王阳源
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2020年-今天
2022 【j30】 杨梦萱 , 后代黄签签 , 张素(Chang Su) , 梁晨 , 王阳源 , 如黄 :
铁电晶体管负微分电容栅电压范围的实验研究。 科学。 中国信息科学。 65 ( 6 ) : 1-2 ( 2022 ) [公元29年] 杨梦萱 , 后代黄签签 , 王开封 , 张素(Chang Su) , 梁晨 , 王阳源 , 如黄 :
负电容FET亚阈值摆幅退化行为的物理研究。 科学。 中国信息科学。 65 ( 6 ) : 1-6 ( 2022 ) 2021 [公元28年] 王志轩 , 张浩(Hao Zhang) , 张一翰 , 沈林晓(Linxiao Shen) , Jiayoon Ru公司 , 海涛扇 , 谭志超 , 王阳源 , 乐业 , 如黄 :
使用异步无时钟流水线事件驱动体系结构和时间屏蔽级交叉ADC的具有57-75-nW唤醒功能的软件定义Always-On系统。 IEEE J.固态电路 56 ( 9 ) : 2804-2816 ( 2021 ) [公元27年] 王志轩 , 刘莹(音) , 彭周 , 谭志超 , 海涛扇 , 张一翰 , 沈林晓(Linxiao Shen) , Jiayoon Ru公司 , 王阳源 , 乐业 , 如黄 :
使用基于异步脉冲的特征提取器和卷积神经网络的148-nW可重构事件驱动AIoT节点智能唤醒系统。 IEEE J.固态电路 56 ( 11 ) : 3274-3288 ( 2021 ) [公元26年] 王志轩 , 乐业 , 后代黄签签 , 杜凯轩 , 谭志超 , 王阳源 , 如黄 :
使用混合TFET-MOSFET标准单元拓扑和优化的数字前端过程改进超低功耗和性能的逻辑电路。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 68 ( 三 ) : 1160-1170 ( 2021 ) [公元25年] 王志轩 , 乐业 , 后代黄签签 , 王阳源 , 如黄 :
使用新的评估标准和无模型方法从电路层面重新评估陡坡设备设计。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 68 ( 4 ) : 1624-1635 ( 2021 ) [公元24年] 乐业 , 王志轩 , 刘莹(音) , 陈佩玉 , 李和一 , 张浩(Hao Zhang) , 孟武 , 魏赫 , 沈林晓(Linxiao Shen) , 张一翰 , 谭志超 , 王阳源 , 如黄 :
低功耗人工智能物联网系统的挑战和新兴技术。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 68 ( 12 ) : 4821-4834 ( 2021 ) [第12条] 王志轩 , 乐业 , 刘莹(音) , 彭周 , 谭志超 , 海涛扇 , 张一翰 , Jiayoon Ru公司 , 王阳源 , 如黄 :
12.1一种用于AIoT设备的148nW通用事件驱动智能唤醒芯片,使用基于异步尖峰的特征提取器和卷积神经网络。 ISSCC公司 2021 : 436-438 2020 [第11条] 王志轩 , 乐业 , 郝占q , 茹佳音 , 海涛扇 , 王阳源 , 如黄 :
20.2用于物联网设备的57nW软件定义Always-On-Wake-Up芯片,具有异步流水线事件驱动架构和时间屏蔽级交叉ADC。 ISSCC公司 2020 : 314-316
2010 – 2019
2019 [第10条] 王志轩 , 袁忠 , 程晨 , 乐业 , 后代黄签签 , 李伯阳 , 王阳源 , 如黄 :
用于改进综合性能的标准逻辑单元的超低功耗混合TFET-MOSFET拓扑。 国际会计准则委员会 2019 : 1-5 [i1] Zhe Zhang(张哲) , 王润身 , 程晨 , 后代黄签签 , 王阳元 , 程虎 , 吴德煌 , 小王(Joddy Wang) , 如黄 :
新一代设计技术协同优化(DTCO):机器学习辅助建模框架。 CoRR公司 abs/1904.10269 ( 2019 ) 2018 [公元23年] 郭少峰 , 王润身 , 任鹏鹏 , 刘长泽 , 穆龙洛 , 江晓波 , 王阳元 , 如黄 :
纳米CMOS器件中NBTI诱导的动态变化研究:建模、实验证据和对电路的影响。 微电子。 Reliab公司。 81 : 101-111 ( 2018 ) 【c9】 郭少峰 , 林正汉(音) , 王润身 , 张泽萱 , Zhe Zhang(张哲) , 王阳元 , 如黄 :
纳米级FinFET中随机电报噪声(RTN)的振幅耦合效应研究。 IRPS公司 2018 : 6-1 【c8】 郭少峰 , 林正汉(音) , 王润身 , 毛东元 , 王阳源 , 如黄 :
SRAM V评估 最小值 随机电报噪声(RTN)引起的偏移:物理理解和预测方法。 国际会计准则委员会 2018 : 1-4 2017 【c7】 郭少峰 , 王润身 , 卓庆余 , 彭浩 , 任鹏鹏 , 王阳元 , 廖思玉 , 黄春怡 , 郭天雷 , 阿尔文·陈 , 解居山 , 如黄 :
面向纳米FinFET技术中的可靠性感知电路设计:新一代老化模型和电路可靠性模拟器。 国际计算机辅助设计协会 2017 : 780-785 2016 【c6】 金凤康 , 彭黄 , 哲晨 , 赵宇迪(Yudi Zhao) , 陈柳 , 韩润泽 , 刘立峰(Lifeng Liu) , 刘晓燕 , 王阳源 , Bin Gao公司 :
氧化物-RRAM电阻开关特性的物理理解和优化。 ESSDERC公司 2016 : 154-159 2015 [公元22年] 王一笑 , 乐业 , 廖怀林 , 如黄 , 王阳源 :
用于65-nm CMOS多标准无线接收机的高可配置模拟基带。 IEEE传输。 电路系统。 II快速简报 第62页-第II页 ( 三 ) : 296-300 ( 2015 ) 2014 [公元21年] 龙晨 , 王一笑 , 王川(音译) , 王佳怡 , 丛音诗 , 玄凯翁 , 乐业 , 刘俊华 , 廖怀林 , 王阳源 :
A 4.2毫米 2 65 nm CMOS中的72 mW多标准直接转换DTV调谐器。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 第61-I页 ( 1 ) : 280-292 ( 2014 ) 【c5】 如黄 , 蔡一毛 , 刘叶凡 , 白文良 , 匡永边 , 王阳源 :
用于灵活应用的有机存储设备中的电阻开关。 国际会计准则委员会 2014 : 838-841 2013 [公元20年] 王润身 , 陶瑜 , 如黄 , 王阳源 :
短通道效应对纳米晶体管中随机阈值电压变化的影响。 科学。 中国信息科学。 56 ( 6 ) : 1-7 ( 2013 ) [公元19年] 湛湛 , 后代黄签签 , 如黄 , 姜文哲 , 王阳源 :
一种具有改进的通态电流的梳状栅硅隧穿场效应晶体管。 科学。 中国信息科学。 56 ( 7 ) : 1-6 ( 2013 ) [公元18年] 乐业 , 丛音诗 , 廖怀林 , 如黄 , 王阳源 :
使用低主推挽运算放大器的宽带范围高功率效率有源RC滤波器。 IEEE传输。 电路系统。 我是Regul。 巴普。 60-I型 ( 1 ) : 95-107 ( 2013 ) 2012 [公元17年] 郑嘉鹏 , 魏丽 , 陆雪青 , 程玉华 , 王阳源 :
一种基于环形振荡器结构的低功耗、小面积全数字延迟锁相环。 科学。 中国信息科学。 55 ( 2 ) : 453-460 ( 2012 ) [公元16年] 吴玲娟 , 詹妮弗·特雷佐 , 迪巴·米尔扎 , 保罗·罗伯茨 , 朱尔斯·贾菲 , 王阳源 , 瑞安·卡斯特纳 :
为水下传感器网络设计一种自适应声学调制解调器。 IEEE嵌入。 系统。 莱特。 4 ( 1 ) : 1-4 ( 2012 ) [公元15年] 董志华 , 王金燕(Jinyan Wang) , 程佩文 , 刘圣厚 , 瘤胃功 , Min Yu(音译) , 郝一龙 , 徐福君(Fujun Xu) , 博深 , 王阳源 :
AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触的高温诱导失效。 微电子。 Reliab公司。 52 ( 2 ) : 434-438 ( 2012 ) 2011 [公元14年] 王阳源 :
未来IC和系统发展的驱动力:降低功耗,提高性能与功耗的比率。 科学。 中国信息科学。 54 ( 5 ) : 915-935 ( 2011 ) [j13] 何延东 , Xing Zhang(音译) , 王阳源 :
65nm节点栅介质离子氮化SiON的工艺优化。 科学。 中国信息科学。 54 ( 12 ) : 2673-2679 ( 2011 ) [公元12年] 如黄 , 王润身 , 刘长泽 , 张良良 , 荆诸葛 , 于涛 , 邹金斌 , 刘玉超 , 王阳源 :
HCI和NBTI在栅极全圆硅纳米线晶体管中诱导退化。 微电子。 Reliab公司。 51 ( 9-11 ) : 1515-1520 ( 2011 ) 【c4】 如黄 , 王润身 , 诸葛京 , 刘长泽 , 陶瑜 , 张良良 , Xin Huang(新黄) , 艾宇杰 , 邹金斌 , 刘玉超 , 范洁文 , 廖怀林 , 王阳源 :
用于极端缩放的栅极全圆形硅纳米线晶体管的特性和分析。 中金公司 2011 : 1-8 2010 [公元11年] 李明(音) , 金凤康 , 王阳元 :
一种用于低功耗非易失性存储器的新型电压型感测放大器。 科学。 中国信息科学。 53 ( 8 ) : 1676-1681 ( 2010 ) [公元10年] 刘伟(音译) , 李伟(Ruth) , 彭仁 , 林庆龙 , 张胜东 , 王阳源 :
带有耦合TDC和DCO的PVT容错10至500 MHz全数字锁相环。 IEEE J.固态电路 45 ( 2 ) : 314-321 ( 2010 ) [公元9年] 乐业 , 廖怀林 , 费松 , 姜晨 , 陈丽 , 赵金树 , 刘瑞强 , 王川(音译) , 丛音诗 , 刘俊华 , 如黄 , 王阳源 :
适用于中国移动应用的单片CMOS超高频RFID读卡器收发器。 IEEE J.固态电路 45 ( 7 ) : 1316-1329 ( 2010 ) [j8] 王健(Jian Wang) , 王文华 , 如黄 , 裴云鹏 , 薛寿斌 , 王新安 , 范春晖 , 王阳源 :
恶化的辐射效应影响多指结构MOS晶体管的特性。 微电子。 Reliab公司。 50 ( 8 ) : 1094-1097 ( 2010 )
2000 – 2009
2009 [j7] 如黄 , 吴汉明 , 金凤康 , 德元萧 , 史雪龙 , 夏安 , 于田 , 王润身 , 张良良 , Xing Zhang(音译) , 王阳元 :
22 nm及以上CMOS技术的挑战。 科学。 中国Ser。 F信息科学。 52 ( 9 ) : 1491-1533 ( 2009 ) 2008 [j6] 王阳元 , Xing Zhang(音译) , 刘晓燕 , 如黄 :
用于32 nm CMOS技术及更高技术的新型器件和工艺。 科学。 中国Ser。 F信息科学。 51 ( 6 ) : 743-755 ( 2008 ) 2007 【c3】 滕林(Teng Lin) , 冯建华 , 王阳源 :
一种新的多扫描设计测试数据压缩方案。 超大规模集成电路 2007 : 179-185 2006 [j5] Fengyi(Fred)Huang(弗雷德) , 经学路 , 南江 , 张晓文 , 吴文刚 , 王阳源 :
片上螺旋电感的频率无关非对称双$pi$等效电路:基于物理的建模和参数提取。 IEEE J.固态电路 41 ( 10 ) : 2272-2283 ( 2006 ) [c2] 金河 , Xing Zhang(音译) , 张刚刚(Ganggang Zhang) , Mansun Chan先生 , 王阳源 :
纳米级无掺杂环绕栅MOSFET的完全基于载流子的非电荷表分析理论。 ISQED公司 2006 : 115-120 【c1】 金河 , Xing Zhang(音译) , 张刚刚(Ganggang Zhang) , 王阳源 :
一种基于载流子的非掺杂(轻掺杂)超薄体硅绝缘体MOSFET分析模型。 ISQED公司 2006 : 127-132 2003 【j4】 如黄 , 王金燕(Jinyan Wang) , 金河 , Min Yu(音译) , Xing Zhang(音译) , 王阳源 :
通过栅二极管配置测量SOI动态阈值电压nMOSFET(n-DTMOSFET)中的热载流子退化行为。 微电子。 Reliab公司。 43 ( 5 ) : 707-711 ( 2003 ) 2002 [j3] 金河 , Xing Zhang(音译) , 如黄 , 王阳源 :
应用前向栅二极管R-G电流法提取SOI NMOSFET中F-N应力诱导的界面陷阱。 微电子。 Reliab公司。 42 ( 1 ) : 145-148 ( 2002 ) 2001 [注2] 如黄 , 威海卜 , Xing Zhang(音译) , 王阳源 :
具有横向非均匀掺杂分布的深亚微米SOI驱动栅控混合晶体管的准二维亚阈值电流模型。 科学。 中国Ser。 F信息科学。 44 ( 1 ) : 60-67 ( 2001 ) [j1] 金河 , Xing Zhang(音译) , 如黄 , 王阳源 :
采用新型组合栅二极管技术提取MOSFET中界面陷阱的横向分布。 微电子。 Reliab公司。 41 ( 12 ) : 1953-1957 ( 2001 )
合著者索引
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