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刘云仙;舒志旺

半导体器件漂移扩散模型的局部间断Galerkin方法分析。 （英语） Zbl 1342.65183号

科学。中国，数学。 59，第1期，115-140（2016）.
摘要：我们考虑一维半导体器件的漂移扩散（DD）模型，该模型不仅包含一阶导数对流项，还包含二阶导数扩散项和耦合泊松势方程。获得了半离散和全离散局部间断Galerkin（LDG）格式的最优误差估计。在全离散格式中，我们将隐式显式（IMEX）时间离散化与LDG空间离散化耦合，以允许更大的时间步长并节省计算成本。分析中的主要技术难点是处理由数值方法的不连续性以及模型的非线性和耦合引起的单元间跳跃项。还进行了仿真以验证分析。

引用于14文件

MSC公司：

65个M12 含偏微分方程初值和初边值问题数值方法的稳定性和收敛性
65岁15岁 涉及PDE的初值和初边值问题的误差界
65M60毫米 涉及偏微分方程初值和初边值问题的有限元、Rayleigh-Ritz和Galerkin方法

关键词：

局部间断Galerkin方法;半离散的;隐显格式;误差估计;半导体
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
\textit{Y.Liu}和\textit{C.-W.Shu}，科学。中国，数学。59，第1号，115--140（2016；Zbl 1342.65183）
全文： 内政部

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