川端康成
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2020年–今天
2020 [注2] 柴田信郎 , 川端康成 , 涩谷泰拉 , 马里奥·萨科 , Yanagidaira Kosuke , 桥本俊文 , Hiroki日期 , Manabu佐藤 , 中川富子 , Junji Musha先生 , 南本隆俊 , Kazushige神田 , 水木Uda , 戴中村 , 樱井胜介(Katsuaki Sakurai) , 山下高弘 , 周杰云 , 高崎隆一(Ryoichi Tachibana) , 高川Teruo , 杉本高弘 , 小川Masatsugu Ogawa , 尤素克·奥奇 , 清水隆宏 , 川口一木 , 小岛正寿 , 小川武史 , 桥口俊浩 , 福田良 , Masami Masuda公司 , 川上光一 , Someya Tadashi先生 , 川端康成 , 松本由纪 , Jun Nakai(中井俊) , 佐藤裕美 , 纳马西瓦亚姆·拉古纳坦 , Yee Lih Koh公司 , Shuo Chen(陈硕) , 李涓 , Hiroaki Nasu公司 , 铃原浩 , 细野豪司 , 久田俊治 , 中村拓志 , Osamu Nagao公司 , 小林直树 , Makoto Miakashi公司 , Yasushi Nagadomi公司 , 中野聪 :
基于96瓦线层技术的1.33-Tb 4位/单元3D闪存。 IEEE J.固态电路 55 ( 1 ) : 178-188 ( 2020 )
2010 – 2019
2019 【c4】 柴田信郎 , 神田和治 , 清水高弘 , 中井俊彦 , Osamu Nagao公司 , 小林直树 , Makoto Miakashi公司 , Yasushi Nagadomi公司 , 中野武史 , 川端康成 , Taira涉谷 , 马里奥·萨科 , Yanagidaira Kosuke , 桥本俊文 , Hiroki日期 , Manabu佐藤 , 中川富子 , H.高本 , Junji Musha先生 , Takatoshi Minamoto公司 , 乌田美树 , 戴中村 , 樱井胜介(Katsuaki Sakurai) , 山下高弘 , 周杰云 , 高崎隆一(Ryoichi Tachibana) , 高川Teruo , 杉本高弘 , 小川美雄 , 尤素克·奥奇 , 川口一木 , 小岛正寿 , 小川武史 , 桥口俊浩 , 福田良 , Masami Masuda公司 , 川上光一 , Tadashi Someya公司 , 加谷康之 , 松本由纪 , Naohito Morozumi公司 , 佐藤裕美 , 纳马斯·拉胡纳坦 , Yee Lih Koh公司 , Shuo Chen(陈硕) , 李涓 , Hiroaki Nasu公司 , 铃原浩 , 细野豪司 , 久田俊治 , T.Kaneko公司 , 中村拓志 :
一个基于96 W ord-Line-Layer技术的1.33Tb 4位/单元3D-Flash内存。 ISSCC公司 2019 : 210-212 【c3】 昌华小 , Kwang-Ho Kim先生 , Seungpil Lee先生 , 木部胜树 , 柴田信郎 , 卡皮尔·维尔玛 , Takuya Ariki先生 , 杰森·李 , 钟郁 , 阿尼鲁德·阿玛纳斯 , 奎·阮(Qui Nguyen) , Ohwon Kwon先生 , 斯坦利·郑 , 李和光 , 徐华玲 , 太原曾 , 史蒂夫·崔 , 西德赫斯·达恩 , Pradeep Anantula公司 , 亚历克斯·叶 , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , Miwa先生 , 山下实实 , 渡边光裕 , 小一郎·林 , 加藤洋介 , Toru Miwa公司 , 张永康 , 大村正人 , 直木大沼 , 穆拉利克里什纳·巴拉加 , 文基·拉马钱德拉 , 松田昭一 , 斯瓦鲁普·库尔卡尼 , Raghavendra Rachineni公司 , Pai K.Manjunath公司 , 竹原正彦 , 阿尼尔派 , 斯里尼瓦斯·拉金德拉 , 久田俊治 , 福田良 , Naoya Tokiwa先生 , 川口一木 , 山冈Masashi , 小井广光 , Takatoshi Minamoto公司 , Masaki Unno公司 , 小泽苏木 , 中村拓志 , 久田富武 , 川端康成 , 雷琳 :
一个512Gb 3位/单元的128 W层3D闪存,具有132MB/s的写入性能,采用了电路阵列技术。 ISSCC公司 2019 : 218-220 2013 [j1] Kazushige神田 , 柴田信郎 , 久田俊治 , Katsuaki Isobe公司 , Manabu佐藤 , 清水鱼(Yui Shimizu) , 清水隆宏 , 杉本高弘 , 小林友弘 , 神奈川直崎 , 川端康成 , 小川武史 , 岩原清树 , 小岛正寿 , 铃木俊弘 , 铃木由雅 , 酒井信太郎 , 富民藤村 , 宇都宫育子 , 桥本俊文 , 小林直树 , 松本由纪 , 井上佐治 , 铃木义雄 , 本田康彦 , 加藤洋介 , Shingo Zaitsu公司 , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , 渡边美之 , 洪鼎 , 直木大沼 , 山下良治 :
19纳米112.8毫米 2 64 Gb多级闪存,带400 Mbit/sec/pin 1.8 V切换模式接口。 IEEE J.固态电路 48 ( 1 ) : 159-167 ( 2013 ) 2012 【c2】 柴田信郎 , Kazushige神田 , 久田敏树 , Katsuaki Isobe公司 , Manabu佐藤 , 清水鱼(Yui Shimizu) , 清水高弘 , 杉本高弘 , 小林友弘 , Kazuko Inuzuka公司 , 神奈川直明 , 川端康成 , 小川武史 , J.中井 , 岩原清树 , 小岛正寿 , 铃木俊弘 , 铃木由雅 , 酒井信太郎 , 富民藤村 , 宇都宫育子 , 桥本俊文 , Makoto Miakashi公司 , 小林直树 , M.稻垣祯一 , 松本由纪 , 井上佐治 , 铃木义雄 , D.他 , 本田康彦 , Junji Musha先生 , 中川正树 , Mitsuaki Honma公司 , Abiko直文 , Mitsumasa Koyanagi公司 , 吉原正弘 , 井上和美 , 野口三郎 , 龟井裕彦 , 加藤洋介 , Shingo Zaitsu公司 , Hiroaki Nasu公司 , Takuya Ariki先生 , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , 渡边光裕 , 洪鼎 , 直木大沼 , 山下良治 , G.梁 , 格特詹·海明克 , Farookh Moogat公司 , 崔坤(Cuong Trinh) , Masaaki Higashitani公司 , Tuan Pham公司 , 金泽晃介 :
19纳米112.8毫米 2 64Gb多级闪存,带400Mb/s/pin 1.8V切换模式接口。 ISSCC公司 2012 : 422-424
2000 – 2009
2009 【c1】 Takuya Futatsuyama先生 , 藤田北弘 , Naoya Tokiwa先生 , Yoshihiko Shindo公司 , Toshiaki Edahiro公司 , 龟井裕彦 , Hiroaki Nasu公司 , 岩井真一 , 加藤浩二 , 福田康夫 , 神奈川直崎 , 纳富米·阿比科 , 松本Masahide Matsumoto , 东山俊彦 , 桥本俊文 , 刘怡青 , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , 本井隆明(Takamitsu Hori) , Manabu Sakai公司 , 洪鼎 , 武内义郎(Yoshiharu Takeuchi) , Hitoshi Shiga先生 , 川村正美(Norifumi Kajimura) , 川端康成 , 樱井清夫 , 柳代幸介 , 铃木俊弘 , 南池裕子 , 富民藤村 , 曼梅 , 郝阮 , Seungpil Lee先生 , 亚历克斯·马克 , 杰弗里·卢茨 , Tooru Maruyama先生 , 渡边俊彦 , 原高彦 , 大岛茂原 :
113mm2 32Gb 3b/单元NAND闪存。 ISSCC公司 2009 : 242-243
合著者索引
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