沃尔夫冈·戈斯
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2020年–今天
2023 [第13条] 维克托·斯维尔德洛夫 , 马里奥·本德拉 , 伯恩哈德·普鲁克纳 , 西蒙·佛罗伦萨 , 沃尔夫冈走了 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 :
先进复合磁阻器件的综合建模。 ESSDERC公司 2023 : 93-96 [第12条] 约翰内斯·恩德 , 罗伯托·拉塞尔达·德奥里奥 , 沃尔夫冈·戈斯 , 维克托·斯维尔德洛夫 :
使用强化学习实现高效的SOT辅助STT-MRAM单元切换。 LSSC公司 2023 : 83-90 [第11条] 马里奥·本德拉 , 西蒙·佛罗伦萨 , 约翰内斯·恩德 , R.L.de Orio公司 , 哈达梅克 , 尼尔斯·彼得·约斯塔德 , 伯恩哈德·普鲁克纳 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 , Wolfgang去了 , 维克托·斯维尔德洛夫 :
超尺度MRAM细胞中的反顶现象。 MIPRO公司 2023 : 159-162 2022 [第10条] 西蒙·佛罗伦萨 , 马里奥·本德拉 , 约翰内斯·恩德 , 罗伯托·拉塞尔达·德奥里奥 , 沃尔夫冈走了 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 , 维克托·斯维尔德洛夫 :
超定标MRAM设备中的旋转扭矩。 ESSDERC公司 2022 : 348-351 【c9】 马里奥·本德拉 , 西蒙·佛罗伦萨 , 约翰内斯·恩德 , R.L.de Orio公司 , 哈达梅克 , W.J.湖 , 尼尔斯·佩特·约尔斯塔德 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 , 沃尔夫冈走了 , 维克托·斯维尔德洛夫 :
超尺度MRAM细胞中的自旋传递扭矩。 MIPRO公司 2022 : 129-132 2021 【c8】 沃尔夫冈走了 , D.绿色 , 菲利普·布莱塞 , 朱塞佩·皮科波尼 , 亚历山德罗·布里卡利 , 阿米尔·雷格夫 , 加布里埃尔·莫拉斯 , Jean-Francois诺丁 :
一个综合的基于氧化的ReRAM TCAD模型及其实验验证。 IMW公司 2021 : 1-4 【c7】 马里奥·本德拉 , 约翰内斯·恩德 , 西蒙·费伦蒂尼 , 哈达梅克 , 罗伯托·拉塞尔达·德奥里奥 , 沃尔夫冈走了 , 维克托·斯维尔德洛夫 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 :
MRAM建模的有限元方法。 MIPRO公司 2021 : 70-73 2020 【c6】 阿纳斯塔西亚·克鲁夫 , 本·卡泽尔 , 亚历山大·格里尔 , 马里奥·冈萨雷斯 , 雅各布·佛朗哥 , 迪米特里·林顿 , 沃尔夫冈走了 , 蒂博·格拉斯 , 英格丽德·沃尔夫 :
关于机械应力对栅氧化层陷阱的影响。 红外光谱 2020 : 1-5
2010 – 2019
2019 【c5】 罗伯托·拉塞尔达·德奥里奥 , 亚历山大·马卡罗夫 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 , 沃尔夫冈走了 , 约翰内斯·恩德 , 西蒙·佛罗伦萨 , 维克托·斯维尔德洛夫 :
高级SOT-MRAM无磁层的切换速度。 ESSDERC公司 2019 : 146-149 2018 【j4】 沃尔夫冈走了 , 扬尼克·威默 , Al-Moatasem El Sayed公司 , 格哈德·雷帕 , 马库斯·杰赫 , 亚历山大·施卢格 , 蒂博·格拉斯 :
半导体器件中氧化物缺陷的识别:一种将DFT与速率方程和实验证据联系起来的系统方法。 微电子。 Reliab公司。 87 : 286-320 ( 2018 ) 2015 【c4】 本·卡泽尔 , 雅各布·佛朗哥 , 彼得·威克斯 , 菲利普·罗塞尔 , 埃里克·伯里 , 赵明珠(Moonju Cho) , 罗宾·德雷夫 , 迪米特里·林顿 , 吉多·格罗塞内肯 , 哈利尔·库克纳 , 普拉文·拉加万 , 弗兰基·卡特(Francy Catthoor) , 格哈德·雷帕 , 沃尔夫冈·戈斯 , 蒂博·格拉斯 :
以缺陷为中心的设备和电路可靠性观点——从单个缺陷到电路。 ESSDERC公司 2015 : 218-225 【c3】 蒂博·格拉斯 , M.瓦尔 , Wolfgang去了 , 扬尼克·威默 , Al-Moatasem El-Sayed公司 , 亚历山大·施卢格 , 本·卡泽尔 :
关于氧化物缺陷的挥发性:活化、失活和转化。 红外光谱 2015 : 5 【c2】 格哈德·雷帕 , 沃尔夫冈走了 , 本·卡泽尔 , 蒂博·格拉斯 :
纳米器件可靠性问题的表征和建模。 国际会计准则委员会 2015 : 2445-2448 2014 [c1] 蒂博·格拉斯 , 格哈德·雷帕 , 迈克尔·沃尔特 , 沃尔夫冈走了 , 卡里娜·罗特 , 冈纳尔·安德烈亚斯·罗特 , 汉斯·赖辛格 , 雅各布·佛朗哥 , 本·卡泽尔 :
电荷捕获的表征和建模:从单个缺陷到器件。 ICICDT公司 2014 : 1-4
2000 – 2009
2009 [j3] 斯坦尼斯拉夫·蒂亚吉诺夫 , 维克托·斯维尔德洛夫 , 伊万·斯塔科夫 , 沃尔夫冈·戈斯 , 蒂博·格拉斯 :
O-Si-O键角波动对Si-O断键率的影响。 微电子。 Reliab公司。 49 ( 9-11 ) : 998-1002 ( 2009 ) 2008 [注2] 恩佐·恩格斯博克 , 沃尔夫冈·戈斯 , 悉达多·达尔 , 汉斯·科西纳 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 :
单轴应力对硅的能带结构和电子迁移率的影响。 数学。 计算。 模拟。 79 ( 4 ) : 1071-1077 ( 2008 ) 2007 [j1] 马库斯·卡纳 , 安德烈亚斯·盖林 , M.Wagner(瓦格纳) , 罗伯特·恩特纳 , 斯特凡·霍尔泽 , Wolfgang去了 , M.瓦西塞克 , 蒂博·格拉斯 , 汉斯·科西纳 , 齐格弗里德·塞尔伯赫 :
VSP-门堆栈分析器。 微电子。 Reliab公司。 47 ( 4-5 ) : 704-708 ( 2007 )