野平浩
人员信息
优化列表
2010 – 2019
2016 【j4】 J.Chen(陈) , 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , Hitoshi Wakabayashi先生 , 鹤嘴咀 , 岩井洋 , D.诺哈塔 , 野贺浩(Hiroshi Nohira) , Kuniyuki Kakushima公司 :
洛杉矶 2 哦 三 AlGaN/GaN HEMT栅介质。 微电子。 Reliab公司。 60 : 16-19 ( 2016 ) 2010 [j3] Kuniyuki Kakushima公司 , 冈本康夫 , T.小柳 , M.库达 , 大池清一 , 塔卡玛萨·卡瓦纳戈 , J.宋 , 帕哈特·艾哈迈特 , 野贺浩(Hiroshi Nohira) , 鹤嘴咀 , Nobuyuki Sugii公司 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
La的SrO封顶效应 2 哦 三 /铈硅栅电介质。 微电子。 Reliab公司。 50 ( 三 ) : 356-359 ( 2010 )
2000 – 2009
2008 [注2] 帕哈特·艾哈迈特 , 中川肯塔罗 , Kuniyuki Kakushima公司 , 野贺浩(Hiroshi Nohira) , 鹤嘴咀 , Nobuyuki Sugii公司 , 武藤忠雄 , 岩井洋 :
含La MOSFET的电学特性 2 哦 三 /Y(Y) 2 哦 三 闸门组。 微电子。 Reliab公司。 48 ( 11-12 ) : 1769-1771 ( 2008 ) 2007 [j1] 武藤忠雄 , 野贺浩(Hiroshi Nohira) , S.Shinagawa公司 , M.霍里 , M.凯斯 , 马鲁祖米(T.Maruizumi) :
栅绝缘体上的角分辨光电子能谱。 微电子。 Reliab公司。 47 ( 1 ) : 20-26 ( 2007 )