皮埃尔·法赞
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2020年–今天
2022 [第11条] J.P.巴斯托斯 , 巴里·奥沙利文 , 雅各布·佛朗哥 , 斯坦尼斯拉夫·蒂亚吉诺夫 , 布莱希特·特鲁伊扬 , 阿德里安·维斯曼·查辛 , 罗宾·德雷夫 , 本·卡泽尔 , 罗曼·里森塔勒 , 埃琳娜·卡普格雷科 , E.Dentoni Litta公司 , 阿莱西奥·斯佩索特 , 东日本Yusuke Higashi , Y.Yoon先生 , V.马奇考桑 , 皮埃尔·法赞 , N.Horiguchi公司 :
存储器外围高压器件的偏置温度不稳定性(BTI)。 IRPS公司 2022 : 1-6 [第10条] 罗曼·里森塔勒 , 埃琳娜·卡波雷科 , E.杜佩 , Hiroaki Arimura先生 , J.P.巴斯托斯 , P.法维亚 , F.塞巴伊 , D.萝卜 , V.T.H.阮 , G.曼纳特 , B.T.陈 , V.马奇考桑 , Y.Yoon先生 , H.伊藤川 , 山口先生 , Y.Chen先生 , 皮埃尔·法赞 , S.Subramanian公司 , 阿莱西奥·斯佩索特 , E.Dentoni Litta公司 , 萨马维达姆 , Naoto Horiguchi公司 :
高性能耐热FinFET DRAM外围CMOS FinFET,具有VTH可调性,用于未来存储器。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 306-307
2010 – 2019
2019 【c9】 巴里·奥沙利文 , 罗曼·里森塔勒 , 格哈德·雷帕 , Z.Wu先生 , E.Dentoni Litta公司 , O.理查德 , T.科纳德 , V.马奇考桑 , 皮埃尔·法赞 , C.金 , 雅各布·佛朗哥 , 本·卡泽尔 , 胫骨格拉瑟 , 阿莱西奥·斯佩索特 , 迪米特里·林顿 , N.Horiguchi公司 :
门堆栈工程NBTI改进了高压逻辑存储器高压/金属门器件。 IRPS公司 2019 : 1-8 2015 【c8】 赵明珠(Moonju Cho) , 阿莱西奥·斯佩索特 , 本·卡泽尔 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 罗曼·里森塔勒 , 汤姆·施拉姆 , 皮埃尔·法赞 , Naoto Horiguchi公司 , 迪米特里·林顿 :
先进p-MOSFET的非稳态应力退化机制。 ICICDT公司 2015 : 1-4 【c7】 罗曼·里森塔勒 , 汤姆·施拉姆 , M.J.Cho先生 , 安达·莫库塔 , Naoto Horiguchi公司 , 亚伦·冯·尤恩 , 阿莱西奥·斯佩索特 , 克里斯蒂安·凯利亚特 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 皮埃尔·法赞 , K.B.诺 , Y.儿子 :
使用扩散和栅替换(D&GR)栅堆栈集成的I/O厚氧化物器件集成。 ICICDT公司 2015 : 1-4 【c6】 罗曼·里森塔勒 , 汤姆·施拉姆 , 吉尔特·埃内曼 , 安达·莫库塔 , Naoto Horiguchi公司 , 亚伦·冯·尤恩 , 阿莱西奥·斯佩索特 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 皮埃尔·法赞 , K.B.诺 , Y.儿子 :
DRAM外围应用的SiGe量子阱晶体管评估。 ICICDT公司 2015 : 1-4 【c5】 阿莱西奥·斯佩索特 , 罗曼·里森塔勒 , 汤姆·施拉姆 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 赵明珠(Moonju Cho) , 玛丽亚·托莱达诺·卢克 , Naoto Horiguchi公司 , 皮埃尔·法赞 :
先进掺杂技术对DRAM外围MOSFET可靠性的影响。 ICICDT公司 2015 : 1-4 2013 【c4】 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , Eddy Simoen公司 , 罗曼·里森塔勒 , 汤姆·施拉姆 , Hiroaki Arimura先生 , 赵明珠(Moonju Cho) , 托马斯·考劳夫 , 吉多·格罗塞内肯 , Naoto Horiguchi公司 , 亚伦·提安 , 安东尼奥·费德里科 , 费利斯·克鲁皮 , 阿莱西奥·斯佩索特 , 克里斯蒂安·凯利亚特 , 皮埃尔·法赞 , Hyuokju Na公司 , Y.儿子 , K.B.诺 :
Al2O3位置对高k金属栅DRAM外围晶体管性能和可靠性的影响。 ESSDERC公司 2013 : 190-193 2012 【c3】 罗曼·里森塔勒 , 汤姆·施拉姆 , 埃里克·伯里 , 杰罗姆·米塔德 , 拉丁美洲。 拉格纳松 , 吉多·格罗塞内肯 , N.Horiguchi公司 , 亚伦·提安 , 阿莱西奥·斯佩索特 , 克里斯蒂安·凯利亚特 , V.斯里维迪亚 , 皮埃尔·法赞 :
低功耗DRAM兼容替换门-高-k/金属门堆栈。 ESSDERC公司 2012 : 242-245 【c2】 埃迪·西蒙 , 马克·奥利奇(Marc Aoulaiche) , 阿纳贝拉·维洛索 , M.尤尔扎克 , Cor Claeys公司 , L.门德斯·阿尔梅达 , 玛丽亚·格里亚·卡尼奥·德·安德拉德 , A.卢克·罗德里格斯 , J.A.希门尼斯·特贾达 , 克里斯蒂安·凯利亚特 , 皮埃尔·法赞 :
FBRAM的保留时间与UTBOX SOI nMOSFET的低频噪声之间的相关性。 ESSDERC公司 2012 : 338-341
2000 – 2009
2005 [c1] 塞尔盖·奥霍宁 , 皮埃尔·法赞 , 马克·埃里克·琼斯 :
用于片上系统的零电容嵌入式存储技术。 MTDT公司 2005 : xxi-xxv号
合著者索引
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