)···A类
O5-H5型A类···O4号机组0.89 (4)2.28 (2)3.149 (5)166 (5)
O6-H6型A类···O4号机组0.89 (5)1.96 (3)2.838 (5)169 (7)
O6-H6型B类···臭氧v(v)0.90 (5)2.01 (3)2.854(5)156 (6)
对称代码:(iii)x个,+1/2,z(z)+1/2; (iv)x个+1/2,,z(z)+1/2; (v)x个+1/2,,z(z)1/2.

实验细节

水晶数据
化学配方[输入(C8H(H)4O(运行)4)(OH)(H)2O) ]
第页313.96
晶体系统,空间组正交晶系F类d日d日2
温度(K)295
,b条,c(c)(Å)11.915 (1), 42.205 (5), 7.3069 (9)
V(V))3674.4 (7)
Z轴16
辐射类型K(K)α
µ(毫米1)2.58
晶体尺寸(mm)0.25 × 0.18 × 0.01
数据收集
衍射仪Rigaku水银70
衍射仪
吸收校正多重扫描
(CrystalClear公司Rigaku Corporation&Molecular Structure Corporation,2000年)
T型最小值,T型最大0.589, 0.976
测量、独立和
观察到的[>2个σ()]反射
6877, 1888, 1822
R(右)整数0.033
(罪θ/λ)最大1)0.649
精炼
R(右)[F类2>2个σ(F类2)],水风险(F类2),S公司0.026, 0.058, 1.01
反射次数1888
参数数量145
约束装置数量4
氢原子处理用独立和约束精化的混合物处理H原子
w个=1/[σ2(F类o个2) + (0.0306P(P))2+ 12.2335P(P)]
哪里P(P)= (F类o个2+ 2F类c(c)2)/3
Δρ最大, Δρ最小值(eó))1.11,0.94
绝对结构Flack(1983),755对Friedel
绝对结构参数0.02 (4)

计算机程序:CrystalClear公司(Rigaku公司和分子结构公司,2000),CrystalClear公司,SHELXTL公司(谢尔德里克,1997),SHELXTL公司钻石(勃兰登堡,2005年)。

选定的几何参数(λ,º) 顶部
In1-O5元素2.071 (3)In1-O62.244 (4)
In1-O5(五氧化二铟)2.093 (3)O1-C7型1.252 (6)
铟-O3ii(ii)2.133(3)氧气-C71.250 (6)
In1-O22.140 (3)臭氧-C81.297(5)
In1-O1型2.159 (3)O4-C8型1.237 (6)
O5公司-铟-O3ii(ii)106.74 (13)氧气-In1-O1型173.51 (15)
O5-In1-O3ii(ii)89.60 (13)O5公司-In1-O6元素83.02 (13)
O5-In1-O289.92 (12)O5-In1-O680.40 (13)
臭氧ii(ii)-In1-O286.85 (14)氧气-In1-O693.79 (16)
O5公司-In1-O1型83.70 (13)O1-In1-O6型91.93 (16)
O5-In1-O188.01 (12)输入1-O5-In1型126.35 (13)
臭氧ii(ii)-In1-O1型86.99 (15)
对称码:(i)x个,+1/2,z(z)1/2;(ii)x个1/2,+1/2,z(z)(iii)x个,+1/2,z(z)+1/2.
氢键几何形状(λ,º) 顶部
D类-H(H)···A类D类-H(H)H(H)···A类D类···A类D类-H(H)···A类
O5-H5A··O40.89 (4)2.28 (2)3.149 (5)166 (5)
O6-H6A···O40.89 (5)1.96 (3)2.838 (5)169 (7)
O6-H6B···O3v(v)0.90 (5)2.01 (3)2.854 (5)156 (6)
对称代码:(iii)x个,+1/2,z(z)+1/2; (iv)x个+1/2,,z(z)+1/2; (v)x个+1/2,,z(z)1/2.
 

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