林金英(Jinyoung Lim)
人员信息
优化列表
![笔记](https://dblp.uni-trier.de/img/note-mark.dark.12x12.png)
2020年–今天
2023 【c3】 Seungyoung Lee(李承扬) , Sungyup Jung先生 , Yunkyeong Jang先生 , Jungho道 , 余继苏(Jisu Yu) , Hyeoungyu You(许勇宇) , Minjae Jeong女士 , 林金英(Jinyoung Lim) , 韩继云 , Sangdo公园 , 金永德 , Jooyeon Kwon先生 , 胡基·金 , Seiseung Yoon公司 :
使用BSPDN和标准单元变量的突破性设计技术协同优化,以最大限度地提高区块级PPA。 超大规模集成电路技术与电路 2023 : 1-2 2022 【c2】 杨吉英(Giyoung Yang) , 哈基尔·荣格 , 林金英(Jinyoung Lim) , Jaewoo Seo公司 , 英格姆·金 , 余继苏(Jisu Yu) , Hyeoungyu You(许勇宇) , Jeongsoon Kong公司 , 加鲁姆·金 , Minjae Jeong女士 , 昌熙公园 , 塞拉·安 , Woojin边缘 , Hayong Kim先生 , 达希·李 , Sanghoon Baek公司 , 容光焕 , Taejoong宋 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) :
3nm GAA工艺中采用先进MOL技术的标准电池设计优化。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 363-364
2010 – 2019
2017 【c1】 Taejoong宋 , 胡基·金 , Woojin边缘 , 金永浩(Yongho Kim) , 成云公园 , 长南公园 , Minsun Hong公司 , 杨吉永 , Jeongho道 , 林金英(Jinyoung Lim) , Seungyoung Lee(李承扬) , 英格姆·金 , Sanghoon Baek公司 , 容光焕 , 大云哈 , 张贤松 , Taejung Lee公司 , 楚洪公园 , Bongjae Kwon先生 , 荣贤泰 , 赵成伟(Sungwee Cho) , Yongjae Choo(周永杰) , 崔杰生(Jaeseung Choi) :
12.2使用EUV光刻进行外围修复分析的7nm FinFET SRAM宏。 ISSCC公司 2017 : 208-209
合著者索引
![](https://dblp.uni-trier.de/img/cog.dark.24x24.png)