对原始VASP源代码应用适当的接口修补程序。 有3个interface_patch文件 在中可用 VASPsol/贴片 文件夹,每个支持的VASP版本一个。
cd<VASP src目录> patch-p1<<接口补丁文件的路径>
应用修补程序后,复制 VASPsol/src/溶剂化。 F类 文件到VASP源目录: 在原始VASP Makefile中,按顺序将solutionation.o对象文件名放在pot.o之前。 使干净 制作
cd血管5.4.1 补丁src/pot。 F<<pbz_patch_541修补程序文件的路径>
复制溶剂化。 F来自path_to_VASPsol/src/solvation。 F到path_to_VASP6_install/src/ 导航到path_to_VASP6_install/src/并通过确保“solvation.o”出现在“pot.o”之前来修改.objects文件 在VASP makefile.include文件中设置CPP选项“-Dsol_compat”。 按照VASP wiki上的说明编译代码。
cd血管6.1.0 补丁-p0<<pbz_patch-610补丁文件的路径>
http://www.apache.org/licenses/LICENSE-2.0
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纳米晶表面和反应途径密度泛函研究的隐式溶剂化模型。 K.Mathew、R.Sundararaman、K.Letchworth-Weaver、T.A.Arias和R.G.Hennig、J.Chem。 物理学。 140,084106(2014),[doi:10.1063/1.4865107]( https://doi.org/10.1063/1.4865107 ). -
平面波密度泛函理论中的隐式自洽电解质模型。 K.Mathew、V.S.C.Kolluru、S.Mula、S.N.Steinmann和R.G.Hennig、J.Chem。 物理学。 151234101(2019),[doi:10.1063/1.5132354] ( https://doi.org/10.1063/1.5132354 ).
@其他{VASPsol-Software, title={VASPsol:密度泛函理论的隐式溶剂化和电解质模型}, author={K.Mathew和V.S.Chaitanya Kolluru和R.G.Hennig}, 年份=2018年, publisher={GitHub}, 日志={GitHub存储库}, howpublished={\url{ https://github.com/henniggroup/VASPsol }}, url={ https://github.com/henniggroup/VASPsol }, doi={10.5281/zenodo.2555053} } @第{VASPsol2014-电介质, title={纳米晶表面密度泛函研究的隐式溶剂化模型 和反应途径。}, author={K.Mathew和R.Sundararaman以及K.Letchworth-Weaver和T.A.Arias R.G.Hennig}, 年份=2014, 期刊={化学物理杂志}, 体积=140, 页数={084106}, doi={10.1063/1.4865107} } @第{VASPsol2019-电解液, title={平面波密度泛函理论中的隐式自洽电解质模型。}, author={K.Mathew和V.S.C.Kolluru和S.Mula以及S.N.Steinmann和R.G.Hennig}, 年份=2019, 期刊={化学物理杂志}, 体积=151, 页数={234101}, doi={10.1063/1.5132354} }