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.2003年2月;2(2):107-11.
doi:10.1038/nmat814。

Ti3SiC2至1 GPa的完全可逆、基于位错的压缩变形

附属公司

Ti3SiC2至1 GPa的完全可逆、基于位错的压缩变形

M W巴苏姆等。 自然材质. 2003年2月.

摘要

晶体固体中基于位错的变形几乎总是塑性的。这里,我们表明Ti3SiC2多晶样品在室温下循环加载,在压缩状态下,应力达到1 GPa,在去除载荷后完全恢复,同时耗散约25%(0.7 MJ x m(-3))的机械能。应力-应变曲线概述了完全可逆的速率依赖性,受晶粒尺寸影响很大的闭合磁滞回线,在粗晶粒材料中耗散的能量明显较大。当温度高于1000℃时,回路打开,响应与应变率有关,并观察到循环硬化。这种迄今尚未报道的现象归因于室温变形时初始扭结带的可逆形成和湮灭。在较高温度下,初始扭结带离解并结合,形成规则的不可逆扭结带。Ti3SiC2的损耗因子高于大多数木材,与聚丙烯和尼龙相当。讨论了具有刚性、轻质可加工陶瓷的技术意义,该陶瓷在每个循环中可消耗高达25%的机械能。

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