第46届ESSDERC 2016:瑞士洛桑
第46届欧洲固态设备研究会议,ESSDERC 2016,瑞士洛桑,2016年9月12-15日。 电气与电子工程师协会 2016 ,国际标准图书编号 978-1-5090-2969-3 格雷格·耶里克 :
系统扩展的核心。 1-2 艾哈迈德·巴海 :
超低能系统:模拟信息。 3-6 托比·德尔布吕克 :
神经畸形视觉传感和处理。 7-14 劳伦特·马利尔 , 安德烈娅·凯特琳 , 乔治·塞萨纳 , 劳伦特·勒佩勒 :
低功耗先进数字技术,实现物联网。 15-16 马蒂亚斯·斯特芬 , 杰伊·甘贝塔 , 杰瑞·M·周 :
用于量子计算的超导量子比特的进展、现状和前景。 17-20 约翰·罗杰斯 :
人体软电子。 21-22
M.F.乔杜里 , 赛义德·泽珊·阿里 , S.Boual公司 , 理查德·霍珀 , 弗洛林·乌德雷亚 :
用于占用检测的等离子体MEMS CMOS红外传感器的开发。 97-100 安德烈亚·菲科雷拉 , 卢西奥·潘切里 , 吉安·弗兰科·达拉·贝塔 , 保罗·布罗吉 , Gianmaria Collazuol公司 , 马罗切西码头 , 法比奥·莫尔萨尼 , 洛多维科·拉蒂 , 奥罗·萨沃伊·纳瓦罗 :
CMOS SPAD阵列中的串扰映射。 101-104 达娜·克里斯蒂 , 保拉·奥布雷加 , 丽贝卡·都铎 , 博格丹·比塔 :
溶液可处理PbS量子点/硅多光谱探测器。 105-108 张沃功 , 迈克尔·奥姆 , 克劳斯·马蒂斯 , 维克托·斯特凡尼 , 阿什拉夫尔·拉朱 , 卡斯珀 , 约格·舒尔茨 :
用于单片场景中毫米波发电的小尺寸IMPATT二极管特性。 109-112 索林·克里斯托洛瓦努 , 玛丽莲·巴韦丁 :
FDSOI器件:问题和创新解决方案。 117-120 岩井洋 :
裁员结束后的世界。 121-126 R.贝瑟隆 , 弗朗索瓦·安德烈 , P.佩罗 , E.巴亚克 , A.波菲尔斯基 , 埃马纽埃尔·乔斯 , 迪迪埃·杜塔尔 , A.克拉维尔 , 米歇尔·霍恩 :
14nm UTBB FDSOI中SiGe信道的性能和布局效应:SiGe第一与SiGe第二集成。 127-130 托马斯·齐亚雷拉 , 斯特凡·库比切克 , E.罗塞尔 , 罗曼·里森塔勒 , 安德烈·希卡维 , P.Eyben先生 , 安·德·科尔斯基(An De Keersgieter) , L.Å。 拉格纳松 , M.-S.金 , S.-A.Chew公司 , 汤姆·施拉姆 , S.Demuynck公司 , 米罗斯拉夫·库帕克 , 吕克·里恩德斯 , 莫林·德汉 , Naoto Horiguchi公司 , 杰罗姆·米塔德 , 丹·莫库塔 , 安达·莫库塔 , Aaron Voon Yew Thean :
朝着高性能亚10nm finW块状FinFET技术迈进。 131-134 杰拉德·吉巴多 :
FDSOI CMOS器件的电气特性。 135-141 R.拉维维尔 , Theano A.Karatsori公司 , 克里斯托弗罗斯·G·西奥多罗 , 西尔万·巴劳德 , C.A.迪米特里亚迪斯 , 杰拉德·吉巴多 :
亚15nm Si/SiGe触发pMOSFET漏电流局部和全局变化的统计特性。 142-145 亚历山德罗·佩佐塔 , C.-M.张 , Farzan Jazaeri公司 , 克劳迪奥·布鲁希尼 , 朱利奥·博格略 , 费德里科·法西奥 , S.马蒂亚佐 , 安德里亚·巴希罗托 , 克里斯蒂安·恩兹 :
GigaRad电离剂量对未来HL-LHC 28 nm体MOSFET的影响。 146-149 内田健 , 高桥津木 :
Thermal-ware CMOS:未来技术和设计发展的挑战。 150-153 金凤康 , 黄鹏 , 哲晨 , 赵宇迪(Yudi Zhao) , 陈柳 , 韩润泽 , 刘立峰(Lifeng Liu) , 刘晓燕 , 王阳源 , Bin Gao公司 :
氧化物-RRAM电阻开关特性的物理理解和优化。 154-159 卡斯滕·弗莱克 , 乌尔里希·博特格 , Rainer Waser公司 , 纳比尔·阿斯拉姆 , 苏珊·霍夫曼·伊弗雷特 , 斯蒂芬·门泽尔 :
钛酸锶基电阻开关存储器件脉冲开关过程中的能量耗散。 160-163 Wonjoo Kim公司 , 德克·沃特斯 , 斯蒂芬·门泽尔 , 克里斯蒂安·罗登布彻 , Rainer Waser公司 , 维卡斯·拉纳 :
降低Ta2O5 ReRAM器件的形成电压和无形成行为。 164-167 M.Barlas先生 , 布巴卡尔·特拉奥雷 , 劳伦特·格诺伊莱 , 斯特凡妮娅·贝纳斯科尼 , 菲利普·布莱塞 , 穆罕默德·阿拉扬 , 贝诺伊·斯科莱纳(Benoit Sklénard) , 埃里克·贾拉奎尔 , 菲利普·罗德里格斯 , F.马赞 , E.维兰 , M.Guillermet先生 , 西蒙·詹诺 , 伊丽莎·维亚内洛 , 卢卡·佩尼奥拉 :
Si/Al注入对HfO2基OxRAM电池形成电压和预形成传导模式的影响。 168-171 副苏打 , 费德里卡·利迪娅·特蕾莎·马吉奥尼 , 赫尔曼·奥普林斯 , 史蒂夫·斯托菲尔斯 , 马丁·贝尔曼斯 , 英格丽德·沃尔夫 :
用于GaN基功率器件分析的新型快速分布式热模型。 172-175 米歇尔·维西亚雷利 , 安东尼奥·格努迪 , 埃琳娜·格纳尼 , 苏珊娜·雷吉亚尼 :
InGaAs NW MOSFET的全量子模拟研究,包括界面陷阱。 180-183 马丁·劳 , 特洛伊斯·马库森 , 恩里科·卡鲁索 , 戴维·埃塞尼 , 埃琳娜·格纳尼 , 安东尼奥·格努迪 , 彼得·霍米亚科夫 , 马修·路易斯尔 , 帕特里克·奥斯格纳赫 , 皮耶保罗·帕莱斯特里 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 安德烈亚斯·申克 , 卢卡·塞尔米 , 库尔特·斯托克布罗 :
用于超薄体晶体管应用的应变III-V族材料的性能研究。 184-187 汉密尔顿·卡里略-努内兹 , 雷托·雷纳 , 马蒂厄·路易西尔 , 安德烈亚斯·申克 :
表面粗糙度和声子散射对极窄InAs-Si纳米线TFET的影响。 188-191 B.贾扬特·巴利加 :
碳化硅功率设备:从概念到社会影响。 192-197 拉赫利赫·赫达亚蒂 , 路易吉娅·兰尼 , 安娜·鲁苏 , 卡尔·米凯尔·泽特林 :
双极性4H-SiC技术中的宽温度范围集成放大器。 198-201 穆罕默德·阿尔沙赫德 , 穆罕默德·阿洛马里 , 克里斯汀·哈伦特 , 约阿希姆·N·伯格哈特(Joachim N.Burghartz) , C.瓦希特 , T.贝根德 , S.卢特根 :
块状GaN衬底上的600 V低泄漏AlGaN/GaN MIS-HEMT。 202-205 阿加瓦尔 , 劳拉·马利诺 , 罗伯特·艾维斯特 , 马克·约翰逊 :
宽带隙功率器件及其应用; 美国的倡议。 206-209 哈桑·埃尔·迪拉尼 , 帕斯卡尔·丰特诺 , 约汉·索拉罗 , 菲利普·法拉利 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
新型FDSOI带调器件:Z 2 -双接地平面场效应晶体管。 210-213 金武汉 , 维克托·莫罗兹 , 安德烈·库切洛夫 , 迪内什·马赫什瓦里 , 瓦伦丁·阿布拉姆松 , 兹维·奥尔巴克 , 西西义雄 , 尤尼亚托·威贾哈 :
具有>2倍驱动电流和低泄漏电流的CMOS兼容升压晶体管。 214-217 梅兰妮·布罗卡 , 纪尧姆·伯豪 , 塞巴斯蒂安·瑟里斯 , 法比安·克莱米迪 , 佩琳·巴图德 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 劳伦特·布鲁内特 , 弗朗索瓦·安德烈 , 法比安·德帕拉特 , 乔里斯·拉科德 , 奥利维尔·罗佐 , 杰拉尔德·西布拉里奥 , 奥利维尔·比朗特 :
中间BEOL技术对3D VLSI标准单元性能的影响。 218-221 布鲁娜·卡多索·帕兹 , 马塞洛·安东尼奥·帕瓦内洛 , 米卡·卡塞 , 西尔万·巴拉德 , 吉尔斯·兰博德 , 莫德·维奈 , 奥利维尔·费诺 :
应变SOI纳米线的模拟性能低至10K。 222-225 莫德·维奈 , 佩琳·巴图德 , 克莱尔·费努伊勒特·贝兰格 , 劳伦特·布鲁内 , 文森特·马佐奇 , 曹明文森特·卢 , 法比安·德普拉特 , 杰西·米考特 , 伯纳德·普雷维塔利 , 保罗·贝索姆贝斯 , 尼尔斯·兰巴尔 , 弗朗索瓦·安德烈 , 奥利维尔·比朗特 , 梅兰妮·布罗卡 , 塞巴斯蒂安·瑟里斯 , 纪尧姆·贝哈特 , 克里斯蒂亚诺·洛佩斯·多斯·桑托斯 , 杰拉尔德·西布拉里奥 , 法比安·克莱米迪 , 丹尼尔·吉特林 , 奥利维尔·费诺 :
3D CoolCube™连续集成带来的机遇。 226-229 郑庚(Z.Geng) , W.Kinberger公司 , 拉尔夫·格拉兹纳 , J.佩佐特 , 弗兰克·施维兹 :
2D电子学——机遇与局限。 230-235 维克拉姆·帕西 , 阿米特·加霍 , 贾斯珀·鲁科普夫 , Satender Kataria公司 , F.汽化器 , 埃米利亚诺·帕莱奇 , 亨利快乐 , 马克斯·克里斯蒂安·莱姆 :
“边缘接触”金属-石墨烯界面的接触电阻研究。 236-239 乔戈·丹尼尔·阿吉雷·莫拉莱斯 , 塞巴斯蒂安·弗雷戈内塞 , C.穆克吉 , 克里斯特尔·马努斯 , 司马涛 , 魏伟 , 亨利·快乐 :
单层石墨烯FET的基于物理的电紧凑模型。 240-243 马里奥·伊纳佐 , 爱德华·阿拉尔康 , Himadri Pandey公司 , 维克拉姆·帕西 , 马克斯·克里斯蒂安·莱姆 :
基于CVD石墨烯-FET的共源共栅电路:本征增益增强的设计探索和制造。 244-247 艾米·惠特科姆 , 斯科特·泰勒 , 马丁·德纳姆 , 弗拉基米尔·米洛瓦诺维奇 , 鲍里沃耶·尼科利奇 :
28 nm CMOS芯片上I-V变化和随机电报噪声特性。 248-251 弗朗西斯科·玛丽亚·普格利西 , 菲利佩·科斯坦蒂尼 , 本·卡泽尔 , 卢卡·拉彻 , 保罗·帕凡 :
通过随机电报噪声表征探讨高κ/金属栅FinFET中应力期间的缺陷产生。 252-255 克里斯托弗罗斯·G·西奥多罗 , 穆尼斯·法德拉拉 , 泽维尔·加洛斯 , Charalambos A.Dimitriadis公司 , 杰拉德·吉巴多 :
纳米级CMOS SRAM单元中噪声诱导的动态变化。 256-259 C.穆克吉 , 托马斯·雅克 , 司马涛 , 克里斯特尔·马努斯 , 安詹·查克拉沃蒂 , 约瑟夫·博克 , 克劳斯·奥芬格 :
高级SiGe HBT基极和集电极中随机电报噪声的综合研究:偏置、几何和陷阱位置。 260-263 维沙尔·阿加瓦尔 , 安妮·约翰·安妮玛 , 萨塔达尔·杜塔 , Raymond J.E.Hueting先生 , Lis K.Nanver女士 , Bram Nauta公司 :
雪崩模式二极管中的随机电报信号现象:应用于SPAD。 264-267 水田浩史 , 孙健 , 马诺哈兰·穆鲁加纳桑 :
用于极端传感的新型悬浮石墨烯器件。 268-271 克里斯托弗·海罗德 , 基兰·奇卡迪 , 米罗斯拉夫·哈卢斯卡 , Cosmin罗马 :
基于悬浮CNFET的超低功耗NO2气体传感器。 272-275 C.H.De Groot先生 , 龙涛洞 , A.Usgaocar公司 , V.M.C.Chavagnac公司 :
低功率应用的成分调制电沉积PdNi-Si氢传感器。 276-279 维奥雷尔·阿夫拉梅斯库 , 安德烈亚·德卢卡 , Mihai Brezeanu公司 , 赛义德·泽珊·阿里 , 弗洛林·乌德雷亚 , 屋大维Buiu , 康奈尔·科比亚努 , 波格丹-卡塔林塞族 , 朱利安·加德纳 , 维奥雷尔·杜米特鲁 , Alisa Stratulat公司 :
基于CMOS兼容SOI微热板的氧传感器。 280-283 杜米特鲁·杜姆森科 , 德米特里·奥夫钦尼科夫 , 科利奥·马里诺夫 , 安德拉斯·基斯 :
高品质合成2D过渡金属二加氢半导体。 284-286 丹尼尔·施耐德 , 安德烈亚斯·巴布里奇 , 马克斯·克里斯蒂安·莱姆 :
石墨烯/a-Si:H多光谱光电探测器。 287-290 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , 柳一马 , 杜万景 , 大田顺里 :
用自组装单分子膜基栅介质进行粘附光刻以制备MoS2 FET。 291-294 Myung Hun Woo(明勋佑) , Byung Chul Jang先生 , Choi君焕 , Gwang Hyuk Shin先生 , Hyejeong Seong公司 , Sung Gap Im公司 , 宋耀才(Sung-Yool Choi) :
基于MoS2通道和iCVD聚合物隧道介质的浮栅存储器。 295-298 安德森·D·史密斯 , 卡里姆·埃尔加马尔 , 旭格风机 , 马克斯·克里斯蒂安·莱姆 , 安娜·德林 , 弗兰克·尼克劳斯 , 米凯尔·奥斯汀 :
实现石墨烯对湿度传感效应的有效钝化。 299-302 莫西·阿甘 , 雅罗斯拉夫·普扬恰克 , 杜桑·普雷吉达 , 阿加扬·苏万诺夫 , 蒂埃里·姚 , 拉迪斯拉夫·塞利加 :
模块化大功率LDMOS技术中寄生双极管的管理。 303-306 杰姆·阿尔珀 , 何塞·L·帕迪拉 , 帕莱斯特里码头 , 阿德里安·伊奥内斯库 :
翅片电子-空穴双层隧道FET器件几何形状的影响。 307-310 托马斯·温巴赫 , 亚历山大·马卡罗夫 , 维克托·斯维尔德洛夫 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 :
超稠密非易失性磁移位寄存器磁化方向编码自旋转移转矩的开发。 311-314 恩里科·皮奇尼尼 , 马西莫·鲁丹 , 罗塞拉·布鲁内蒂 :
跳跃传导中的闭合跃迁率。 315-318 卡米洛·斯特凡努奇 , 皮埃特罗·布切拉 , 埃伦弗里德·西巴赫 , 亚历山大·斯坦梅尔 , 马赫尔·凯亚尔 , Jean-Michel Salles公司 :
HVCMOS技术中衬底电流传播的分析。 319-322 Ki-Sik我 , Chul Ho Won公司 , Jae Hwa Seo先生 , 在满康 , 信杜里Vodapally , 李永洙 , 李荣熙 , 金永泰 , 索林·克里斯托洛瓦努 :
具有优异器件性能的新型AlGaN/GaN omega-FinFET。 323-326 D.格鲁茨马赫 , 马丁·米库利西斯 , 希尔德·哈德德根 :
基于III-氮化物-LED介观结构的低能耗纳米光电器件。 327-329 鸠山由纪夫 , 岩崎隆之 , 山崎佐治 , 牧野敏春 :
钻石电子。 330-332 小田顺里 :
量子点器件:纳米物理的技术载体和未来应用的途径。 333-336 加布里埃尔·杜洛勒 , 谢尔盖·埃科菲 , 多米尼克·杜鲁因 , 米歇尔·皮奥罗·拉德里埃 :
单电子电荷检测的可制造过程,向量子计算迈进了一步。 337-340 齐格弗里德·F·卡格 , 凡妮莎·沙勒 , 安德鲁·高尔 , Kirsten E.Moselund公司 , 亨茨·施密德 , 伯恩德·戈斯曼 , 约翰内斯·古斯 , 海克·瑞尔 :
一维InAs纳米线中的弹道输运和高热功率。 341-344 克拉拉·摩尔多瓦 , 沃尔夫冈·维塔莱 , 米歇尔·塔马涅 , 胡安·莫西格 , 阿德里安·伊奥内斯库 :
用于RF IC的高Q可调谐LC组的石墨烯量子电容器。 345-348 艾伦·C·西博 , 克里斯托瓦尔·亚历山德里 , 米娜·阿斯加里·海德罗 , 李华民 , 刘雷涛 , 郝璐 , 萨拉·法蒂波尔 , 保罗·帕莱蒂 , 普拉蒂乌斯·潘迪 , 特隆·伊特达尔 :
陡坡晶体管:隧道FET及其他。 349-351 沃尔夫冈·维塔莱 , 米歇尔·塔马涅 , 克拉拉·摩尔多瓦 , 尼古拉·埃蒙德 , 伊曼纽尔·卡苏 , 卢卡·佩蒂特 , 鲍里斯·勒·德罗戈夫 , 穆罕默德·查克 , 胡安·莫西格 , 阿德里安·伊奥内斯库 :
针对低驱动电压的陡坡VO2开关的现场增强设计。 352-355 纳芙尼特·古普塔 , 亚当·马科西耶 , 安德烈·弗拉迪米雷斯库 , 阿玛拉·阿玛拉 , 科斯汀·安格尔 :
基于9T-TFET位单元的16Kb混合TFET/CMOS可重构CAM/SRAM阵列。 356-359 托马索·罗洛 , 戴维·埃塞尼 :
在铁电MOSFET中进行超陡反向掺杂,以实现低于60mV/dec的阈下摆动。 360-363 乌韦·施罗德 , 米兰佩西奇 , 托尼·申克 , 哈利德·穆拉奥斯马诺维奇 , 斯特凡·斯莱萨泽克 , 约翰内斯·奥克 , 克劳迪娅·里希特 , 叶卡捷琳娜·尤尔库克 , K.Khullar公司 , 约翰内斯·米勒 , 帕特里克·波拉科夫斯基 , E.D.格里姆利 , J.M.勒博 , 斯特凡·弗拉乔夫斯基 , S.Jansen公司 , 萨宾·科洛丁斯基 , 拉尔夫·范·本特姆 , 阿尔弗雷德·科什 , 克里斯托弗·库内斯 , 托马斯·米科拉吉克 :
场循环对基于HfO2的非易失性存储设备的影响。 364-368 弗兰兹·P·G·冯勒 , 米兰佩西奇 , 谢尔盖·斯塔希奇 , 西奥多·施奈勒 , 乌尔里希·博特格 , 托尼·申克 , Min Hyuk公园 , 托马斯·米科拉吉克 , 乌韦·施罗德 :
未来非挥发性FRAM应用中铪基和PZT基铁电体的比较。 369-372 曼纽尔·勒加洛 , 托马斯·图马 , 费德里科·齐波里 , 阿布·塞巴斯蒂安 , 埃文格洛斯·埃利夫特里奥 :
相变存储器中固有的随机性。 373-376 尼古拉·乔奇尼 , 马里奥·劳达托 , 安德烈亚·拉凯塔 , 丹尼尔·伊尔米尼 , 马蒂亚·博尼亚迪 , 恩里科·瓦雷西 , 保罗·范蒂尼 :
双极开关操作的相变存储器(PCM)提高了高温可靠性。 377-380 乔瓦尼·萨尔瓦多 :
软电子和生物降解电子:技术挑战和未来应用。 381-384 博格丹·拉杜卡努 , Refet Firat Yazicioglu公司 , 卡罗琳娜·莫拉·洛佩兹 , 马可·巴利尼 , Jan Putzeys公司 , 王世伟(Shiwei Wang) , 亚历山大·安德烈 , 马琳·韦尔肯休森 , 尼克·范·赫利普特 , 丝绸穆萨 , 罗伯特·普尔斯 , 费比安·克鲁斯特曼 , 克里斯·范·霍夫 , 斯林霍伊·米特拉 :
具有678个并行记录位点的时间复用主动神经探针。 385-388 苏菲·扎法尔 , 德宁 :
用于化学和生物传感的基于双极结晶体管的传感器。 389-392 一、扎多罗日尼 , 斯维特兰娜·维图塞维奇 :
利用栅极耦合效应增强信噪比。 393-396 Katsuhiro Tomioka先生 , Junichi Motohisa公司 , 福井隆志 :
陡坡隧道场效应晶体管的进展。 397-402 Kirsten E.Moselund公司 , D.库塔亚 , 亨茨·施密德 , 海克瑞尔 , 索拉巴·桑特 , 安德烈亚斯·申克 :
互补III-V异质结构隧道FET。 403-407 刘畅(Chang Liu) , 清华大学 , 贾文良 , 基万·纳里马尼 , 斯特凡玻璃 , 安德烈亚斯·蒂德曼 , 斯特凡·特伦坎普 , 余文杰(Wenjie Yu) , 西王 , 齐格弗里德·曼特尔 , 赵庆泰 :
具有抑制双极性的超薄体上的Si n-TFET。 408-411 Devin Verreck公司 , 安妮·S·维尔赫斯特 , 巴特·索里 , 纳丁·科勒特 , 安达·莫库塔 , 亚伦·提安 , 吉多·格罗塞内肯 :
晶格失配异质结构隧道场效应晶体管中的非均匀应变。 412-415 斯蒂芬妮娅·卡拉佩齐 , 恩里科·卡鲁索 , 安东尼奥·格努迪 , 苏珊娜·雷吉亚尼 , 埃琳娜·格纳尼 :
InGaAs UTB MOSFET的TCAD低场迁移率模型,包括准平衡校正。 416-419 阿克塞尔·埃勒巴赫 , K·H·李 , 费边·巴夫勒(Fabian M.Bufler) :
漂移扩散模拟的经验弹道导纳模型。 420-423 加布里埃尔·穆格尼 , F.G.佩雷拉 , 丹尼斯·里多 , 弗朗索瓦·特里翁 , 扬恩·米歇尔·尼奎特 , 马可·帕拉 , D.加雷托 , 克里斯托夫·德勒鲁 :
14nm FDSOI MOSFET中扩散传输的研究:NEGF与QDD。 424-427 普拉蒂克·夏尔马 , 斯坦尼斯拉夫·蒂亚吉诺夫 , 斯图尔特·E·劳赫 , 雅各布·佛朗哥 , 本·卡泽尔 , 亚历山大·马卡罗夫 , 米哈伊尔·维克斯勒 , 蒂博·格拉斯 :
基于漂移扩散的十纳米nMOSFET热载流子退化能量分布函数的分析描述。 428-431 陈阳音 , 克里斯·佩蒂 :
存储类内存应用的ReRAM技术发展。 432-435 吉娜·C·亚当 , 布莱恩·霍斯金斯 , 米尔科·普雷齐奥索 , 法诺德·梅里赫·巴亚特 , Bhaswar Chakrabarti公司 , 德米特里·B·斯特鲁科夫 :
高度均匀的多层ReRAM交叉条电路。 436-439 塞韦林·西德勒 , 艾伦·博伊巴特 , 罗伯特·谢尔比 , 普里蒂什·纳拉亚南 , Jun-Woo Jang先生 , 亚历山德罗·富马罗拉 , Kibong Moon公司 , 优素福·莱布利比奇 , Hyunsang Hwang(黄贤生) , 杰弗里·伯尔 :
以非易失性记忆作为突触权重元素实现的大规模神经网络:电导响应的影响。 440-443 弗朗西斯科·伊瓦尔迪 , 托马斯·比尼克 , 巴维尔·贾努斯 , 耶日·扎雅克 , 彼得亚·格雷比克(Piotr Grabiec) , Wojciech Majstrzyk公司 , D.科皮埃克 , Teodor P.Gotszalk公司 :
具有先进MOEMS读数的多悬臂阵列传感器系统的新方法。 444-447 阿卜杜拉·哈菲兹女士 , 拉克什莫吉·科苏鲁 , 穆罕默德·易卜拉欣·尤尼斯 , 侯赛因·法里博齐 :
基于微机电谐振器的数字逻辑元件。 448-451 埃里克·加西亚·科尔德罗 , 霍尔·盖林 , 阿米拉·穆赫 , 弗朗西斯科·贝兰多 , 阿德里安·伊奥内斯库 :
低功耗pH FinFET传感器与被动式毛细管微流体和微型Ag/AgCl准参考电极的非均匀集成。 452-455 费比安·霍斯特 , 迈克尔·格雷夫 , 费比安·霍森菲尔德 , 阿提埃·法罗赫内贾德 , 弗兰齐斯卡·海恩 , 贾文良 , 赵庆泰 , 本杰明·伊尼格斯 , 亚历山大·克劳斯 :
基于2D计算的双栅隧道FET直流紧凑模型的实现及其在电路仿真中的应用。 456-459 安东尼奥·瓦莱塔 , 马特奥·拉皮萨达 , 萨布丽娜·卡尔维 , 路易吉·马里奇 , 古列尔莫·福图纳托 :
印刷有机薄膜晶体管的大信号非准静态紧凑模型。 460-463 尼古拉·马夫雷达基斯 , 马蒂亚斯·巴彻 :
由于数字波动效应导致的低频噪声变化的紧凑模型。 464-467 亚历斯·查拉 , 尤拉吉·马雷克 , 帕特里克·普里伯蒂尼 , 丹尼尔·多诺瓦尔 :
功率集成电路的先进三维器件和电路电热模拟。 468-471 穆罕默德·纳瓦兹 , 卡勒·伊尔维斯 :
将硅替代为碳化硅:机遇与挑战。 472-475
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