长南公园
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2020年–今天
2022 [j3] Taejoong宋 , 胡基·金 , Woojin边缘 , 哈基尔·荣格 , 长南公园 , 英哈克·李 , Sanghoon Baek公司 , 容光焕 :
一种3-nm门全向SRAM,具有自适应双位线和自适应蜂窝功率辅助电路。 IEEE J.固态电路 57 ( 1 ) : 236-244 ( 2022 ) 2021 [注2] Hanwool Jeong公司 , 金泰贤(Tae Hyun Kim) , 长南公园 , 胡基·金 , Taejoong宋 , Seong-Ook Jung先生 :
基于宽范围静态无电流镜的LS,具有近阈值操作的逻辑错误检测。 IEEE J.固态电路 56 ( 2 ) : 554-565 ( 2021 )
2010 – 2019
2019 [j1] Hanwool Jeong公司 , Se Hyeok噢 , Tae Woo哦 , 胡基·金 , 长南公园 , Woojin边缘 , Taejoong宋 , Seong-Ook Jung先生 :
用于$V_{\mathrm{MIN}}$的位线电荷回收SRAM写入辅助电路的改进和节能。 IEEE J.固态电路 54 ( 三 ) : 896-906 ( 2019 ) 【c4】 英哈克·李 , Hanwool Jeong公司 , Sangyeop Baeck公司 , 悉达哈斯·古普塔 , 长南公园 , 东旭 , 崔杰生(Jaeseung Choi) , 金在阳 , Hoon Kim先生 , 郑明康(Jungmyung Kang) , Sunyung Jang先生 , 大阳月亮 , Sangshin Han先生 , Taehyung Kim公司 , 林杰云(Jaehyun Lim) , Younghwan公园 , Hyejin黄 , 郑成康 , Taejoong宋 :
电压和温度跟踪SRAM辅助支持740mV双轨偏移,用于7nm EUV FinFET技术中的低功率和高性能应用。 ISSCC公司 2019 : 392-394 2018 【c3】 Taejoong宋 , 容光焕 , Woojin边缘 , 胡基·金 , 金永浩(Yongho Kim) , 长南公园 , Jeongho道 , 成云公园 , 赵成伟(Sungwee Cho) , 郑贤泽 , Bongjae Kwon先生 , Hyun-Su Choi先生 , 崔杰生(Jaeseung Choi) , Jong Shik Yoon先生 :
一种7nm FinFET SRAM,使用EUV光刻技术和双写驱动辅助电路,用于低压应用。 ISSCC公司 2018 : 198-200 【c2】 Woong Choi先生 , 琼森公园 , 胡基·金 , 长南公园 , Taejoong宋 :
将内容寻址存储器与基于电荷共享的选择性匹配线预充电方案进行了一半和一半的比较。 VLSI电路 2018 : 17-18 2017 【c1】 Taejoong宋 , 胡基·金 , Woojin边缘 , 金永浩(Yongho Kim) , 成云公园 , 长南公园 , 民顺红 , 杨吉永 , Jeongho道 , 林金英(Jinyoung Lim) , 李承英 , 英格姆·金 , Sanghoon Baek公司 , 容光焕 , 大云哈 , 张贤松 , Taejung Lee公司 , 楚洪公园 , Bongjae Kwon先生 , 郑贤泽 , 赵成伟(Sungwee Cho) , Yongjae Choo(周永杰) , 崔杰生(Jaeseung Choi) :
12.2使用EUV光刻技术进行外围修复分析的7nm FinFET SRAM宏。 ISSCC公司 2017 : 208-209
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