马克·海恩斯
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2020年-今天
2024 [i2] Nur K.Alam女士 , Sergiu气候 , 本·卡泽尔 , 菲利普·罗塞尔 , 布莱希特·特鲁伊扬 , 拉尔斯·奥克·拉格纳森 , N.Horiguchi公司 , 马克·海恩斯 , 简·范·霍特 :
铁电体Landau双阱势的过渡态理论解释。 CoRR公司 abs/2404.13138 ( 2024 ) 2022 【c5】 Nur K.Alam女士 , 东日本Yusuke Higashi , 布莱希特·特鲁伊扬 , 本·卡泽尔 , 米哈拉·伊奥纳·波波维奇 , Bj奥沙利文 , 菲利普·罗塞尔 , 罗宾·德雷夫 , 马克·海恩斯 , Jan Van Houdt先生 :
从同步PV和IV测量中了解铁电Hf0.5Zr0.5O2 pFET和nFET的数据保留损失。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 340-342
2010 – 2019
2019 [i1] 贾科莫·塔尔梅利 , 蒂鲍特·德沃尔德 , 尼克·特雷格 , 约翰内斯·弗斯特 , 塞巴斯蒂安·温茨 , 马库斯·维甘德 , 赫尔曼·斯托尔 , 马克·海恩斯 , 吉塞拉·舒茨 , 尤利安娜·拉杜 , 约阿希姆·格拉夫 , 弗洛琳·丘博塔鲁 , 克里斯托夫·阿德尔曼 :
可重构纳米级自旋波多数门,具有频率-方向复用功能。 CoRR公司 abs/1908.02546 ( 2019 ) 2017 【c4】 塔伦·阿加瓦尔 , 巴特·索里 , 尤利安娜·拉杜 , 普拉文·拉格万 , 吉安卢卡·菲奥里 , 马克·海恩斯 , 维姆·德哈内 :
基于二维材料的TFET的材料选择和设备设计指南。 ESSDERC公司 2017 : 54-57 2016 【c3】 塔伦·阿加瓦尔 , 尤利安娜·拉杜 , 普拉文·拉格万 , 吉安卢卡·菲奥里 , 亚伦·提安 , 马克·海恩斯 , 维姆·德哈内 :
材料参数对基于二维材料的TFET的影响:能量延迟视角。 欧洲社会保障监督委员会 2016 : 55-58 2015 [c2] 阿比托什·瓦伊斯 , 科恩·马滕斯 , 雅各布·佛朗哥 , 丹尼斯·林 , 阿里雷扎·阿利安 , 菲利普·罗塞尔 , S.Sioncke公司 , 纳丁·科勒特 , 亚伦·提安 , 马克·海恩斯 , 吉多·格罗塞内肯 , 克里斯汀·德梅耶 :
III-V MOS器件中以交流导纳为特征的边界陷阱与BTI之间的关系。 IRPS公司 2015 : 5 2012 【c1】 雅各布·佛朗哥 , 本·卡泽尔 , 杰罗姆·米塔尔 , 玛丽亚·托莱达诺·卢克 , 费利斯·克鲁皮 , 吉尔特·埃内曼 , J.Rousse博士 , 蒂博·格拉斯 , M.Cho先生 , 托马斯·考劳夫 , 利斯贝斯·威特斯 , 吉尔特·海林斯 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 堀口直人 , 马克·海恩斯 , 吉多·格罗塞内肯 :
用于VLSI逻辑应用的高迁移率SiGe沟道pMOSFET具有卓越的可靠性和降低的时间依赖性可变性。 ICICDT公司 2012 : 1-4
2000 – 2009
2007 【j4】 M.豪萨 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 斯特凡·德根特 , 吉多·格罗塞内肯 , 马克·海恩斯 :
HfSiO(N)基MOSFET中的负偏压温度不稳定性:电特性和建模。 微电子。 Reliab公司。 47 ( 6 ) : 880-889 ( 2007 ) 2005 [j3] G.S.卢扬 , 维姆·马格纳斯 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 斯特凡·库比切克 , 斯特凡·德根特 , 马克·海恩斯 , 克里斯汀·德梅耶 :
模拟介质电荷的远程库仑散射导致的迁移率退化及其对MOS器件性能的影响。 微电子。 Reliab公司。 45 ( 5-6 ) : 794-797 ( 2005 ) 2001 [注2] 赵超 , 格特·罗本 , 雨果·本德 , 爱德华·杨格 , S.Haukka公司 , 米歇尔·侯萨 , 穆罕默德·奈利 , 斯特凡·德根特 , 马克·海恩斯 , 奥马尔·范德比斯特 :
ZrO中的原位结晶 2 高温X射线衍射中的薄膜。 微电子。 Reliab公司。 41 ( 7 ) : 995-998 ( 2001 )
1990 – 1999
合著者索引
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