埃芬迪·勒奥班东
人员信息
优化列表
2020年–今天
2024 [i1] 瓦西里斯·卡兰齐斯 , 马克·斯奎兰特 , 沙珊卡·乌巴鲁 , 泰富·戈曼 , 柴华武 , 安苏尔·古普塔 , 哈伊姆·艾夫伦 , 托马斯·诺维基 , 马尔特·拉什 , O.穆拉特·奥宁 , 瓦妮莎·洛佩斯·马拉罗 , 埃芬迪·勒奥班东 , Yasuteru Kohda公司 , 威尔弗里德·汉斯 , 利奥尔·霍雷什 以下为:
可持续机器智能计算的多功能多路模拟技术。 CoRR公司 abs/2401.13754 ( 2024 ) 2020 【c4】 埃芬迪·勒奥班东 , 马尔特·拉什 , Y.Li(李彦宏) 以下为:
用于并行卷积神经网络训练的同步模拟电容阵列。 MWSCAS公司 2020 以下为: 387-390
2010 – 2019
2017 【c3】 爱德华·卡地亚 , 阿特里亚·马朱姆达尔 , K.-T.李 , 安藤隆 , 马丁·M·弗兰克 , 约翰·罗森 , 基思·詹金斯 , C.梁 , C.-W.Cheng先生 , 约翰·布鲁利 , M.霍普斯塔肯 , 普拉尼塔·科尔伯 , J.-B.姚 , 十、太阳 , R.T.莫 , Chun-Chen Yeh先生 , 埃芬迪·勒奥班东 , 维杰·纳拉亚南 以下为:
In0.53Ga0.47As薄通道中的电子迁移率。 ESSDERC公司 2017 以下为: 292-295 2015 [c2] 波亚·哈希米 , 安藤隆 , 卡提克·巴拉克里希南(Karthik Balakrishnan) , 约翰·布鲁利 , 塞巴斯蒂安·恩格尔曼 , 约翰·奥特 , 维杰·纳拉亚南 , D.-G.公园 , 蕾妮·T·莫 , 埃芬迪·勒奥班东 以下为:
高迁移率高Ge含量的Si1-xGex-OI PMOS FinFET,翅片采用3D锗冷凝形成,Ge分数高达x~0.7,按比例EOT~8.5º和~10nm翅片宽度。 超大规模集成电路 2015 以下为: 16-