我们给出了实验测定的纵向光学（LO）和横向光学（TO）拉曼线的双轴应变系数3C公司-碳化硅。已暂停3C公司-具有（100）织构的SiC膜被一侧的可变压力负载偏转，并且测量LO和TO拉曼线的应变引起的位移，同时从膜偏转与压力的关系计算应变。利用这些结果，我们测量了3C公司-Si上生长的SiC薄膜与制备条件的关系。最大残余应变出现在薄膜样品中，随着薄膜厚度增加到不同的热膨胀系数所施加的值，薄膜样品会松弛3C公司-SiC和Si。随着残余应变的减小和薄膜厚度的增加，拉曼谱线变窄，表明晶体质量有所改善。我们还发现，随着增长率的增加，残余应变减小。

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