阿迪蒂亚·贾帕
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2020年–今天
2023 [j7] Renuka Chowdary Bheemana公司 , 阿迪蒂亚·贾帕 , 西瓦·桑卡·叶兰帕利 , 拉梅什·瓦德迪 :
基于负电容FET的节能和抗DPA攻击的超轻型分组密码设计。 微电子。 J。 133 : 105711 ( 2023 ) 【c7】 阿迪蒂亚·贾帕 , 张继良 , 刘伟强 , 顾崇雁 :
基于处理器的近似计算内在PUF设计:信念还是现实? 亚洲主持人 2023 : 1-6 2022 [j6] Renuka Chowdary Bheemana公司 , 阿迪蒂亚·贾帕 , 西瓦·桑卡·叶兰帕利 , 拉梅什·瓦迪 :
用于节能和硬件安全逻辑设计的负电容FET。 微电子。 J。 119 : 105320 ( 2022 ) 【c6】 库纳尔·克兰蒂·达斯 , Aditya日本 , 迪皮卡·古普塔 :
基于VGSOT-MTJ的可重构仲裁器PUF。 VDAT公司 2022 : 320-330 2021 [j5] 阿迪蒂亚·贾帕 , 马诺伊·库马尔·马朱姆德 , Subhendu Kumar Sahoo公司 , 拉梅什·瓦迪 :
基于隧道场效应晶体管的超轻量可重构TRNG和PUF设计,用于资源受限的物联网。 国际电路理论应用杂志。 49 ( 8 ) : 2299-2311 ( 2021 ) 【c5】 Renuka Chowdary Bheemana女士 , 阿迪蒂亚·贾帕 , 西瓦·桑卡·叶兰帕利 , 拉梅什·瓦迪 :
基于陡开关NCFET的未来节能电子逻辑。 iSES公司 2021 : 327-330 2020 【j4】 阿迪蒂亚·贾帕 , 马诺伊·库马尔·马朱姆德 , Subhendu Kumar Sahoo公司 , 拉梅什·瓦迪 :
利用基于隧道晶体管的随机数发生器的低区域开销DPA对抗。 IET电路设备系统。 14 ( 5 ) : 640-647 ( 2020 ) [j3] 阿迪蒂亚·贾帕 , 马诺伊·库马尔·马朱姆德 , Subhendu Kumar Sahoo公司 , 拉梅什·瓦迪 :
考虑p-i-n正向泄漏的基于隧道FET的超低功耗和硬件安全电路设计。 国际电路理论应用杂志。 48 ( 4 ) : 524-538 ( 2020 ) 【c4】 阿迪蒂亚·贾帕 , 帕拉加尼·耶拉帕 , 文卡特斯瓦鲁·戈努贡特拉 , 马诺伊·库马尔·马朱姆德 , Subhendu Kumar Sahoo公司 , 崔俊林 , 拉梅什·瓦迪 :
利用隧道场效应管的非对称特性设计一种用于模式识别的低压判别电路。 国际会计准则委员会 2020 : 1-5
2010 – 2019
2019 [注2] 阿迪蒂亚·贾帕 , 马诺伊·库马尔·马朱姆德 , Subhendu Kumar Sahoo公司 , 拉梅什·瓦迪 :
基于隧道场效应晶体管双极性的能量高效且鲁棒的真随机数生成器,可抵抗反向工程攻击。 IET电路设备系统。 13 ( 5 ) : 689-695 ( 2019 ) 2018 【c3】 阿迪蒂亚·贾帕 , T.Nagateja公司 , 桑托什·库马尔·维什瓦卡马 , 帕拉加尼·耶拉帕 , 崔俊林 , 拉梅什·瓦迪 :
增强物联网平台能效和硬件安全的隧道场效应晶体管:挑战与机遇。 国际会计准则委员会 2018 : 1-5 2017 【c2】 阿迪蒂亚·贾帕 , T.Nagateja公司 , 拉梅什·瓦迪 :
用于IoT平台的节能逻辑、传感器接口和3D IC电路的隧道场效应晶体管。 国际创新系统 2017 : 90-92 [c1] 阿迪蒂亚·贾帕 , 哈什塔·瓦拉巴尼尼 , 拉梅什·瓦迪 :
利用陡坡隧道晶体管的特性为物联网SoC设计节能可靠的缓冲区。 VDAT公司 2017 : 259-269 2016 [j1] 阿迪蒂亚·贾帕 , 哈什塔·瓦拉巴尼尼 , 拉梅什·瓦迪 :
基于陡坡隧道晶体管的环形振荡器电路交互设计的可靠性增强。 IET电路设备系统。 10 ( 6 ) : 522-527 ( 2016 )
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