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.2017年10月25日;139(42):14976-14982.
doi:10.1021/jacs.7b06314。 Epub 2017年10月13日。

二维硒化锗的短波近红外线性二色性

附属公司

二维硒化锗的短波近红外线性二色性

王晓婷等。 美国化学会志. .

摘要

偏振检测已投入使用,用于可见光波段的光学应用。同时,对短波近红外(SW-NIR)(700-1100nm)提出了更高的要求。典型的IV-VI硫属化合物2D GeSe具有各向异性层状正交结构,1.1-1.2 eV带隙很窄,可以满足需求。在这里,我们报告了高品质GeSe晶体上拉曼光谱的异常角度依赖性。偏振分辨吸收光谱(400-950 nm)和偏振敏感光电探测器(532、638和808 nm)均显示出良好的重复周期、明显的各向异性特征和典型的吸收比αx个≈1.09(532 nm)、1.26(638 nm)和3.02(808 nm)(二色性比I第页/我二甲苯≈1.09(532 nm),1.44(638 nm),2.16(808 nm)。显然,GeSe的偏振测量在SW-NIR波段的808nm左右显示出优异的各向异性响应。此外,这两种测试方法相互证明了优越的可靠性。对于线性二向色性的层依赖性,在638和808 nm激光下测量的不同厚度的GeSe样品表明,在约8-16 nm的中等厚度下可以获得最佳结果。总的来说,多层GeSe具有集成SW-NIR光学应用的偏振检测能力。

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