阴离子有序化对SrTaO八面体畸变和相变的影响₂N和BaTaO₂N个

C.-H.王,B.J.肯尼迪,A.L.梅内泽斯·德·奥利维拉,J.波尔特和K.S.奈特

在BaTaO中观察到阴离子（O/N）有序₂N和SrTaO₂N.进一步的Ta-O/N八面体位移（围绕c（c）在SrTaO中观察到轴）畸变₂N。

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关于畸变定理的一点注记

M.S.尼科尔斯基

对键长-键价关联的理论分析得到了畸变定理的一个推广。

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具有棋盘结构的强一维有机导体中的去耦阴离子有序和自旋-珀尔跃迁(o个-我₂TTF）₂否_三

O.珍妮,E.W.莱因海默,P.Foury-Leylekian公司,J.-P.普吉,P.奥班·森齐尔,E.Trzop公司,E.科勒和M.Fourmigué

分子导体中的负序（AO）和自旋-珀尔（SP）结构/电子跃迁完全解耦(o个-我₂TTF）₂否_三.

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钙的晶体结构_4+x个Y（Y）_3–x个硅₇哦_15+x个N个_5–x个(0 ≤x个≤1）由隔离的[Si₇（O，N）₁₉]单位

小林先生,T.Yasunaga公司,H.加藤,K.Fujii公司,M.Yashima先生和M.卡基哈纳

固溶体系列Ca_4+x个Y（Y）_3–x个硅₇哦_15+x个N个_5–x个具有x个=0、0.5和1，与a[Si同型结晶₇（O，N）₁₉]单元作为特色建筑单元。

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Lu-原子有序氧氮铝硅酸盐Ba_0.9总工程师_0.1卢埃尔_0.2硅_3.8N个_6.9哦_0.1

R.西蒙拉和H.亚马内

钡的单晶_0.9总工程师_0.1卢埃尔_0.2硅_3.8N个_6.9哦_0.1（钡铈镥铝硅酸盐氮氧化物）是通过加热钡的混合粉末获得的_三N个₂，硅_三N个₄、阿尔、鲁₂哦_三、和CeO₂2173 K，N下1小时₂0.85 MPa压力下的气体。X射线单晶结构分析表明，标题氮氧化物是六方的，与BaYbSi同构₄N个₇（Ba，Ce）和Lu原子分别占据12倍和6倍的配位位。

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装配过程中夹持力对单色器光学表面畸变的影响

E.V.班布里奇,J.D.格里菲斯,J.克鲁南和P.Docker公司

本文通过有限元分析论证了夹持力对单色器硅晶体光学表面的影响。

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间距校准：一个GUI Python软件，用于使用样条线对2D探测器进行空间畸变校正

W.Chèvremont

本文介绍了Python软件，该软件具有用于空间畸变校正的图形用户界面（GUI），使用任何规则网格作为校准模式并生成样条文件。

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富钯Heusler合金中的位置偏好和四方畸变

吴先生,韩毅（Y.Han）,A.布埃马杜,Z.Cheng先生,R.科纳塔,邝先生,X.王,T.杨,H.袁和X.王

探讨了不同Heusler结构类型之间的两种竞争。首先是XA和L2之间的竞争₁基于Pd全Heusler合金立方系的结构₂YZ公司二是二语之间的竞争机制₁立方系及其L1₀四方体系。

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变换矩阵（畸变、方向、对应）、它们的连续形式及其变体

C.凯龙

三个变换矩阵（畸变、取向和对应）定义了位移相变的晶体学。本文解释了如何计算它们及其变体，以及为什么应该区分它们。

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变换矩阵（变形、方向、对应）、它们的连续形式及其变体。勘误表

C.凯龙

凯龙附录B4和B5中的三个方程式[《水晶学报》.（2019），A75, 411–437]被校正。

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