Takaho Tanigawa先生
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2020年-今天
2022 【c4】 渡边捷昭 , T.岛田 , K.Hirose公司 , H.新道 , D.小林 , Takaho Tanigawa先生 , 池田昭二 , 新田高明 , 小池弘子 , Tetsuo Endoh公司 , T.马基诺 , 大岛武史 :
用于航天级软错误可靠性的MTJ/CMOS混合LSI的设计和重离子测试。 红外光谱 2022 : 54-1 2021 [注2] Masanori Natsui公司 , 阿基拉·塔马库什 , Hiroaki Honjo先生 , 渡边俊里 , 纳苏诺(Takashi Nasuno) , 张朝良 , 谷川隆浩 , 井上裕文 , 日本Masaaki , Toru吉杜卡 , 野口雅雄 , 三野安之(Mitsuo Yasuhira) , 马一涛 , 慧申 , Fukami顺介 , 佐藤秀雄 , 池田昭二 , Hideo Ohno奥诺 , Tetsuo Endoh公司 , 高弘韩愈 :
双端口SOT-MRAM在无现场协助条件下实现90-MHz读取和60-MHz写入操作。 IEEE J.固态电路 56 ( 4 ) : 1116-1128 ( 2021 ) 2020 【c3】 Masanori Natsui公司 , 阿基拉·塔马库什 , 本条宏明 , 渡边俊里 , 纳苏诺(Takashi Nasuno) , 张朝良 , Takaho Tanigawa先生 , 井上裕文 , 日本Masaaki , Toru吉杜卡 , 野口雅雄 , 三野安之(Mitsuo Yasuhira) , 马一涛 , 慧申 , Fukami顺介 , 佐藤秀雄 , 池田昭二 , Hideo Ohno奥诺 , 远藤哲雄 , 高弘韩愈 :
双端口无现场SOT-MRAM在55-nm CMOS技术和1.2-V电源电压下实现90-MHz读取和60-MHz写入操作。 VLSI电路 2020 : 1-2
2010 – 2019
2019 [j1] 三井正理 , 铃木大辅 , 阿基拉·塔马库什 , 渡边俊里 , Hiroaki Honjo先生 , 小池弘子 , 纳苏诺(Takashi Nasuno) , 马一涛 , Takaho Tanigawa先生 , 野口雅雄 , 三野安之(Mitsuo Yasuhira) , 佐藤秀雄 , 池田昭二 , Hideo Ohno奥诺 , 远藤哲雄 , 高弘韩愈 :
用于物联网应用的嵌入STT-MRAM和FPGA的47.14-µW 200-MHz MOS/MTJ混合非易失性微控制器单元。 IEEE J.固态电路 54 ( 11 ) : 2991-3004 ( 2019 ) 【c2】 Masanori Natsui公司 , 铃木大辅 , 阿基拉·塔马库什 , 渡边俊里 , Hiroaki Honjo先生 , 小池弘子 , 纳苏诺(Takashi Nasuno) , 马一涛 , Takaho Tanigawa先生 , 野口雅雄 , 三野安之(Mitsuo Yasuhira) , 佐藤秀雄 , 池田昭二 , Hideo Ohno奥诺 , Tetsuo Endoh公司 , 高弘韩愈 :
一种用于40nm CMOS/MTJ混合技术传感器节点应用的FPGA加速全非易失性微控制器单元,在200MHz下实现47.14μW的工作。 ISSCC公司 2019 : 202-204