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纳米器件中Boltzmann-Poisson系统的间断Galerkin解算器。 (英语) Zbl 1229.82005年

摘要:在本文中,我们给出了非连续Galerkin(DG)格式用于半导体器件中描述电子输运的Boltzmann-Poisson系统瞬态确定性计算的结果。碰撞项模拟了在强能量条件下占主导地位的光学-声子相互作用,对应于施加偏压下的纳米级活性区。所提出的数值技术是一种在非结构化网格上使用不连续分段多项式作为基函数的有限元方法。它被用于模拟体硅、硅二极管和双栅12nm MOSFET中的热电子输运。此外,将所得结果与高阶WENO格式模拟和DSMC(离散模拟蒙特卡罗)求解器的结果进行了比较。

MSC公司:

82-08 计算方法(统计力学)(MSC2010)
82天37分 半导体统计力学
78A35型 带电粒子的运动
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