使用3ω方法在78–400 K的温度范围内表征了20–300 nm厚介电膜中的热传输。二氧化硅2和氮化硅x个薄膜在硅衬底上以300 °C，使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。对于电影>100nm厚时，热导率几乎不依赖于薄膜厚度：PECVD的热导率二氧化硅2电影只是∼10%小于二氧化硅2通过热氧化生长。PECVD的热导率氮化硅x个胶片大约比氮化硅x个900时通过大气压力CVD沉积 摄氏度。对于电影<50nm厚，两者的表观热导率二氧化硅2和氮化硅x个薄膜随薄膜厚度的增加而减小。根据小界面热阻解释厚度相关的导热系数R（右）我.在室温下，R（右）我∼2×10−8 K（K） 米2 W公司−1相当于∼20nm厚的层二氧化硅2 .

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©1997美国物理研究所。
1997
美国物理研究所
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