R.N.辛普森。;S.P.A.博尔达斯。;A.阿塞诺夫。;A.R.布朗。 用于半导体器件模拟的丰富剩余自由气泡。 （英语） Zbl 1312.78008号 计算。机械。 50，第1期，119-133（2012）. 小结：本文概述了一种稳定用于半导体器件模拟的电流连续性方程的方法。无残差气泡函数（RfBF）被纳入有限元（FE）实现中，能够防止使用传统Bubnov-Galerkin FE实现时出现的振荡。此外，研究表明，RfBF能够通过非常扭曲的网格和弯曲的界面边界提供稳定性。与常用的SUPG格式进行了比较，结果表明，在二维问题中，RfBF可以更快地收敛耦合半导体器件方程，特别是在网格畸变的情况下。 引用于1文件 MSC公司： 78M10个 有限元、伽辽金及相关方法在光学和电磁理论问题中的应用 关键词：无残留气泡富集;稳定;半导体器件模拟;有限元 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit｛R.N.Simpson｝等人，计算机。机械。50，第1号，119--133（2012；Zbl 1312.78008） 全文： 内政部 参考文献： [1] Bank R、Rose D、Fichtner W（1983）半导体器件模拟的数值方法。IEEE Trans-Electron设备30（9）：1031·Zbl 0521.65086号 ·doi:10.1109/T-ED.1983.21257 [2] Barnes J，Lomax R（1977）半导体器件模拟中的有限元方法。IEEE跨电子设计24（8）：1082–1088·doi:10.1109/T-ED.1977.18880 [3] Brezzi F，Franca L，Russo A（1998）对流扩散方程中无残余气泡的进一步考虑。计算方法应用机械工程166（1–2）：25–33·Zbl 0934.65126号 ·doi:10.1016/S0045-7825（98）00080-2 [4] Brezzi F，Marini L，Pietra P（1989）半导体器件的数值模拟。计算方法应用机械工程75:493–514·Zbl 0698.76125号 ·doi:10.1016/0045-7825（89）90044-3 [5] Brezzi M（1992）稳定有限元方法与气泡函数伽辽金方法之间的关系。计算方法应用机械工程96（1）：117–129·Zbl 0756.76044号 ·doi:10.1016/0045-7825（92）90102-P [6] Brooks A，Hughes T（1982）对流主导流动的流线迎风/Petrov-Galerkin公式，特别强调不可压缩Navier-Stokes方程。计算方法应用机械工程32:199–259·兹标0497.76041 ·doi:10.1016/0045-7825（82）90071-8 [7] Bürgler J，Bank R，Fichtner W，Smith R（1989）半导体电流连续性方程的新离散格式。IEEE Trans计算辅助设计8（5）：479–489·数字对象标识代码：10.1109/43.24876 [8] Carey G，Pardhanani A，Bova S（2000）半导体器件模拟的高级数值方法和软件方法。Vlsi Des 10（4）：391–414·doi:10.1155/2000/43903 [9] Hughes T（2000）有限元法：线性静态和动态有限元分析。多佛出版公司，米诺拉·兹比尔1191.74002 [10] Lin P，Shadid J，Sala M，Tuminaro R，Hennigan G，Hoekstra R（2009）用于稳定有限元半导体器件建模的并行代数多级预处理程序的性能。计算机物理杂志228:6250–6267·Zbl 1175.82077号 ·doi:10.1016/j.jcp.2009.05.024 [11] Lin P，Shadid J，Tuminaro R，Sala M（2010）《半导体器件DD方程有限元建模用petrov-galerkin代数多层预处理器的性能》。国际数字方法工程杂志88:448–469·Zbl 1202.82003年 [12] Machek J，Selberherr S（1983）器件建模的新型有限元方法。IEEE Trans-Electron器件30（9）：1083–1092·doi:10.1109/T-ED.1983.21262 [13] Mock M.（1984）四边形元素和Scharfetter-Gummel方法。模拟半秒器件过程1:298–309 [14] Nassehi V，Parvazinia M（2009）使用气泡函数对瞬态输运现象进行多尺度有限元时空离散化的方法。有限电子分析设计45:315–323·doi:10.1016/j.finel.2008.10.05 [15] Parvazinia M，Nassehi V，Wakeman R（2006），对流扩散问题的气泡函数法多尺度有限元建模。化学工程科学61:2742–2751·doi:10.1016/j.ces.2005.11.031 [16] Polak SJ、Heijer CD、Schilders WHA、Markowich P（1987）《从数值角度进行半导体器件建模》。国际数学方法工程24（4）：763–838·Zbl 0618.65125号 ·doi:10.1002/nme.1620240408 [17] Scharfetter D，Gummel H（1969）硅读出二极管振荡器的大尺寸分析。IEEE Trans-Electron器件16（1）：64–77·doi:10.1109/T-ED.1969.16566 [18] Sharma M，Carey G（1989）使用逆风通量有限元进行半导体器件建模。Int J Comput Math Electr Electr Eng 8（4）：219–224国际计算机数学电子工程杂志·Zbl 0703.65083号 ·doi:10.1108/eb010063 [19] Sharma M，Carey G（1989）使用自适应细化和磁通上卷的半导体器件模拟。计算机辅助设计集成电路系统。IEEE Trans计算辅助设计8（6）：590-598。数字对象标识代码：10.1109/43.31515·数字对象标识代码：10.1109/43.31515 [20] Trattles J，Johnson C（1997）半导体DD方程有限元公式的比较研究。国际J数字方法工程40:3405–3419·Zbl 1050.78510号 ·doi:10.1002/（SICI）1097-0207（19970930）40:18<3405:：AID-NME219>3.0.CO；二维 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配，可能包含数据转换错误。在某些情况下，zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献，而不要求完整或完全匹配。