Sourindra Chaudhuri公司
人员信息
优化列表
2010 – 2019
2016 [j3] Sourindra M.Chaudhuri先生 , 尼拉杰·K·贾 :
使用多参数非对称FinFET的超低泄漏和高性能逻辑电路设计。 ACM J.Emerg.技术。 计算。 系统。 12 ( 4 ) : 43:1-43:25 ( 2016 ) 【c4】 Sourindra Chaudhuri公司 , Ajay N.Bhoj , 德巴吉特·巴塔查里亚 , 尼拉杰·K·贾 :
使用辅助加速机制模拟过程电压变化下的快速FinFET器件。 超大规模集成电路 2016 : 300-305 2014 [注2] 苏琳德拉·乔杜里 , 尼拉杰·K·贾 :
PVT变化下FinFET逻辑门的3D与2D器件模拟。 ACM J.Emerg.技术。 计算。 系统。 10 ( 三 ) : 26:1-26:19 ( 2014 ) [j1] 苏琳德拉·乔杜里 , Prateek Mishra公司 , 尼拉杰·K·贾 :
使用响应面方法准确估计PVT变化下FinFET标准电池的泄漏/延迟。 ACM J.Emerg.技术。 计算。 系统。 11 ( 2 ) : 19:1-19:20 ( 2014 ) 【c3】 Sourindra Chaudhuri公司 , 尼拉杰·K·贾 :
不同FinFET类型的FinFET逻辑电路优化:电源电压越高,功率越低。 超大规模集成电路 2014 : 476-482 2012 【c2】 Sourindra Chaudhuri公司 , Prateek Mishra公司 , 尼拉杰·K·贾 :
使用响应面方法精确估计FinFET标准电池的泄漏。 超大型积体电路设计 2012 : 238-244 2011 【c1】 Sourindra Chaudhuri公司 , 尼拉杰·K·贾 :
工艺变化下FinFET逻辑门的3D与2D分析。 ICCD公司 2011 : 435-436