本本明弘
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2020年–今天
2021 [注2] Toshiyuki Kouchi先生 , 马米·卡科伊 , 熊崎诺里雅苏 , Akio Sugahara公司 , 本本明弘 , 川山康夫 , 尤里·特拉达 , 萨纳德·布什纳克 , 神奈川直崎 , Takuyo Kodama公司 , 福田良 , Hiromitsu Komai公司 , 浅冈正一郎(Norichika Asaoka) , Hidekazu Ohnishi先生 , 柳介Isomura , Takaya Handa公司 , 山本贤介 , 石崎由纪夫 , Yoko Deguchi(田口洋子) , 冈山Atsushi Okuyama , 藤纯一 , Hiroki Yabe公司 , 辛西娅·许 , 吉原正弘 :
一个128Gb 1位/单元96字线层3D闪存,用于提高随机读取延迟,tProg=75μs,tR=4μs。 IEEE J.固态电路 56 ( 1 ) : 225-234 ( 2021 ) 2020 【c3】 Toshiyuki Kouchi先生 , 北山久崎 , 山冈Masashi , 萨纳德·布什纳克 , Takuyo Kodama公司 , 石崎由纪夫 , Yoko Deguchi(田口洋子) , Akio Sugahara公司 , 本本明弘 , 浅冈北一 , 柳介Isomura , Takaya Handa公司 , 藤纯一 , Hiromitsu Komai公司 , 冈山Atsushi Okuyama , 神奈川直崎 , 川山康夫 , 尤里·特拉达 , Hidekazu Ohnishi先生 , Hiroki Yabe公司 , 辛西娅·徐 , 马米·卡科伊 , 吉原正弘 :
13.5 128Gb 1b/Cell 96-Word-Line-Layer 3D闪存,可提高随机读取延迟,tPROG=75µs,tR=4µs。 ISSCC公司 2020 : 226-228
2010 – 2019
2018 【c2】 前岛浩史 , Kazushige神田 , 藤村素木 , 高川Teruo , 小泽苏木 , 佐藤裕美 , Yoshihiko Shindo公司 , Manabu佐藤 , 神奈川直崎 , Junji Musha先生 , 井上佐治 , 樱井胜介(Katsuaki Sakurai) , Naohito Morozumi公司 , 福田良 , 清水由纪夫 , 桥本俊文 , 徐丽 , 清水由纪夫 , 安倍晋一 , 塔达什·靖国 , Takatoshi Minamoto公司 , 吉原浩史 , 山下高弘 , 佐藤和彦 , 杉本隆弘 , 河野富美弘 , 安倍晋弘 , 桥口俊浩 , 小岛正寿 , 松松康弘 , 清水高弘 , 本本明弘 , 小林直树 , Makoto Miakashi公司 , 山口口一郎 , 萨纳德·布什纳克 , Hicham Haibi公司 , 小川Masatsugu Ogawa , 尤素克·奥奇 , 库博塔(Kenro Kubota) , 太极瓦奎 , 东河 , 王伟翰(Weihan Wang) , Hiroe Minagawa先生 , 西内智子 , 郝阮 , 金光浩 , Ken Cheah(肯·谢) , Yee Lih Koh公司 , 冯璐 , 文基·拉马昌德拉 , 斯里尼瓦斯·拉金德拉 , 史蒂夫·崔 , 基尔·帕亚克 , 纳马斯·拉胡纳坦 , 斯皮罗斯·乔治斯 , 铃原浩 , Seungpil Lee先生 , Takuya Futatsuyama先生 , 细野浩二 , 柴田信郎 , 久田敏树 , Tetsuya Kaneko公司 , 中村拓志 :
一个512Gb 3b/Cell 3D闪存,采用96瓦线性层技术。 ISSCC公司 2018 : 336-338 2016 [j1] 马里奥·萨科 , 渡边吉久 , 中岛高雄 , 佐藤裕美 , 村冈和代(Kazuyoshi Muraoka) , Masaki Fujiu先生 , 河野富美弘 , 中川美雄 , Masami Masuda公司 , 加藤浩二 , 尤里·特拉达 , 清水由纪夫 , Mitsuaki Honma公司 , 本本明弘 , 荒谷智子 , 哈亚托·科诺 , Takuya Okanaga公司 , 富民藤村 , 王晓庆 , 迈·穆拉莫托 , 滨田正弘 , Masatoshi Kohno公司 , 铃木义雄 , 桥口俊浩 , 小林尊(Tsukasa Kobayashi) , 山冈Masashi , 山下良治 :
采用15 nm CMOS技术的低功耗64 Gb MLC NAND闪存。 IEEE J.固态电路 51 ( 1 ) : 196-203 ( 2016 ) 2015 【c1】 马里奥·萨科 , 渡边吉久 , 中岛高雄 , 佐藤裕美 , 村冈和代(Kazuyoshi Muraoka) , Masaki Fujiu先生 , 福米希罗·库诺 , 中川美雄 , Masami Masuda公司 , 加藤浩二 , 尤里·特拉达 , 清水由纪夫 , Mitsuaki Honma公司 , 本本明弘 , 阿瑞亚友子(Tomoko Araya) , 哈亚托·科诺 , 冈永拓也 , 富民藤村 , 王晓庆 , 迈·穆拉莫托 , 滨田正弘 , Masatoshi Kohno公司 , 铃木义雄 , 桥口俊浩 , 小林尊(Tsukasa Kobayashi) , 山冈Masashi , 山下良治 :
7.1采用15nm CMOS技术的低功耗64Gb MLC NAND闪存。 ISSCC公司 2015 : 1-3
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