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.2017年8月31日;9(34):12364-12371.
doi:10.1039/c7nr03574h。

基于锑的高性能光电探测器2S公司纳米线:波长依赖性和宽温度范围利用

附属公司

基于锑的高性能光电探测器2S公司纳米线:波长依赖性和宽温度范围利用

绵城钟等。 纳米级. .

摘要

能够在低温和高温下工作的光电探测器对于实际光电器件的开发非常重要。许多研究表明,低维半导体在光电应用方面比其块状半导体具有更多的优势。这里,我们报告了高质量锑的制备2S公司纳米线(NW)通过硫辅助蒸汽传输方法。相应的单个Sb2S公司基于NW的光电探测器在约300至800 nm的宽光谱范围内显示出良好的光响应。最佳光响应值是在室温下638nm激光照射下测量的:高电流开关比约为210,光谱响应度为1152AW-1,探测率为2×1013琼斯,上升和下降时间分别约为37毫秒。更重要的是,锑电导率的温度依赖性2S公司显示了三个变化区域,这可以归因于载流子迁移率和载流子浓度之间的相互作用。光电探测器光响应的温度依赖性表明,它们对温度具有良好的适应性,并且在8到420 K的宽温度范围内工作得很好2S公司晶体是新型多功能光电子器件的候选材料。

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