Jae-Joon Kim先生
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Jae Joon Kim先生 (又名:Jaejoon Kim) — 消歧页
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2020年–今天
2024 【j30】 高钟铉 , 权东旭 , 黄宗宪(Joon Hwang) , 李圭浩 , Seongbin Oh先生 , Jeonghyun Kim(金正勋) , Jiseong我 , Ryun-Han Koo先生 , Jae-Joon Kim先生 , 李宗浩 :
SNNSim:基于闪存器件的大规模模拟峰值神经网络的研究与优化。 高级集成电路。 系统。 6 ( 4 ) ( 2024 ) [公元56年] 金恩华(Eunhwan Kim) , Hyunmyung噢 , 杰亨·李 , 吉洪公园 , Myeongeun Kwon公司 , Jae-Joon Kim先生 :
一种基于10T2C电容SRAM的计算内存宏,具有嵌入阵列的DAC和移位加法功能。 中金公司 2024 : 1-2 [公元55年] Jaeyong Jang先生 , 尤尔瓦·金 , 李菊香 , Jae-Joon Kim先生 :
FIGNA:FP-INT GEMM保持数值精度的基于整数单位的加速器设计。 HPCA公司 2024 : 760-773 [i11] 慧星真 , 尤尔瓦·金 , Jae-Joon Kim先生 :
L4Q:通过LoRA-wise LSQ对大型语言模型进行参数高效量化软件训练。 CoRR公司 abs/2402.04902 ( 2024 ) [i10] 宋继元(Jiwon Song) , Kyungseok噢 , 泰苏·金 , Hyungjun Kim先生 , 尤尔瓦·金 , Jae-Joon Kim先生 :
SLEB:通过冗余验证和消除变压器块来简化LLM。 CoRR公司 abs/2402.09025 ( 2024 ) 2023 [公元29年] Wonjun Shin先生 , Kyung Kyu Min先生 , Jong-Ho Bae先生 , Jaehyeon Kim先生 , Ryun-Han Koo先生 , 权东旭 , Jae-Joon Kim先生 , 大荣权 , 李宗浩 :
1/ (f) 突触铁电隧道结中的噪声:对卷积神经网络的影响。 高级集成电路。 系统。 5 ( 6 ) ( 2023 ) [j28] 泰苏·金 , 大铉安 , 李东洙 , Jae-Joon Kim先生 :
V-LSTM:一种使用固定非零比率维特比剪枝的高效LSTM加速器。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 42 ( 10 ) : 3327-3337 ( 2023 ) [公元27年] 金恩华(Eunhwan Kim) , Hyunmyung噢 , Nameun Kang(姓名) , 纪勋公园 , Jae-Joon Kim先生 :
一种低输入负载SRAM位单元和可调ADC输入范围的电容计算内存电路。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 70 ( 9 ) : 3268-3272 ( 2023 ) [公元26年] Sungju Ryu先生 , Youngtaek哦 , Jae-Joon Kim先生 :
二进制软件:用于二进制神经网络的高性能数字硬件加速器。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 31 ( 12 ) : 2137-2141 ( 2023 ) [公元54年] 李仁万(Inhwan Lee) , 金恩华(Eunhwan Kim) , 康娜蒙 , Hyunmyung噢 , Jae-Joon Kim先生 :
基于增强保留时间的eDRAM单元的内存神经网络加速器。 数模转换器 2023 : 1-6 [c53] Hyunsung Yoon公司 , Jae-Joon Kim先生 :
通过单坐标比较实现点云深度学习的高效采样和分组加速。 国际计算机辅助设计协会 2023 : 1-9 [第52条] 李昌勋 , Hyungjun Kim先生 , 恩惠公园 , Jae-Joon Kim先生 :
INSTA-BNN:具有INSTAnce-aware阈值的二进制神经网络。 ICCV公司 2023 : 17279-17288年 [第51条] 尤尔瓦·金 , Jaeyong Jang先生 , 杰亨·李 , 纪勋公园 , Jeonghoon Kim(金正勋) , 再见,金 , 百盛公园 , Se Jung Kwon先生 , 李东洙 , Jae-Joon Kim先生 :
赢得浮点激活的准确性和整数算法的简单性。 ICLR公司 2023 [公元50年] 尤尔瓦·金 , 东原·乔 , 慧星真 , 泰苏·金 , 大铉安 , Hyungjun Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
利用扩散模型中的早期鲁棒性实现高效高质量的图像合成。 NeurIPS公司 2023 [公元49年] 安大云 , Hyungjun Kim先生 , 泰苏·金 , 恩惠公园 , 金在俊 :
基于双峰参数摄动的鲁棒二元神经网络搜索。 WACV(加权平均值) 2023 : 2409-2418 [第九章] Jiwoong Choi先生 , 金敏奎 , 安大云 , 泰苏·金 , 尤尔瓦·金 , 东原·乔 , 慧星真 , Jae-Joon Kim先生 , 金贤俊 :
移动设备的压缩大尺度扩散模型。 CoRR公司 abs/2307.01193 ( 2023 ) 2022 [公元25年] 金裕华 , Hyungjun Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
模拟计算内存神经网络加速器的极端部分和量化。 ACM J.Emerg.技术。 计算。 系统。 18 ( 4 ) : 75:1-75:19 ( 2022 ) [公元24年] Sungju Ryu先生 , Hyungjun Kim先生 , Wooseok Yi(音) , 金恩华(Eunhwan Kim) , 尤尔瓦·金 , 金泰秀 , Jae-Joon Kim先生 :
BitBlade:量化神经网络的高能效可变位精度硬件加速器。 IEEE J.固态电路 57 ( 6 ) : 1924-1935 ( 2022 ) [公元23年] Sehun公园 , Jae-Joon Kim先生 , Jaeha Kung先生 :
AutoRelax:通过深度学习中的自动放松,实现高效SpGEMM操作的HW-SW协同优化。 IEEE传输。 Emerg.顶部。 计算。 10 ( 三 ) : 1428-1442 ( 2022 ) [公元48年] Nameun Kang(姓名) , Hyungjun Kim先生 , Hyunmyung噢 , Jae-Joon Kim先生 :
TAIM:带6T SRAM阵列的三值激活内存计算硬件。 数模转换器 2022 : 1081-1086 [公元47年] Naebeom公园 , 安大云 , Jae-Joon Kim先生 :
工作负载平衡图注意力网络加速器,具有Top-K聚合候选项。 国际计算机辅助设计协会 2022 : 39:1-39:9 [i8] 李昌勋 , 金贤俊 , 恩惠公园 , Jae-Joon Kim先生 :
INSTA-BNN:具有INSTAnce-aware阈值的二进制神经网络。 CoRR公司 abs/2204.07439 ( 2022 ) 2021 [公元22年] 安大云 , Hyunmyung噢 , Hyungjun Kim先生 , 尤尔瓦·金 , Jae-Joon Kim先生 :
最大化基于MRAM的二元神经网络加速器中字行的并行激活。 IEEE接入 9 : 141961-141969 ( 2021 ) [公元21年] Sungju Ryu先生 , 古俊根(Jongeun Koo) , 伍克·金 , 金永焕 , 金在俊 :
适用于低压操作的可变容限弹性时钟方案。 IEEE J.固态电路 56 ( 7 ) : 2245-2255年 ( 2021 ) [公元20年] Naebeom公园 , Sungju Ryu先生 , Jaeha Kung先生 , Jae-Joon Kim先生 :
在具有3D HBM-like内存的CNN上进行高通量近内存处理。 ACM事务处理。 设计自动。 选举人。 系统。 26 ( 6 ) : 48:1-48:20 ( 2021 ) [公元46年] Hyunmyung噢 , Hyungjun Kim先生 , Nameun Kang(姓名) , 尤尔瓦·金 , 纪勋公园 , Jae-Joon Kim先生 :
用于二进制神经网络的基于单个RRAM单元的内存加速器体系结构。 艾卡斯 2021 : 1-4 [公元45年] 吴贤明 , Hyungjun Kim先生 , 安大云 , 纪勋公园 , 尤尔瓦·金 , 李仁万(Inhwan Lee) , Jae-Joon Kim先生 :
基于能量高效电荷共享的8T2C SRAM内存加速器,用于28nm CMOS中的二进制神经网络。 A-scc 2021 : 1-3 [公元44年] Hyungjun Kim先生 , 吉洪公园 , 李昌勋 , Jae-Joon Kim先生 :
利用非平衡激活分布提高二元神经网络的精度。 CVPR公司 2021 : 7862-7871 [公元43年] Sungju Ryu先生 , Youngtaek噢 , 金泰秀 , 安大云 , Jae-Joon Kim先生 :
SPRITE:具有恒定指数匹配概率的稀疏感知神经处理单元。 日期 2021 : 663-666 [公元42年] 尤尔瓦·金 , Hyungjun Kim先生 , 纪勋公园 , Hyunmyung噢 , Jae-Joon Kim先生 :
使用低位ADC在计算内存硬件上映射二进制ResNets。 日期 2021 : 856-861 [公元41年] Sungju Ryu先生 , Youngtaek噢 , Jae-Joon Kim先生 :
Mobileware:具有通道固定数据流的高性能MobileNet加速器。 国际计算机辅助设计协会 2021 : 1-9 2020 [公元19年] Junki公园 , Wooseok Yi(音) , 安大云 , Jaeha Kung先生 , Jae-Joon Kim先生 :
平衡LSTM加速器中的计算负载和优化输入向量负载。 IEEE传输。 计算。 辅助设计。 集成。 电路系统。 39 ( 9 ) : 1889-1901 ( 2020 ) [公元18年] Wooseok Yi(音) , Junki公园 , Jae-Joon Kim先生 :
GeCo:用于片上半监督学习和贝叶斯推理的分类限制玻尔兹曼机器硬件。 IEEE传输。 神经网络学习。 系统。 31 ( 1 ) : 53-65 ( 2020 ) [公元40年] Sungju Ryu先生 , 金贤俊 , Wooseok Yi(音) , 古俊根(Jongeun Koo) , 金恩万 , 尤尔瓦·金 , 泰苏·金 , Jae-Joon Kim先生 :
用于28nm CMOS量化神经网络的44.1TOPS/W精密可缩放加速器。 中金公司 2020 : 1-4 [公元39年] Haerang Choi先生 , 约塞普·李 , Jae-Joon Kim先生 , Sungjoo Yoo先生 :
一种新的二进制神经网络In-DRAM加速器结构。 冷却碎屑 2020 : 1-3 [公元38年] Hyungjun Kim先生 , 尤尔瓦·金 , Sungju Ryu先生 , Jae-Joon Kim先生 :
最小外围电路开销的内存中神经网络计算的算法/硬件协同设计。 数模转换器 2020 : 1-6 [公元37年] 金泰秀 , 安大云 , Jae-Joon Kim先生 :
V-LSTM:一种使用固定非零比率维特比剪枝的高效LSTM加速器。 可编程门阵列 2020 : 326 [c36] Hyungjun Kim先生 , Hyunmyung噢 , Jae-Joon Kim先生 :
具有输入分布规则化的节能XNOR-free内存BNN加速器。 国际计算机辅助设计协会 2020 : 94:1-94:9 [公元35年] Hyungjun Kim先生 , Kyungsu Kim(金京洙) , Jinseok Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
BinaryDuo:通过耦合二进制激活来减少二进制激活网络中的梯度失配。 ICLR公司 2020 [公元34年] Naebeom公园 , 尤尔瓦·金 , 安大云 , 泰苏·金 , Jae-Joon Kim先生 :
用于LSTM神经网络计算的时间步交错权重重用。 ISLPED公司 2020 : 13-18 [公元33年] Junki公园 , Hyunsung Yoon公司 , 安大云 , Choi准伍 , Jae-Joon Kim先生 :
OPTIMUS:变压器神经网络加速器的优化矩阵复用结构。 ML系统 2020 [公元32年] Jinseok Kim先生 , Kyungsu Kim(金京洙) , Jae-Joon Kim先生 :
统一基于激活和计时的尖峰神经网络学习规则。 NeurIPS公司 2020 [i7] Hyungjun Kim先生 , Kyungsu Kim(金京洙) , Jinseok Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
BinaryDuo:通过耦合二元激活来减少二元激活网络中的梯度失配。 CoRR公司 abs/2002.06517 ( 2020 ) [i6] Jinseok Kim先生 , Kyungsu Kim(金京洙) , Jae-Joon Kim先生 :
统一基于激活和计时的尖峰神经网络学习规则。 CoRR公司 abs/2006.02642 ( 2020 ) [i5] Hyungjun Kim先生 , 纪勋公园 , 李昌勋 , Jae-Joon Kim先生 :
利用不平衡激活分布提高二元神经网络的精度。 CoRR公司 abs/2012.00938 ( 2020 )
2010年至2019年
2019 [公元17年] 古俊根(Jongeun Koo) , 恩惠公园 , 金东英(Dongyoung Kim) , Junki公园 , Sungju Ryu先生 , Sungjoo Yoo先生 , Jae-Joon Kim先生 :
基于触发器的管道的低溢出、单周期定时错误检测和纠正技术。 IEICE电子。 快递 16 ( 11 ) : 20190180 ( 2019 ) [公元16年] 尹世辉 , Jae-sun-Seo先生 , 尤尔瓦·金 , 徐涵 , 休·J·巴纳比 , 施蒙于(Shimeng Yu) , 罗延东 , 王新河 , 孙晓宇 , Jae-Joon Kim先生 :
基于RRAM和CMOS的单片集成内存计算优化,实现高效的深度学习。 IEEE微型 39 ( 6 ) : 54-63 ( 2019 ) [公元15年] 成州柳 , Naebeom公园 , Jae-Joon Kim先生 :
机器学习加速器的前馈-无输出流水线乘法累加单元。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 27 ( 1 ) : 138-146 ( 2019 ) [公元31年] Hyungjun Kim先生 , 尤尔瓦·金 , Jae-Joon Kim先生 :
基于电阻存储器的二进制神经网络硬件的内存批处理规范化。 ASP-DAC公司 2019 : 645-650个 [公元30年] 古俊根(Jongeun Koo) , 金恩华(Eunhwan Kim) , Seunghyun Yoo先生 , 泰苏·金 , Sungju Ryu先生 , Jae-Joon Kim先生 :
基于6T SRAM位单元和增强匹配线箝位的可配置BCAM/TCAM。 A-scc 2019 : 223-226 [公元29年] 古钟根 , Jinseok Kim先生 , Sungju Ryu先生 , Chulsoo Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
用于神经形态处理器快速在线学习的区域高效转座6T SRAM。 中金公司 2019 : 1-4 [公元28年] Sungju Ryu先生 , Hyungjun Kim先生 , Wooseok Yi(音) , Jae-Joon Kim先生 :
BitBlade:具有逐位求和功能的区域和能量高效精确可缩放神经网络加速器。 数模转换器 2019 : 84 [公元27年] Jaeha Kung先生 , Junki公园 , Sehun公园 , Jae-Joon Kim先生 :
Peregrine:LSTM的灵活硬件加速器,具有有限的Synaptic连接模式。 数模转换器 2019 : 209 [公元26年] Wooseok Yi(音) , 尤尔瓦·金 , Jae-Joon Kim先生 :
器件变化对二元神经网络映射到忆阻器横杆阵列的影响。 日期 2019 : 320-323 [公元25年] 安大云 , 李东洙 , 泰苏·金 , Jae-Joon Kim先生 :
双维特比:用于高压缩比的权重编码和用于深层神经网络的快速片上重建。 ICLR(海报) 2019 [公元24年] Jinseok Kim先生 , 古俊根(Jongeun Koo) , 泰苏·金 , 尤尔瓦·金 , Hyungjun Kim先生 , Seunghyun Yoo先生 , Jae-Joon Kim先生 :
使用6T SRAM阵列的区域高效和可变容限内存BNN计算。 VLSI电路 2019 : 118- [i4] Hyungjun Kim先生 , 尤尔瓦·金 , Sungju Ryu先生 , Jae-Joon Kim先生 :
BitSplit-Net:具有位激活功能的多比特深度神经网络。 CoRR公司 abs/1903.09807 ( 2019 ) [i3] Hyungjun Kim先生 , 马尔特·拉施 , 泰富·戈曼 , 安藤隆 , Hiroyuki Miyazoe先生 , Jae-Joon Kim先生 , 约翰·罗岑 , Seyoung Kim先生 :
电阻交叉点阵列上深度神经网络训练的零点漂移技术。 CoRR公司 abs/1907.10228 ( 2019 ) 2018 [公元14年] Hyungjun Kim先生 , 泰苏·金 , Jinseok Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
深度神经网络优化为具有非线性电流电压特性的电阻存储器。 ACM J.Emerg.技术。 计算。 系统。 14 ( 2 ) : 15:1-15:17 ( 2018 ) 【c23】 Junki公园 , Jaeha Kung先生 , Wooseok Yi(音) , Jae-Joon Kim先生 :
通过平衡LSTM加速器中的计算负载,最大限度地提高系统性能。 日期 2018 : 7-12 [公元22年] 李东秀 , 安大云 , 泰苏·金 , Pierce I-Jen Chung(庄一仁) , Jae-Joon Kim先生 :
固定高指数压缩比稀疏矩阵的维特比剪枝。 ICLR(海报) 2018 【c21】 Jinseok Kim先生 , 尤尔瓦·金 , Sungho Kim先生 , 金在俊 :
使用轴突延迟的神经形态硬件上的紧凑卷积映射。 ISLPED公司 2018 : 3:1-3:6 [公元20年] 金裕华 , Hyungjun Kim先生 , 安大云 , Jae-Joon Kim先生 :
电阻横杆存储器阵列节能加速器大型神经网络的输入分割。 ISLPED公司 2018 : 41:1-41:6 [i2] 金裕华 , Hyungjun Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
基于可扩展RRAM的BNN加速器的神经网络-硬件协同设计。 CoRR公司 abs/1811.02187 ( 2018 ) 2017 [第19条] Sungju Ryu先生 , 古俊根(Jongeun Koo) , Jae-Joon Kim先生 :
弹性时钟方法的低设计开销定时误差校正方案。 ISLPED公司 2017 : 1-6 [第18条] 金恩华(Eunhwan Kim) , 米纳·李 , Jae-Joon Kim先生 :
8.2基于带反馈电阻的差分环形振荡器的65nm CMOS中的8Mb/s 28Mb/mJ鲁棒真随机数发生器。 ISSCC公司 2017 : 144-145 [第17条] Wooseok Yi(音) , Junki公园 , Jae-Joon Kim先生 :
GeCo:用于片上学习的分类限制玻尔兹曼机器硬件。 RSP公司 2017 : 30-35 [i1] Hyungjun Kim先生 , 泰苏·金 , Jinseok Kim先生 , Jae-Joon Kim先生 :
深度神经网络优化为具有非线性电流电压特性的电阻存储器。 CoRR公司 abs/1703.10642 ( 2017 ) 2016 [j13] 胰岛素小腿 , Jae-Joon Kim先生 , 林裕翔 , Youngsoo Shin公司 :
用标准时钟元件对管道中的定时误差进行单周期校正。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 24 ( 2 ) : 600至612 ( 2016 ) [第16条] 古俊根(Jongeun Koo) , 恩武松 , 恩惠公园 , 金东英(Dongyoung Kim) , Junki公园 , Sungju Ryu先生 , Sungjoo Yoo先生 , Jae-Joon Kim先生 :
基于触发器的管道中定时误差的区域高效单周期校正方案。 A-SSCC公司 2016 : 137-140 [电子1] Youngsoo Shin公司 , 池英翠 , Jae-Joon Kim先生 , Kiyoung Choi先生 , 里卡多·赖斯 :
VLSI-SoC:可靠性、安全性和低功耗设计——第23届IFIP WG 10.5/IEEE超大规模集成国际会议,VLSI-SoSoC 2015,韩国大田,2015年10月5-7日,修订论文集。 IFIP信息和通信技术进展 483, 施普林格 2016 ,国际标准图书编号 978-3-319-46096-3 [目录] 2015 [公元12年] 胰岛素小腿 , Jae-Joon Kim先生 , Youngsoo Shin公司 :
通过无缝管道操作快速纠正多个错误实现侵略性电压缩放。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 62至I ( 2 ) : 468-477 ( 2015 ) 2014 [第15条] 胰岛素小腿 , Jae-Joon Kim先生 , Youngsoo Shin公司 :
通过1周期误差校正和电压缩放,使管道结构的功耗最小化。 ASP-DAC公司 2014 : 179-184 [第14条] Hayong Kim先生 , 金东英(Dongyoung Kim) , Jae-Joon Kim先生 , Sungjoo Yoo先生 , 李成谷(Sunggu Lee) :
粗粒度气泡剃须刀,利用两相透明闩锁设计的潜力。 日期 2014 : 1-6 2013 [公元11年] 安兰·戈什 , 拉胡尔·拉奥 , Jae-Joon Kim先生 , Ching Te Chuang公司 , 理查德·布朗 :
用于片上过程变化检测的速率监测电路。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 21 ( 9 ) : 1683-1692 ( 2013 ) [第13条] 胰岛素小腿 , 金在俊 , 林裕翔 , Youngsoo Shin公司 :
一种用于低压操作的具有单周期定时误差校正的流水线结构。 ISLPED公司 2013 : 199-204 2012 [第12条] 碧秀媛 , 海丽 , Jae-Joon Kim先生 :
基于STT-RAM的三维堆叠缓存设计的热效应分析与优化。 超大规模集成电路 2012 : 374-379 2011 [公元10年] 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , 拉胡尔·拉奥 , Jae-Joon Kim先生 , 正德庄 :
利用瞬态负位线电压提高SRAM写入能力。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 19 ( 1 ) : 24-32 ( 2011 ) [公元9年] Ik Joon Chang先生 , Jae-Joon Kim先生 , 金正日(Keejong Kim) , 考希克·罗伊 :
用于亚阈值/超阈值操作的鲁棒电平转换器:100 mV至2.5 V。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 19 ( 8 ) : 1429-1437 ( 2011 ) [第11条] 桑菲尔公园 , 金秀英 , 李东洙 , Jae-Joon Kim先生 , 保罗·格里芬 , 考希克·罗伊 :
支持列选择的8T SRAM阵列,支持DVFS处理器的~1R/1W多端口操作。 ISLPED公司 2011 : 303-308 2010 [j8] Niladri Narayan Mojumder先生 , 赛巴尔·穆霍帕迪耶 , Jae-Joon Kim先生 , Ching Te Chuang公司 , 考希克·罗伊 :
基于片上检测和补偿的SRAM自修复。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 18 ( 1 ) : 75至84 ( 2010 ) [第10条] Jae-Joon Kim先生 , 拉胡尔·拉奥 , 基恩武·金 :
不对称SRAM单元的技术-电路协同设计,以提高读取稳定性。 中金公司 2010 : 1-4
2000 – 2009
2009 [j7] Ik Joon Chang先生 , Jae-Joon Kim先生 , 桑菲尔公园 , 考希克·罗伊 :
一种32 kb 10T亚阈值SRAM阵列,采用90 nm CMOS的位交换和差分读取方案。 IEEE J.固态电路 44 ( 2 ) : 650-658 ( 2009 ) [j6] 拉胡尔·拉奥 , 基思·詹金斯 , 金在俊 :
具有完整数字片上测量电路的局部随机变化检测器。 IEEE J.固态电路 44 ( 9 ) : 2616-2623 ( 2009 ) [j5] 阿迪蒂亚·班萨尔 , 拉胡尔·拉奥 , Jae-Joon Kim先生 , 苏菲·扎法尔 , 詹姆斯·H·斯塔西斯 , Ching Te Chuang公司 :
NBTI和PBTI对SRAM静态/动态噪声容限和单元失效概率的影响。 微电子。 Reliab公司。 49 ( 6 ) : 642-649 ( 2009 ) 2008 【c9】 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , 拉胡尔·拉奥 , Jae-Joon Kim先生 , Ching Te Chuang公司 :
基于电容耦合的瞬态负位线电压(Trans-NBL)方案,用于提高纳米技术中SRAM设计的可写性。 国际会计准则委员会 2008 : 384至387 【c8】 Ik Joon Chang先生 , Jae-Joon Kim先生 , 桑菲尔公园 , 考希克·罗伊 :
在90nm CMOS中采用位交叉和差分读取方案的32kb 10T亚阈值SRAM阵列。 ISSCC公司 2008 : 388-389 【c7】 拉胡尔·拉奥 , 基思·詹金斯 , Jae-Joon Kim先生 :
一种用于局部随机变量测量的全数字片上电路。 ISSCC公司 2008 : 412-413 【c6】 阿迪蒂亚·班萨尔 , Jae-Joon Kim先生 , 基恩武·金 , 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , Ching Te Chuang公司 , 考希克·罗伊 :
亚100纳米PDSOI和双栅极技术中的最佳双VT设计。 超大型积体电路设计 2008 : 125-130 【c5】 安兰·戈什 , 拉胡尔·拉奥 , Jae-Joon Kim先生 , Ching Te Chuang公司 , 理查德·布朗 :
使用转速监测电路的片上工艺变化检测。 超大型积体电路设计 2008 : 143-149 【c4】 Niladri Narayan Mojumder先生 , 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , Jae-Joon Kim先生 , Ching Te Chuang公司 , 考希克·罗伊 :
一种具有片上监测和补偿电路的自修复SRAM的设计与分析。 悉尼威立雅运输公司 2008 : 101-106 2007 【j4】 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , 基恩武·金 , Jae-Joon Kim先生 , Shih-Xien-Lo先生 , 拉吉夫·乔希 , Ching Te Chuang公司 , 考希克·罗伊 :
超薄氧化层亚50nm双栅器件中栅到沟道隧穿电流的估算。 微电子。 J。 38 ( 8-9 ) : 931-941 ( 2007 ) 2006 [j3] Chris Hyung Il Kim(金贤日) , Jae-Joon Kim先生 , Ik-Joon Chang先生 , 考希克·罗伊 :
支持PVT的在线缓存泄漏减少功能,提高了读取稳定性。 IEEE J.固态电路 41 ( 1 ) : 170-178 ( 2006 ) [注2] Jae-Joon Kim先生 , 考希克·罗伊 :
部分耗尽硅-绝缘体CMOS技术中的泄漏容限低摆动电路类型。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 14 ( 5 ) : 549-552 ( 2006 ) 【c3】 Ik Joon Chang先生 , Jae-Joon Kim先生 , 考希克·罗伊 :
用于亚阈值逻辑的鲁棒电平转换器设计。 ISLPED公司 2006 : 14-19 2005 [j1] 克里斯·H·金 , Jae-Joon Kim先生 , 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , 考希克·罗伊 :
前向体基低泄漏SRAM缓存:设备、电路和架构考虑因素。 IEEE传输。 超大规模集成电路。 系统。 13 ( 三 ) : 349-357 ( 2005 ) 【c2】 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , 基恩武·金 , Jae-Joon Kim先生 , Shih-Xien-Lo先生 , 拉吉夫·乔希 , Ching Te Chuang公司 , 考希克·罗伊 :
超薄氧化层亚50nm双栅器件和电路中栅泄漏的建模与分析。 ISQED公司 2005 : 410-415 2003 【c1】 克里斯·H·金 , Jae-Joon Kim先生 , 塞巴尔·穆霍帕迪亚 , 考希克·罗伊 :
前向体基低泄漏SRAM缓存:设备和架构考虑因素。 ISLPED公司 2003 : 6至9