半导体界面的X射线反射率研究

M.K.三亚,A.达塔,S.班纳吉,A.K.斯利瓦斯塔瓦,B.M.阿罗拉,S.Kanakaraju和S.莫汉

介绍了分别采用金属有机气相外延和离子束溅射沉积技术生长的厚AlAs-AlGaAs和薄Ge-Si-Ge多层膜的X射线反射率研究结果。在这两种半导体多层膜中都观察到界面不对称。还观察到，虽然Si-on-Ge界面很尖锐，但Si_0.4Ge公司_0.6合金在Ge-on-Si界面形成。在III-V半导体的情况下，AlAs-on-AlGaAs界面显示出比在AlGaAs-on-A1As界面中观察到的粗糙度大得多的粗糙度。对于薄多层膜，可以直接从X射线反射率数据中获得作为深度函数的成分轮廓。

阅读文章类似文章

将界面粗糙度纳入多层和超晶格动态X射线衍射的递归矩阵形式

一、大厅,A.贝内迪克托维奇和A.乌利扬尼科夫

界面粗糙度被视为过渡层。提出了一种计算具有界面粗糙度的多层结构衍射扫描的方法，该方法既快速又无数值误差。

阅读文章类似文章

Ge/Si（001）系统符合位晶格的掠入射X射线衍射研究

Y.Barnscheidt公司,J.施密特和H.J.奥斯汀

报道了Ge/Si（001）异质外延中由界面错配位错形成的符合位点阵的掠入射X射线衍射分析，其厚度范围为10到580nm。

阅读文章类似文章

Cr/Be多层膜的固有粗糙度和界面

R.普列什科夫,N.Chkhalo公司,V.波尔科夫尼科夫,M.Svechnikov先生和M.佐里娜

本文展示了Cr/Be多层X射线反射镜的整体质量，并分别给出了粗糙度和材料混合的估计值。

阅读文章类似文章

B的界面表征₄基于X射线掠入射反射率和漫散射的C基多层膜

H.江,Z.Wang（王）和朱军（J.Zhu）

为了研究键B的特性₄利用C基多层膜、X射线掠入射反射率和漫散射综合表征了多层膜结构，包括厚度、密度、界面粗糙度、互扩散、表面状态和相关长度等信息。

阅读文章类似文章

α的结构研究₁₂硅锗上部结构

T.Etzelstorfer公司,M.R.Ahmadpor Monazam先生,S.Cecchi公司,D.克里格纳,D.克拉什蒂纳,E.加蒂,E.格里利,N.罗斯曼,S.查特吉,V.霍尔尼,F.佩佐利,G.伊塞拉和J.斯坦格尔

给出了由单层薄膜组成的可能直接带隙Si/Ge超晶格的X射线衍射结构分析结果，以及理论预测和首次光学测量。

阅读文章类似文章

镀镍过程中溅射气体中氮含量对Ni/Ti周期多层膜和中子超镜性能的影响

Q.张,Z.Zhang先生,H.镍,Q.黄,十、李,J.何和Z.Wang（王）

研究了氮分压对磁控溅射制备的Ni/Ti中子超镜的影响，揭示了通过改变溅射气体中的氮含量可以调节Ni/Ti薄膜的结晶和界面性能。

阅读文章类似文章

用共面和非共面X射线衍射表征（011）和（111）取向硅上生长的锗层中的位错

A.贝内迪克托维奇,A.兹利克,T.乌里扬尼科娃,米罗诺夫和A.乌利扬尼科夫

卡加纳提出的理论方法的推广等。[物理学。版本B, (1997),55发展了任意表面取向、任意位错线方向和非共面测量方案。基于一组非共面几何测量的倒易空间图和剖面，应用该方法研究了Si（011）和Si（111）上Ge薄膜的位错微观结构。

阅读文章类似文章

中子超镜中的粗糙度复制

T.Veres公司,S.Sajti公司,L.Cser公司,S.Bálint公司和L.Bottyán公司

镍钛中子超镜中的长程界面粗糙度相关性在扩散中子散射的平台和峰值中表现出来。这些特征具有共振特性，并且强烈依赖于超镜结构的类型（缓慢增加或减少双层厚度）。畸变波玻恩近似计算得出了界面粗糙度相关性的统计参数。

阅读文章类似文章

格式		BIBTeX公司
		尾注
		RefMan参考手册
		请参阅
		Medline公司
		成本加保险费、运费
		SGML公司
		文本
		纯文本

格式		BIBTeX公司
		尾注
		RefMan参考手册
		请参阅
		Medline公司
		成本加保险费、运费
		SGML公司
		文本
		纯文本

格式		BIBTeX公司
		尾注
		RefMan参考手册
		请参阅
		Medline公司
		成本加保险费、运费
		SGML公司
		文本
		纯文本

格式		BIBTeX公司
		尾注
		RefMan参考手册
		请参阅
		Medline公司
		成本加保险费、运费
		SGML公司
		文本
		纯文本

格式		BIBTeX公司
		尾注
		RefMan参考手册
		请参阅
		Medline公司
		成本加保险费、运费
		SGML公司
		文本
		纯文本

搜索IUCr日志		doi程序		高级搜索
作者		体积	第页