半导体技术试点计划旨在支持《2022年半导体生产激励法案》通过加快审查创新专利申请，提高半导体器件产量，降低半导体制造成本，加强半导体供应链。该程序符合并支持14080号行政命令于2022年8月25日发布，旨在鼓励半导体制造领域的研究、开发和创新，并提供公平的知识产权保护，以激励半导体制造领域中的投资。
根据这一试点计划，涉及用于制造半导体器件的某些工艺或设备的技术的合格应用程序将依次进行审查（授予特殊地位），直到办公室发出第一个行动。专利局诉讼是专利审查员对专利申请结果的书面通知。
申请人必须及时提交申请，以便使用所需的请愿书以供本项目考虑。对于符合资格的申请，申请书无需缴纳特别申请费，申请人也无需满足加速考试程序或优先检查程序.美国专利商标局将接受申请，在2024年12月2日之前，或在总共1000份申请被授予该计划特殊地位的日期之前，以较早发生的为准。
项目要求
符合条件的申请：该计划面向：
- 非限制性原始公用事业非临时应用；和
- 根据《美国法典》第35卷第120、121、365（C）或386（C）节的规定，只有一份先前的申请是非临时申请或指定美国的国际申请，要求在申请日受益的原始公用事业非临时申请。
注释：根据《美国法典》第35卷第119（e）节的规定就一份或多份先前的临时申请申请利益，或根据《美国编》第35章第119节第（a）-（d）或（f）节的要求对一份或多项外国申请享有优先权，均不影响该试点项目的资格.
技术要求：合格的专利申请必须包含至少一项权利要求，该权利要求涵盖制造半导体器件的工艺或设备，并且与H10（半导体器件；未另行规定的电气固态器件）中的一个或多个技术概念相对应或H01L（H10类未涵盖的半导体器件）合作专利分类（CPC）系统。类或子类的完整方案可以在CPC系统在“分类符号查找”部分下，选择“CPC”分类系统单选按钮，在“输入分类符号”框中输入类或子类（例如H10），在“选择内容”窗口中选择“方案”，然后单击“提交”
要求以专利中心和DOCX格式进行电子存档：申请或国家级参赛作品必须使用电子方式提交专利中心，并且必须在DOCX格式 提交申请或进入国家舞台。要了解有关以DOCX格式提交的更多信息，请考虑参加DOCX培训网络研讨会或访问DOCX信息页面.
请愿时间：申请人必须根据《美国法典》第35卷第371节的规定，或在申请提交日期或申请进入日期后的30天内，提交申请，以便对申请或进入国家阶段进行特殊处理。根据《美国联邦法规》第37卷第1.102（d）节的规定，本项目已免收特别申请费。
认证：特别申请必须证明：
- 申请人有诚意相信，符合试点项目技术要求的权利要求发明改善了半导体器件的制造；
- 本说明书中披露了满足试点项目技术要求的权利要求所涵盖的工艺或设备，其主要集中于半导体器件的制造；
- 申请人有诚意相信，加快申请审查将对半导体制造业产生积极影响，例如增加半导体器件产量、降低半导体制造成本或提高半导体供应链的弹性；和
- 发明人或任何共同发明人尚未被提名为其他四项以上非专利申请的发明人或共同发明人，在这些申请中，已提交了根据该试点项目进行特别处理的请愿书。
USPTO表格要求：申请人必须使用PTO/SB/467表格-其中包含申请书和必要的证书，以请求参与此计划。表PTO/SB/467必须使用电子方式归档专利中心.
其他要求：本计划的所有其他要求和条件在2023年联邦公报通知用于此程序。
如何归档
- 完成并签字表PTO/SB/467.
- 保存PTO/SB/467表格并通过上传专利中心.
注释：上传PTO/SB/467表时，选择文件描述半导体试点申请（请愿类别下），以确保及时和适当处理。
公告
联系我们
对于关于专利中心的问题，请致电866-217-9197或通过电子邮件联系专利电子商务中心电子邮箱：ebc@uspto.gov.
对于关于特定半导体技术试点项目请愿书的问题，请联系：
对于关于半导体技术试点计划联邦注册公告的问题，请联系专利法律管理办公室571-272-7704或电子邮件专利实践@uspto.gov.
注释：从本页链接到的某些材料可能需要 PDF查看器.
