松本Masahide Matsumoto
人员信息
优化列表
![笔记](https://dblp.uni-trier.de/img/note-mark.dark.12x12.png)
2010 – 2019
2017 【c3】 山下良治 , 萨加尔·马吉亚 , Higuchi先生 , Kazuhide Yoneya公司 , 山村敏夫 , Hiroyuki Mizukoshi先生 , Shingo Zaitsu公司 , 山下实实 , 富山顺一 , Norihiro Kamae公司 , 李涓 , Shuo Chen(陈硕) , 陶嘉伟 , 威廉·马克 , 张晓华 , Ying Yu(英玉) , 宇都宫育子 , 加藤洋介 , Manabu Sakai公司 , 松本Masahide Matsumoto , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , 直木大沼 , Hiroki Yabe公司 , Subodh Taigor公司 , 兰加罗·萨米内尼 , Takuyo Kodama公司 , 神田佳彦 , 南井裕祖 , 乔纳森·休恩 , 宋恩王 , 何燕康 , Trung Pham公司 , 维韦克·萨拉夫 , 阿克谢·佩特卡 , 渡边光裕 , 小一郎·林 , Prashant Swarnkar公司 , Miwa先生 , 阿迪蒂亚·普拉丹 , 苏拉格纳·戴伊 , 德巴西什·德维贝迪 , 图莎拉·泽维尔 , 穆拉利克里什纳·巴拉加 , 萨米克莎·阿加瓦尔 , 斯瓦鲁普·库尔卡尼 , 扎米尔·帕帕萨赫布 , 萨希尔·迪奥拉 , 帕特里克·洪 , 魏美玲 , 戈皮纳特·巴拉克利什南 , Takuya Ariki先生 , Kapil Verma公司 , 昌华小 , 英大洞 , 青黄路 , Toru Miwa公司 , Farookh Moogat公司 :
11.1基于64层BiCS技术的512Gb 3b/单元闪存。 ISSCC公司 2017 : 196-197 2014 [j1] 刘子仪 , 田红艳 , 罗伊·谢尔林 , 陈英昌 , 杰弗里·孔耶·李 , 戈皮纳特·巴拉克利什南 , 戈登伊 , 张瀚博 , 亚历克斯·叶 , 欧阳景文 , 佐佐木高彦 , 阿里·阿尔·沙马 , 陈劲宇 , 马扬克·古普塔 , 格雷格·希尔顿 , 阿查尔·卡图里亚 , 文森特·赖 , 松本Masahide Matsumoto , 阿努拉·尼甘姆 , 阿尼尔派 , 贾耶什·帕哈尔 , 昌华小 , 吴晓霞 , Yibo Yin音 , 尼古拉斯·内格尔 , 田中洋一郎 , Masaaki Higashitani公司 , 蒂姆·米维尔 , Chandu Gorla公司 , 冢本隆之(Takayuki Tsukamoto) , 和塔克什·亚马古基 , 冈岛茂美 , 冈村隆彦(Takayuki Okamura) , Satoru Takase公司 , 井上博文 , 卢卡·法索利 :
A 130.7毫米 2 24-nm技术中的2层32-Gb ReRAM内存设备。 IEEE J.固态电路 49 ( 1 ) : 140-153 ( 2014 ) 2013 【c2】 刘子怡 , 田红艳 , 罗伊·谢尔林 , 陈英昌 , 杰弗里·孔耶·李 , 戈皮纳特·巴拉克利什南 , 戈登伊 , 张瀚博 , 亚历克斯·叶 , 欧阳景文 , 佐佐木高彦 , 斯拉万提·阿德帕利 , 阿里·阿尔·沙马 , 陈劲宇 , 马扬克·古普塔 , 格雷格·希尔顿 , 索拉巴·乔希 , 阿查尔·卡图里亚 , 文森特·赖 , 深马西瓦尔 , 松本Masahide Matsumoto , 阿努拉·尼甘姆 , 阿尼尔派 , 贾耶什·帕哈尔 , 昌华小 , 吴晓霞 , 罗纳德·尹 , 李平鹏 , 张永康 , 莎伦·休恩 , 王慧娟 , 尼古拉斯·内格尔 , 田中洋一郎 , Masaaki Higashitani公司 , 蒂姆·米维尔 , 昌杜戈拉 , 冢本隆之(Takayuki Tsukamoto) , 和塔克什·亚马古基 , 冈岛茂美 , 冈村隆彦(Takayuki Okamura) , Satoru Takase公司 , 原高彦 , 井上裕文 , 卢卡·法索利 , 梅赫达德·莫菲迪 , Ritu Shrivastava公司 , 坎德克·奎德 :
A 130.7毫米 2 采用24nm技术的2层32Gb ReRAM内存设备。 ISSCC公司 2013 : 210-211
2000 – 2009
2009 【c1】 Takuya Futatsuyama先生 , 藤田北弘 , Naoya Tokiwa先生 , Yoshihiko Shindo公司 , Toshiaki Edahiro公司 , 龟井裕彦 , 那须宏明 , 岩井真一 , 加藤浩二 , 福田康夫 , 神奈川直崎 , 纳富米·阿比科 , 松本Masahide Matsumoto , 东山俊彦 , 桥本俊文 , 刘怡青 , 哈德韦尔·奇布冯戈泽 , 本井隆明(Takamitsu Hori) , Manabu Sakai公司 , 洪鼎 , 武内义郎(Yoshiharu Takeuchi) , Hitoshi Shiga先生 , 川村正美(Norifumi Kajimura) , 川端康成 , 樱井清夫 , Yanagidaira Kosuke , 铃木俊弘 , 南池裕子 , 藤村富美 , 曼梅 , 郝阮 , Seungpil Lee先生 , 亚历克斯·马克 , 杰弗里·卢茨 , Tooru Maruyama先生 , 渡边俊彦 , 原高彦 , 大岛茂原 :
113mm2 32Gb 3b/单元NAND闪存。 ISSCC公司 2009 : 242-243
合著者索引
![](https://dblp.uni-trier.de/img/cog.dark.24x24.png)