佐藤裕美
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2020年–今天
2021 [第10条] Higuchi先生 , Takuyo Kodama公司 , 加藤浩二 , 福田良 , Naoya Tokiwa先生 , 安倍晋弘 , 高川Teruo , 清水由纪夫 , Junji Musha先生 , 樱井胜介(Katsuaki Sakurai) , 佐藤裕美 , 内知哲明(Tetsuaki Utsumi) , Kazuhide Yoneya公司 , 松松康弘 , 桥本俊文 , 武士浩(Takeshi Hioka) , Yanagidaira Kosuke , 小岛正寿 , 朱尼娅·松野 , 白石惠 , 山本贤介 , Shintaro Hayashi先生 , 桥口俊浩 , Kazuko Inuzuka公司 , Akio Sugahara公司 , Mitsuaki Honma公司 , Keiji Tsunoda先生 , 山本一弥(Kazumasa Yamamoto) , 杉本高弘 , 富民藤村 , 水井佳彦(Mizuki Kaneko) , Hiroki日期 , 小林治 , Takatoshi Minamoto公司 , 高崎隆一(Ryoichi Tachibana) , 山口Itaru Yamaguchi , 李涓 , 文基·拉马钱德拉 , 斯里尼瓦斯·拉金德拉 , 天宇堂 , 西德赫斯·达恩 , Jiwang Lee(李继旺) , 杰森·李 , Toru Miwa公司 , 山下良治 , 铃原浩 , 直木大沼 , 卡诺Masahiro , Hiroyuki Mizukoshi先生 , Yuki Kuniyoshi先生 , 渡边光裕 , 秋山圭 , 森喜朗 , 阿基拉·阿里米苏 , 吉藤·卡塔诺 , Masakazu Ehama公司 , 前岛浩史 , 细野浩二 , 吉原正弘 :
30.4 170+字行层技术中的1Tb 3b/Cell 3D-Flash内存。 ISSCC公司 2021 : 428-430 2020 [j5] 柴田信郎 , 川端康成 , Taira涉谷 , 马里奥·萨科 , Yanagidaira Kosuke , 桥本俊文 , Hiroki日期 , Manabu佐藤 , 中川富子 , Junji Musha先生 , Takatoshi Minamoto公司 , 神田和治 , 水木Uda , 戴中村 , 樱井胜介(Katsuaki Sakurai) , 山下高弘 , 周杰云 , 高崎隆一(Ryoichi Tachibana) , 高川Teruo , 杉本高弘 , 小川Masatsugu Ogawa , 尤素克·奥奇 , 清水隆宏 , 川口一木 , 小岛正寿 , 小川武史 , 桥口智宏 , 福田良 , Masami Masuda公司 , 川上光一 , Tadashi Someya公司 , 加谷康之 , 松本由纪 , 中井俊彦 , 佐藤Jumpei , 纳马西瓦亚姆·拉古纳坦 , Yee Lih Koh公司 , Shuo Chen(陈硕) , 李涓 , Hiroaki Nasu公司 , 铃原浩 , 细野豪司 , 久田俊治 , 中村拓志 , Osamu Nagao公司 , 小林直树 , Makoto Miakashi公司 , Yasushi Nagadomi公司 , 中野聪 :
基于96瓦线层技术的1.33-Tb 4位/单元3D闪存。 IEEE J.固态电路 55 ( 1 ) : 178-188 ( 2020 ) 【c9】 佐藤裕美 , Kazutoshi Umemoto公司 , 卡佐·戈达 , 吉苏加瓦(Masaru Kitsuregawa) , Naohiro Mitsutake公司 :
从地区医疗保险索赔数据中检索和分析医院服务暂停。 MIE公司 2020 : 407-411
2010 – 2019
2019 【c8】 柴田信郎 , Kazushige神田 , 清水隆宏 , 中井俊彦 , Osamu Nagao公司 , 小林直树 , 三上诚 , Yasushi Nagadomi公司 , 中野武史 , 川端康成 , Taira涉谷 , 马里奥·萨科 , Yanagidaira Kosuke , 桥本俊文 , Hiroki日期 , Manabu佐藤 , 中川富子 , H.高本 , Junji Musha先生 , Takatoshi Minamoto公司 , 水木Uda , 戴中村 , 樱井胜介(Katsuaki Sakurai) , 山下高弘 , 周杰云 , 立谷龙一 , 高川Teruo , 杉本高弘 , 小川美雄 , 尤素克·奥奇 , Kazuaki川口 , 小岛正寿 , 小川武史 , 桥口俊浩 , 福田良 , Masami Masuda公司 , 川上光一 , Tadashi Someya公司 , 川端康成 , 松本由纪 , Naohito Morozumi公司 , 佐藤裕美 , 纳马斯·拉胡纳坦 , Yee Lih Koh公司 , Shuo Chen(陈硕) , 李涓 , Hiroaki Nasu公司 , 铃原浩 , 细野豪司 , 久田俊治 , T.卡内科 , 中村拓志 :
一个基于96 W ord-Line-Layer技术的1.33Tb 4位/单元3D-Flash内存。 ISSCC公司 2019 : 210-212 【c7】 佐藤裕美 , 卡佐·戈达 , 吉苏加瓦(Masaru Kitsuregawa) , 中岛直树 , Naohiro Mitsutake公司 :
通用医疗保险索赔数据库的新型分析框架。 MedInfo公司 2019 : 1578-1579 2018 【j4】 Sara Bersche Golas公司 , Takuma Shibahara公司 , 斯蒂芬·阿布拉 , 大崎弘子 , 佐藤裕美 , 中川达也(Tatsuya Nakae) , 久子彻 , 去小岛 , 詹妮弗·费尔斯特德 , 苏杰·卡卡马思 , 约瑟夫·克维达尔 , 卡迈尔·杰特瓦尼 :
预测心力衰竭患者30天再入院风险的机器学习模型:电子病历数据的回顾性分析。 BMC医学信息学决策。 制造商。 18 ( 1 ) : 44:1-44:17 ( 2018 ) 【c6】 前岛浩史 , Kazushige神田 , 藤村素木 , 高川泰郎 , 小泽苏木 , 佐藤裕美 , Yoshihiko Shindo公司 , Manabu佐藤 , 神奈川直崎 , Junji Musha先生 , 井上佐治 , 樱井胜树 , Naohito Morozumi公司 , 福田良 , 清水由纪夫 , 桥本俊文 , 徐丽 , 清水由纪夫 , 安倍晋一 , 塔达什·靖国 , Takatoshi Minamoto公司 , 吉原浩史 , 山下高弘 , 佐藤和彦 , 杉本高弘 , 河野富美弘 , 安倍晋弘 , 桥口俊浩 , 小岛正寿 , 松松康弘 , 清水隆宏 , 今本明弘 , 小林直树 , Makoto Miakashi公司 , 山口口一郎 , 萨纳德·布什纳克 , Hicham Haibi公司 , 小川Masatsugu Ogawa , 尤素克·奥奇 , 库博塔(Kenro Kubota) , 太极瓦奎 , 东河 , 王伟翰(Weihan Wang) , Hiroe Minagawa先生 , 西内智子 , 郝阮 , Kwang-Ho Kim先生 , Ken Cheah(肯·谢) , Yee Lih Koh公司 , 冯璐 , 文基·拉马钱德拉 , 斯里尼瓦斯·拉金德拉 , 史蒂夫·崔 , 基尔·帕亚克 , 纳马斯·拉胡纳坦 , 斯皮洛斯·乔治亚基斯 , 铃原浩 , Seungpil Lee先生 , Takuya Futatsuyama先生 , 细野豪司 , 柴田信郎 , 久田俊治 , Tetsuya Kaneko公司 , 中村拓志 :
一个512Gb 3b/Cell 3D闪存,采用96瓦线性层技术。 ISSCC公司 2018 : 336-338 2017 [j3] 久田裕一 , 佐藤裕美 , 田中孝行 , Minoru Shinohara公司 , Toshio Tsuji先生 :
无动力感测器增强套装可减少肌肉激活,提高力量感知能力。 IEEE传输。 嗯,马赫。 系统。 47 ( 6 ) : 1158-1163 ( 2017 ) 2016 [注2] 马里奥·萨科 , 渡边吉久 , 中岛高雄 , 佐藤裕美 , 村冈和代(Kazuyoshi Muraoka) , 藤久正树 , 河野富美弘 , 中川美雄 , Masami Masuda公司 , 加藤浩二 , Terada尤里 , 清水由纪夫 , Mitsuaki Honma公司 , 本本明弘 , 阿瑞亚友子(Tomoko Araya) , 哈亚托·科诺 , Takuya Okanaga公司 , 富民藤村 , 王晓庆 , 迈·穆拉莫托 , 滨田正弘 , Masatoshi Kohno公司 , 铃木义雄 , 桥口俊浩 , 小林尊(Tsukasa Kobayashi) , 山冈正史 , 山下良治 :
采用15 nm CMOS技术的低功耗64 Gb MLC NAND闪存。 IEEE J.固态电路 51 ( 1 ) : 196-203 ( 2016 ) 2015 【c5】 马里奥·萨科 , 渡边吉久 , 中岛隆雄 , 佐藤裕美 , 村冈和代(Kazuyoshi Muraoka) , Masaki Fujiu先生 , 福米希罗·库诺 , 中川美雄 , Masami Masuda公司 , 加藤浩二 , 尤里·特拉达 , 清水由纪夫 , Mitsuaki Honma公司 , 本本明弘 , 荒谷智子 , 哈亚托·科诺 , Takuya Okanaga公司 , 富民藤村 , 王晓庆 , 迈·穆拉莫托 , 神田正弘 , Masatoshi Kohno公司 , 铃木义雄 , 桥口俊浩 , 小林尊(Tsukasa Kobayashi) , 山冈Masashi , 山下良治 :
7.1采用15nm CMOS技术的低功耗64Gb MLC NAND闪存。 ISSCC公司 2015 : 1-3 2014 【c4】 久田裕一 , 佐藤裕美 , 田中Takayuki Tanaka , Minoru Shinohara公司 , Toshio Tsuji先生 :
卸载肌肉激活可增强力量感知。 AH(AH) 2014 : 4:1-4:4 2013 【c3】 佐藤裕美 , 竹村和弘 , 山田直辉 , 阿苏希德·基什(Atsuhide Kishi) , 西川一雄 , 塔卡希德·努扎瓦 , Toshio Tsuji先生 , 久田裕一 :
基于转向操作期间肌肉活动估计的主观力感知调查。 SII公司 2013 : 76-81 2012 [j1] 福田康一 , 渡边吉久 , 牧野英一 , 川上光一 , 佐藤裕美 , 高川Teruo , 神奈川直崎 , Hitoshi Shiga先生 , Naoya Tokiwa先生 , Yoshihiko Shindo公司 , 小川武史 , Toshiaki Edahiro公司 , 岩井诚 , Osamu Nagao公司 , Junji Musha先生 , Takatoshi Minamoto公司 , 尤卡·福鲁塔 , Yanagidaira Kosuke , 铃木由雅 , 戴中村 , 细村义介 , 田中丽子 , Hiromitsu Komai公司 , 迈·穆拉莫托 , 去Shikata , Ayako Yuminaka先生 , 樱井清夫 , Manabu Sakai公司 , 洪鼎 , 渡边光裕 , 加藤洋介 , 三河彻 , 亚历克斯·马克 , 中木正郎 , 格特詹·海明克 , 达娜·李 , Masaaki Higashitani公司 , 李新宇和默怀恩 , 薄磊 , 松下康彦 , 清明·纳鲁克(Kiyomi Naruke) , 原高彦 :
151毫米 2 24-nm CMOS技术中的64-Gb 2位/单元NAND闪存。 IEEE J.固态电路 47 ( 1 ) : 75-84 ( 2012 ) 2011 【c2】 福田康一 , 渡边吉久 , 牧野英一 , 川上光一 , 佐藤裕美 , 高川泰郎 , 神奈川直崎 , Hitoshi Shiga先生 , Naoya Tokiwa先生 , Yoshihiko Shindo公司 , Toshiaki Edahiro公司 , 小川武史 , 岩井真一 , Osamu Nagao公司 , Junji Musha先生 , Takatoshi Minamoto公司 , Yanagidaira Kosuke , 铃木由雅 , 戴中村 , 细村义介 , Hiromitsu Komai公司 , 尤卡·福鲁塔 , 迈·穆拉莫托 , 田中丽子 , 去志卡塔 , Ayako Yuminaka先生 , 樱井清夫 , Manabu Sakai公司 , 洪鼎 , 渡边光裕 , 加藤洋介 , Toru Miwa公司 , 亚历克斯·马克 , 中木正郎 , 格特詹·海明克 , 达娜·李 , Masaaki Higashitani公司 , 李新宇和默怀恩 , 薄磊 , 松下康彦 , 清明·纳鲁克(Kiyomi Naruke) , 原高彦 :
A 151毫米 2 采用24nm CMOS技术的64Gb MLC NAND闪存。 ISSCC公司 2011 : 198-199
2000 – 2009
2009 [c1] 崔坤(Cuong Trinh) , 柴田信郎 , 中野武史 , 小川美雄 , 佐藤裕美 , 吉川武山 , Katsuaki Isobe公司 , 平乐 , Farookh Moogat公司 , 尼玛·莫赫莱西 , 小崎贤治 , 帕特里克·洪 , 龟井裕彦 , 岩原清树 , J.Nakai(中井) , 清水隆宏 , Mitsuaki Honma公司 , 酒井信太郎 , Toshimasa川井 , 佐托鲁·霍西 , Jonghak Yuh先生 , 辛西娅·徐 , 太原曾 , 杰森·李 , 胡杰森(Jayson Hu) , 刘先生 , 沙赫扎德·哈立德 , J.Chen(陈) , 渡边光裕 , 洪素林 , 杨俊晖 , K.麦凯 , Khanh Nguyen先生 , Tuan Pham公司 , Y.Matsuda(松田) , K.Nakamura公司 , Kazunori Kanebako公司 , 吉川寿木 , W.Igarashi先生 , 井上Atsushi Inoue , T.高桥 , 小松幸男 , C.铃木 , 金泽Kousuke Kanazawa , Masaaki Higashitani公司 , Seungpil Lee先生 , T.穆赖 , K.Nguyen先生 , 詹姆斯·兰 , 莎伦·休恩 , 马克·穆林 , 马克·什利克 , Menahem Lasser公司 , 劳尔·塞尔尼亚 , 梅赫达德·莫菲迪 , K.舒格勒夫 , 坎德克·奎德 :
43nm CMOS中的5.6MB/s 64Gb 4b/Cell NAND闪存。 ISSCC公司 2009 : 246-247