P.J.范德威尔
人员信息
附属: 荷兰奈梅亨飞利浦半导体公司
优化列表
![笔记](https://dblp.uni-trier.de/img/note-mark.dark.12x12.png)
2010 – 2019
2015 [j7] 马克西米利安·达曼 , 马蒂娜·巴伊姆勒 , 彼得·布吕克纳 , 沃尔夫冈·布朗纳 , 斯蒂芬·马洛尔德 , 赫尔默·康斯坦泽 , 马提亚斯·韦斯佩尔 , 吕迪格码头 , 迈克尔·米库拉 , 安德烈亚斯·格拉夫 , M.洛伦齐尼 , M.Fagerlind先生 , P.J.范德威尔 , T.Rödle公司 :
高温应力试验下0.25μm GaN HEMT的降解。 微电子。 宗教信仰。 55 ( 9-10 ) : 1667-1671 ( 2015 ) [j6] 克里斯汀·朗根(Kirsten Rongen) , 阿马尔·马文库尔夫 , 陈先生 , P.J.范德威尔 , F.斯瓦特杰斯 , 雷内·T·H·荣根 :
晶圆级芯片级封装中的水分吸收和解吸。 微电子。 宗教信仰。 55 ( 9-10 ) : 1872-1876 ( 2015 ) 2013 [j5] P.J.范德威尔 , T.Rödle公司 , 贝诺伊特·兰伯特 , 埃尔维·布兰克 , 马克西米利安·达曼 :
射频功率放大器用SiC技术50 V GaN的鉴定。 微电子。 宗教信仰。 53 ( 9-11 ) : 1439-1443 ( 2013 )
2000 – 2009
2009 【j4】 马克西米利安·达曼 , W.Pletschen先生 , 帕特里克·沃尔特里特 , 沃尔夫冈·布朗纳 , 吕迪格码头 , 斯特凡·米勒 , 迈克尔·米库拉 , 奥利弗·安巴赫 , P.J.范德威尔 , S.穆拉德 , T.Rödle公司 , R.贝塔什 , F.资产阶级 , K.里佩 , 马丁·法格林德 , 埃纳尔·斯维因布约恩松 :
下一代移动通信系统中AlGaN/GaN HEMT的可靠性和退化机制。 微电子。 宗教信仰。 49 ( 5 ) : 474-477 ( 2009 ) 2007 [j3] P.J.范德威尔 , J.R.de Beer公司 , R.J.M.van Boxtel先生 , Y.Y.Xiah先生 , Y.C.王 :
砷化镓中椭圆缺陷对氮化硅可靠性的影响 x个 金属-绝缘-金属电容器。 微电子。 宗教信仰。 47 ( 8 ) : 1188-1193 ( 2007 ) 2006 [注2] 范德维尔 , S.J.C.H.特尤文 , J.A.拜伦 , Y.Li(李彦宏) , R.A.van den Heuvel先生 , J.G.戈曼斯 , F.van Rijs先生 , P.Bron先生 , H.J.F.佩舍 :
铝和金基LDMOS射频电源应用中的磨损失效机制。 微电子。 宗教信仰。 46 ( 8 ) : 1279-1284 ( 2006 ) 2001 [j1] 克里斯·克罗斯 , R.德雷森 , 让·曼卡 , 沃德·德·休尼克 , 吕克·德·谢珀 , 吕克·蒂勒曼 , P.J.范德威尔 :
金电迁移的高分辨率原位测试:缩短测试时间。 微电子。 宗教信仰。 41 ( 9-10 ) : 1439-1442 ( 2001 )
合著者索引
![](https://dblp.uni-trier.de/img/cog.dark.24x24.png)