IBM研究与开发杂志，第8卷
1964年第8卷第1期
塞缪尔·埃斯特斯 , H.雷·科尔比 , 赫尔曼·D·马克西 , 罗伯特·M·沃克 :
从存储数据进行语音合成。 2-12 卡斯滕·德兰吉德 , 鲁道夫·索默哈尔德 , 汉斯·米勒 , 雨果·塞茨 :
超导体对磁场的衰减。 13-21 雷蒙德·邦纳 :
关于一些聚类技术。 22-32 戴尔·克里奇洛 , 罗伯特·H·丹尼德 , 埃米尔·霍普纳 :
残留的边带、相反转数据传输系统。 33-42 威廉·A·普利斯金 , 欧内斯特·康拉德 :
透明薄膜厚度和折射率的无损测定。 43-51 克劳德·贝尔廷 :
使用频率技术的传输线响应。 52-63 沃纳·库尔克 , 托马斯·哈里斯 , 库尔特·科桑克 , Erhard Max公司 :
一种快速的数字索引光偏转器。 64-67
1964年第2期第8卷
基因M.Amdahl , 杰里特·布莱奥 , 小弗雷德里克·布鲁克斯。 :
IBM System/360的体系结构。 87-101 小爱德华·M·戴维斯。 , 威廉·哈丁 , 罗伯特·施瓦茨 , 约翰·科宁 :
固体逻辑技术：多功能、高性能微电子。 102-114 威廉·卡特 , 霍华德·蒙哥马利 , 拉尔夫·J·普莱斯 , 哈里·莱因海默 :
IBM System/360的可维护性功能设计。 115-126 保罗·W·凯斯 , 赫伯特·H·格拉夫 , 勒罗伊·格里菲斯 , A.罗伯特·勒克莱克 , 温莎·B·莫利 , 托马斯·斯彭斯 :
固体逻辑设计自动化。 127-140 J.B.冈恩 :
III-V半导体中电流的不稳定性。 141-159 尼尔斯·R·D·阿塔·斯伦德 , 比约恩·T·克朗霍特 :
使用数字技术评估光谱化学数据。 160-169 爱德华·巴特库斯 , 詹姆斯·布朗洛 , 沃伦·克拉波 , 罗伯特·F·埃尔芬特 , 库尔特·格雷布 , 奥托·古特温 :
批量制造铁氧体记忆平面的方法。 170-176 彼得·索罗金 , 诺曼·布拉斯劳 :
双量子受激发射器件的若干理论问题。 177-181 彼得·索罗金 , 约翰·卢齐 , 约翰·兰卡德 , 乔治·D·佩蒂特 :
溶液中使用酞菁分子的红宝石激光调Q元件。 182-184 罗伯特·沃努克 , 西奥多·托乌 , 本杰明·波斯特 :
CaPd3O4的晶体结构。 185-186 法鲁克·M·奥德 :
BCS积分方程的一个存在定理。 187-188
1964年第8卷第3期
莫雷尔·科恩 , 利奥波多·法利科夫 , 斯图亚特·戈林 :
V族半金属和IV-VI半导体的晶体化学和能带结构。 215-227 乔治·E·史密斯 , 吉恩·巴拉夫 , 约翰·罗威尔 :
铋中孔洞的有效g因子。 228-231 约瑟夫·J·维尔明 :
铋的高场电流磁效应。 232 A.L.贾恩 , 鲁道夫·贾吉 :
铋中的压阻和压球效应。 233 约翰·亚内尔 , 约翰·沃伦 , 罗伯特·温泽尔 , 西摩·H·柯尼格 :
铋中的声子色散曲线。 234-240 约翰·J·霍尔 , 西摩·H·柯尼格 :
铋、锑及其合金的输运性质和能带结构。 241-246 W.Ross Datars公司 , 约翰·范德科伊 :
回旋共振与锑的费米表面。 247-252 戴尔·M·布朗 , 塞尔·J·西尔弗曼 :
Bi-Sb单晶合金的生长和传输特性。 253-254 小乔·W·麦克卢尔。 :
石墨的能带结构。 255-261 米尔德丽德·德雷瑟豪斯 , 约翰·马夫罗迪斯 :
石墨的费米表面。 262-267 大卫·E·索尔 :
稀释受主掺杂引起的石墨费米表面的变化。 268-273 克劳德·克莱恩 :
热解石墨的STB模型和传输特性。 274-275 乔治·A·威廉姆斯 , 乔治·E·史密斯 :
铋中的阿尔芬波传播：费米表面的量子振荡。 276-283 查尔斯·赫贝尔 :
量子极限下铋的红外反射率。 284 阿兰·麦克沃特 , 威廉·G·梅 :
半金属中的声等离子体波。 285-290 Soitiro Tosima公司 , Ryogo Hirota公司 :
自磁场对铋中电流磁效应的影响。 291-294 沃尔特·席林格 :
铋中的非欧姆导电。 295-298 赫伯特·J·格林伯格 , 阿兰·孔海姆（Alan G.Konheim） :
模式分类中的线性和非线性方法。 299-307 欧内斯特·G·纽曼 , 伦纳德·F·温特 :
磁控可变逻辑。 308-317 安东尼·安内洛 , 阿尔伯特·C·鲁奇奥 , 小W.D.Van Gieson。 :
从模拟理论导出的一种新的位同步数字方法。 318-328 阿尔伯特·H·米切尔 , 基思·约翰逊 :
液压执行机构的模拟。 329-334 乔治·J·Y·范 :
法布里-珀罗脉泽干涉仪的共振模式和空间相干的注记。 335-337 理查德·加文 :
非简并双光子Giant-Pulse激光器的分析。 338-340
1964年第4期第8卷
唐纳德·R·杨 , 唐纳德·塞拉菲姆 :
硅的表面效应：简介。 366-367 雅各布·厄尔·托马斯。 , 唐纳德·R·杨 :
薄绝缘层钝化硅表面电位漂移的空间电荷模型。 368-375 唐纳德·科尔 , 约瑟夫·洛根 , P.约翰内斯·伯克哈特 , 威廉·A·普利斯金 :
用P2O5稳定SiO2钝化层。 376-384 唐纳德·科尔 :
温度和偏压对玻璃-硅界面的影响。 385-393 保罗·卡斯特鲁奇 , 约瑟夫·洛根 :
二氧化硅钝化平面结的电极控制。 394-399 唐纳德·P·塞拉菲姆 , 安德鲁·布伦尼曼 , 弗朗索瓦·马克斯·德黑尔 , 哈罗德·弗里德曼 :
硅上二氧化硅薄膜的电化学现象。 400-409 弗兰克·F·方 , Sol Triebwasser公司 :
硅反转层中的载流子表面散射。 410-415 乔治·切尔诺夫 , 弗兰克·F·方 , 弗雷德里克·霍克伯格 :
低温退火对Si-SiO2-Al系统中Si表面电导率的影响。 416-421 赫伯特·S·雷曼 :
化学和环境对钝化硅半导体表面导电的影响。 422-426 艾伦·B·福勒 , 弗兰克·F·方 , 弗雷德里克·霍克伯格 :
硅场效应晶体管结构的霍尔测量。 427-429 埃里克·阿德勒 :
Many-Valley导体中的声速。 430-434 威廉·T·陈 :
横向各向同性弹性半空间上的位移不连续性。 435-442 丹尼尔·陶布 , 布莱恩·金顿 :
变压器（Dimond Ring）只读存储器的设计。 443-459 Reginald F.杠杆 :
硅-氢-氯体系的平衡行为。 460-465 罗伯特·K·布雷顿 :
大型网络的稳定性准则。 466-470 戈登·拉舍尔 , 艾伦·B·福勒 :
作为双稳态器件的互猝灭注入激光器。 471-475
1964年第5期第8卷
大卫·P·肯尼迪 , 菲利普·莫利 , 雷蒙德·奥布莱恩 :
扩散结晶体管设计的统计方法。 482-495 保罗·马库斯 :
半导体表面电容的计算及其在硅上的应用。 496-505 丹尼尔·墨菲 , 约翰·特恩布尔 :
ACP隧道二极管耦合电路的设计。 506-514 杰罗姆·D·斯瓦伦 , 亨利·M·格拉德尼 :
电子顺磁共振谱的计算机分析。 515-526 塞缪尔·S·伊姆 , 詹姆斯·巴特勒 , 达德利·A·钱斯 :
玻璃钝化砷化镓芯片隧道二极管。 527-531 戈登·拉舍尔 , 威廉·史密斯 :
单次注入激光脉冲能量的热限制。 532-536 米切尔·马库斯 :
使用布尔代数推导最大相容性。 537-538 理查德·鲁茨 :
碳化硅中的负电阻隧道二极管。 539-542 约翰·马林纳斯 :
77°K下GaAs注入激光器的高功率连续工作。 543-544 诺曼·布拉斯劳 , 约翰·巴蒂斯科比·冈恩 , 约翰·斯塔普斯 :
砷化镓电流的连续微波振荡。 545-546
