Jongwook Kye(Jongwood Kye)
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2020年–今天
2022 【c9】 申贤进 , 桑京元 , Dohui Kim先生 , Byunghun Choi先生 , Gyusung Kim先生 , 明熙噢 , 崔杰生(Jaeseung Choi) , Jongwook Kye(Jongwood Kye) :
基于28nm的32Mb嵌入式闪存,具有最好的单元效率和13.48Mb/mm的稳健设计成就 2 0.85V。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 132-133 【c8】 杨吉英 , 哈丘尔·荣格 , 林金英(Jinyoung Lim) , Jaewoo Seo公司 , 英格姆·金 , 余继苏(Jisu Yu) , Hyeoungyu You(许勇宇) , Jeongsoon Kong公司 , 加鲁姆·金 , Minjae Jeong女士 , Chanhee公园 , 塞拉·安 , Woojin边缘 , Hayong Kim先生 , 达希·李 , Sanghoon Baek公司 , 容光焕 , Taejoong宋 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) :
3nm GAA工艺中采用先进MOL技术的标准电池设计优化。 超大规模集成电路技术与电路 2022 : 363-364 2021 【c7】 Taejoong宋 , Woojin边缘 , 胡基·金 , 基恩·怀·乔 , Taeyong Kim公司 , Taejung Lee公司 , 金钟贝 , 董文金 , S.D.Kwon先生 , Sanghoon Baek公司 , 容光焕 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) , 哈基尔·荣格 , Hyugtae Kim公司 , 宋文荣 , Jaehong公园 :
24.3一个3nm门全方位SRAM,具有自适应双BL和自适应蜂窝电源辅助电路。 ISSCC公司 2021 : 338-340 【c6】 Sangyeop Baeck公司 , 英哈克·李 , Hoyoung Tang(何英堂) , 东旭 , 崔杰生(Jaeseung Choi) , Taejoong宋 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) :
5nm低功耗SRAM采用双轨结构,带有用于5G移动应用的电压跟踪辅助电路。 VLSI电路 2021 : 1-2 【c5】 申贤进 , 明熙噢 , 崔杰生(Jaeseung Choi) , Taejoong宋 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) :
具有100MHz读取操作和7.42Mb/mm2 0.85V电压的28nm嵌入式闪存,用于汽车应用。 VLSI电路 2021 : 1-2 2020 【c4】 El Mehdi Boujama公司 , Samsudeen穆罕默德·阿里 , 史蒂夫·恩圭亚·旺吉 , 亚历山大·古里奥 , 素素朴 , Gwanhyeob Koh公司 , 宋永宗(Yoonjong Song) , Taejoong宋 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) , Jean-Christophe小瓶 , 安德鲁·索登 , 曼努伊·拉索 , 西里尔·德雷 :
A 14.7毫巴/毫米 2 28nm FDSOI STT-MRAM,带电流不足读取路径、52Ω/Sigma偏置电压检测放大器和完全可调CTAT基准。 VLSI电路 2020 : 1-2
2010 – 2019
2016 【c3】 Motoi一桥 , 贾曾 , 科尔·泽姆克 , 林容羽 , 格雷格·诺斯罗普 , 宁锦 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) :
SoC性能基准对互连寄生电阻和电容的灵敏度分析超过10-nm FinFET技术。 SoCC公司 2016 : 271-274 2012 【c2】 Jongwook Kye(Jongwood Kye) , 马元胜 , 雷远(Lei Yuan) , 邓云飞 , 哈里·莱文森 :
版画和设计集成-技术架构开发的新范式。 中金公司 2012 : 1-4 【c1】 张洪波 , 邓云飞 , Jongwook Kye(Jongwood Kye) , 马丁·D·F·王 :
光刻重定位工艺对20nm技术中低电平互连的影响。 滑倒 2012 : 3-10
合著者索引
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