通过最大熵法（MEM）绘制了Si晶体的电子密度图，其中30个结构因子在绝对尺度上通过彭德尔松方法[Saka&Kato（1986）。《水晶学报》。A类42, 469-478]. 结果表明，使用MEM进行准确的结构分析有以下三点好处。首先，可以获得精确的电子密度图；在最大熵图中可以清楚地看到键合电子的存在，尽管分析中没有包含禁止反射。根据最大熵图计算出的222和442个禁止反射的结构因子与不同实验测量的结果吻合良好。决赛对由于测量的结构因子具有较高的准确性，该因子为0.05%。其次，在精确的结构分析中，无需寻求更好的结构模型，这可能是一个复杂且耗时的过程。第三，最大熵映射的分辨率远高于传统傅里叶变换绘制的映射。还发现，在硅的情况下，相位信息并不是绝对必要的，因为在没有任何相位信息的情况下可以获得与所有相位信息绘制的密度分布图完全相同的密度分布。
