J·阿赫塔。;艾哈迈德·S·。 反向偏置平面型p-n结泊松方程有限差分解的网格和松弛参数区域优化。 （英语） Zbl 0703.65056号 COMPEL公司 185-197年第4期第8页（1989年）. 作者总结：结合泊松方程的二维有限差分解，考虑了网格结构和弛豫参数的优化，以确定反向偏置平面型p-n结中的场分布。通过将平面结划分为矩形和圆形对称区域，利用小面积试验场地进行区域优化。在获得了每个区域的最优网格尺寸和松弛参数后，很容易获得完整的解，并且收敛速度很快。详细介绍了这种区域优化方法，并讨论了其与其他已知技术的比较有用性。审核人：C.L.库尔 引用于1文件 MSC公司： 65N22型 含偏微分方程边值问题离散方程的数值解 65牛顿50 涉及偏微分方程的边值问题的网格生成、细化和自适应方法 65层10 线性系统的迭代数值方法 65奈拉 涉及偏微分方程的边值问题的误差界 65号06 含偏微分方程边值问题的有限差分方法 60年第35季度 与光学和电磁理论相关的PDE 35J05型 拉普拉斯算子、亥姆霍兹方程（约化波动方程）、泊松方程 78A55型 光学和电磁理论的技术应用 关键词：反向偏置;半导体输运方程;网格结构;弛豫参数;有限差分解;泊松方程;快速收敛 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{J.Akhtar}和\textit{S.Ahmad}，COMPEL 8，No.4，185--197（1989；Zbl 0703.65056） 全文： 内政部 参考文献： [1] 内政部：10.1109/T-ED.1984.21675·doi:10.1109/T-ED.1984.21675 [2] 内政部：10.1109/T-ED.1980.19956·doi:10.1109/T-ED.1980.19956 [3] S.Ahmad、J.P.Pachauri和J.Akhtar，半导体上三维亚微米金属接触电流传输研究，技术报告，CEERI，印度皮拉尼（1985）。 [4] Kurata M.，半导体器件的数值分析（1982） [5] Young D.M.，《数值分析调查》（1962年） [6] DOI:10.1007/978-3-7091-3678-2·doi:10.1007/978-3-7091-3678-2 [7] 内政部：10.1007/978-3-7091-3678-2·doi:10.1007/978-3-7091-3678-2 [8] DOI:10.1049/el:19720306·doi:10.1049/el:19720306 [9] DOI:10.1049/el:19710251·doi:10.1049/el:19710251 [10] S.Ahmad和J.Akhtar，MOS电容器相关边缘电容的计算，技术报告CEERI，印度皮拉尼（1986）。 [11] 内政部：10.1109/T-ED.1977.18688·doi:10.1109/T-ED.1977.18688 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配，可能包含数据转换错误。在某些情况下，zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献，而不要求完整或完全匹配。