M.K.Radhakrishnan先生
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2000 – 2009
2004 【c2】 M.K.Radhakrishnan先生 :
与栅介质和互连相关的器件可靠性和失效机制。 超大型积体电路设计 2004 : 805-808 2003 [注2] Kin Leong Pey先生 , C.H.Tung先生 , M.K.Radhakrishnan先生 , L.J.唐 , Y.孙 , X.D.王 , W.H.林 :
用TEM研究nMOSFET超薄栅氧化层恒电流应力和恒电压应力击穿的失效机制。 微电子。 Reliab公司。 43 ( 9-11 ) : 1471-1476 ( 2003 ) 【c1】 娜塔拉詹·马哈德瓦·伊耶 , M.K.Radhakrishnan先生 :
射频/混合信号设计和处理的ESD可靠性挑战。 超大型积体电路设计 2003 : 20-21 2002 [j1] M.K.Radhakrishnan先生 , Kin Leong Pey先生 , C.H.Tung先生 , W.H.林 :
超薄栅氧化物中硬击穿和软击穿失效的物理分析。 微电子。 Reliab公司。 42 ( 4-5 ) : 565-571 ( 2002 )