IMW 2021: 德国德累斯顿
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IEEE国际记忆研讨会,IMW 2021,德国德累斯顿,2021年5月16-19日。 电气与电子工程师协会 2021 ,国际标准图书编号 978-1-7281-8517-0 卡米尔·拉古纳 , 马修·伯纳德 , 尼古拉斯·伯尼尔 , D.鲁雄 , N.罗查特 , 朱利安·加里奥内 , A.詹纳德 , 埃曼纽尔·诺洛特 , 瓦伦蒂娜·梅利 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , C.萨比恩 , 纪尧姆·布尔乔亚 , 玛丽·克莱尔·西里尔 , 利维乌·米利塔鲁 , A.苏伊菲 , 加布里埃尔·纳瓦罗 , 艾蒂安·诺瓦克 :
用于高温稳定性、可扩展性和高耐久性的多层OTS选择器工程。 1-4 蒂姆·坎彭 , Rainer Waser公司 , 维卡斯·拉纳 :
通过外源性掺杂提高TaOx RRAM的50倍耐力。 1-4 西德哈特·拉奥 , Woojin Kim先生 , 西蒙·范·比克 , Shreya Kundu先生 , 马努·佩鲁姆昆尼 , 斯特凡·科塞曼斯 , 法鲁克·亚辛 , 塞巴斯蒂安·库特 , 柯鲁班 , 巴里·奥沙利文 , 沙明·H·沙里菲 , N.约萨尔 , 劳伦特·苏里亚 , 卢多维克·古克斯 , 迪米特里·克罗蒂 , 古里·桑卡尔 :
针对Last-Level Cache应用程序,通过优化离子束刻蚀和MTJ来提高STT-MRAM阵列性能。 1-4 尤塔·艾巴 , 田中瞳 , 前田隆志 , Keiichi Sawa先生 , 福米·基库岛 , 三浦正之 , 藤泽俊雄 , Mie Matsuo先生 , Hideto Horii公司 , Hideko Mukaida先生 , Tomoya Sanuki先生 :
将低温技术引入存储:3D闪存的特性和性能改进。 1-4 Jun Okuno先生 , 高福美·库尼希罗(Takafumi Kunihiro) , 肯塔·科尼西 , 前村秀树(Hideki Maemura) , Yusuke Shuto公司 , Fumitaka Sugaya公司 , 莫妮卡·马特拉诺 , 塔里克·阿里 , 马克西米利安·莱德勒 , 卡蒂·库内尔 , 康拉德·塞德尔 , 乌韦·施罗德 , 托马斯·米科拉吉克 , Masanori Tsukamoto先生 , Taku Umebayashi公司 :
用于非易失性存储器应用的1T1C FeRAM阵列的高电阻和低电压操作。 1-3 卡兹马雷克 , 玛丽·加西亚·巴登 , Y.Xiang先生 , 劳伦特·布鲁伊 , 尼科洛·隆奇 , 伯特兰·帕维斯 , 吉多·格罗塞内肯 , 简·范·霍特 :
理解1T-FeFET存储器中的内存窗口:去极化场透视图。 1-4 弗兰兹·沙诺夫斯基 , Devin Verreck公司 , 安东尼奥·阿雷基尼 , 格哈德·雷帕 , 兹拉坦·斯坦诺杰维奇 , 克里斯蒂安·克恩斯托克 , 奥斯卡·鲍姆加特纳 , 马尔滕·罗斯梅伦 , 马库斯·卡纳 :
用于精确编程动态的TCAD兼容SONOS捕获层模型。 1-4 刘江 , 张世康 , 灰白的朋友 , El Mehdi Bazizi公司 , 北岛友彦 , 南希·冯 , 加布里埃拉·阿尔瓦 , 艾米·查尔德 , 巴斯卡尔·布扬 , 小泽武彦 , 宋光康 , 吉尔·李 , 黄哲伦 , 天佑亚历山大 , 布夫娜·阿亚加里 :
3D NAND与非替换词行的集成方案及其单元特性研究。 1-4 Doo-Hyun Kim先生 :
1 Tb 4b/cell第五代3D-NAND闪存,具有2ms tPROG、110us tR和1.2Gb/s/pin接口。 1-4 所罗门·阿姆萨鲁·契科尔 , 费利克斯·库珀斯 , Rainer Waser公司 , 苏珊娜·霍夫曼-艾弗特 :
一种用于高效能神经形态计算的具有超低泄漏(1011)和低阈值电压(<0.2V)的Ag/HfO2/Pt阈值开关器件。 1-4 李在勋(Jaehun Lee) , Youngcheon Jeong先生 , Kyongsik Yeom公司 , Changmin Jeon公司 , Jongsung Woo(吴宗宪) , 桑津·李 , 李嘉英 , 黄冬惠 , 永世忠(Yong Seok Chung) , Minji Seo公司 , 金东云(Dong Hyun Kim) , 达尔文·金 , 金永锡(Yongsik Kim) , 李贤昌 , 赵秀敏 , 明熙噢 , Hyun-Jin Shin先生 , 金仁日(Gun Rae Kim) , Sungyoung Yoon(双阳尹) , 李勇奎 , 杨基红 :
高可靠性28nm嵌入式闪存工艺开发,用于高密度和高速汽车1级应用。 1-3 袁春洛 , 安妮·卢 , 在户(Jae Hur) , 李少兰 , 施蒙于(Shimeng Yu) :
用于内存计算的非易失性电容交叉阵列的设计。 1-4 乔尔·明盖特·洛佩兹 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 劳伦特·格诺伊莱 , 卢卡斯·雷加纳兹 , 加布里埃尔·纳瓦罗 , 马修·伯纳德 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 托马斯·麦吉斯 , 达米安·德勒鲁耶勒 , 马克·博奎特 , Jean-Michel门户 , E.诺瓦克 , 加布里埃尔·莫拉斯 :
基于Ge-Se-Sb-N的高密度1 S1R交叉杆阵列OTS缩放透视图。 1-4 劳伦特·格诺伊莱 , 尼科洛·卡斯特拉尼 , 阿兰·佩西科 , 瓦伦蒂娜·梅利 , 西蒙·马丁 , 奥利维尔·比朗特 , R.塞高 , 斯特凡妮亚·贝纳斯科尼 , C.佩利西耶 , 卡琳·贾汗 , 克里斯蒂尔·夏平·尼科尔 , P.德泽斯特 , 凯瑟琳·卡拉巴斯 , 保罗·贝索姆贝斯 , S.里卡维 , N.P.交易 , A.马加哈斯·卢卡斯 , A.罗马 , C.博伊萨德拉斯 , 托马斯·麦吉斯 , Messaoud Bedjaoui公司 , M.特斯赛尔 , A.塞格纳德 , F.马赞 , S.Landis公司 , 伊莉萨·维亚内罗 , 加布里埃尔·莫拉斯 , 弗雷德·盖拉德 , 朱利安·阿卡莫内 , E.诺瓦克 :
嵌入28nm FDSOI技术的16kbit 1T1R OxRAM阵列表现出低误码率、高耐久性以及与核心逻辑晶体管的兼容性。 1-4 马特奥·巴尔多 , 丹尼尔·伊尔米尼 :
基于漂移扩散离子传输的氧化ECRAM编程建模。 1-4 史蒂文·勒克斯 , 特雷弗·阿尔梅达 , 努诺·卡索利奥 , 阿尔瓦罗·帕洛米诺 , 伊昂·卢西安·普雷杰比努 , 里卡多·苏萨 , 大卫·库珀 , 伯纳德·迪尼 :
PSA-STT-MRAM解决方案可延长温度稳定性。 1-4 肯塔·陶卡 , 三川直子 , Koshino顺介 , 松井千弘 , Ken Takeuchi先生 :
用于内存计算的模拟退火算法和ReRAM设备协同优化。 1-4 劳拉·贝贡·洛斯 , 马蒂亚·哈尔特 , 戴安娜·达维拉·皮内达 , 瓦莱里娅·布拉加利亚 , 尤里·波波夫 , 安东尼奥·拉波塔 , 丹尼尔·朱宾 , 让·丰佩林 , 伯特·J·奥夫林 :
一种后端兼容的铁电模拟非易失性存储器。 1-4 托马斯·梅尔德 , 马丁·特伦奇 , 斯特凡·登克尔 , 拉尔夫·里希特 , 迈克尔·奥托 , H.吉斯勒 , 弗朗索瓦·魏斯堡 , N.韦德勒 , 斯文·拜尔 :
在22nm FDSOI技术中演示了新型嵌入式单聚浮栅闪光灯。 1-4 弗兰克·梅卢尔 , 蒂鲍特·坎普夫 , 文森佐·德尔拉·马卡 , 马克·博奎特 , 麦吉德·阿克巴尔 , 弗雷德里克·特伦特斯奥 , 马克·曼泰利 , 阿尔诺·雷格尼尔 , 斯蒂芬·尼尔 , 弗朗西斯科·拉罗萨 :
40nm eSTM™中的热电子源侧注入理解。 1-4 小井酒井 , 原田诺佐木 :
带双栅极环绕栅极晶体管(SGT)的动态闪存。 1-4 J.J.孙 , M.DeHerrera先生 , B.休斯 , S.池川 , 香港·李 , 弗雷德·曼考夫 , K.Nagel公司 , G.西蒙 , 赛义德·M·阿拉姆 , D.胡萨梅丁 , S.Aggarwal公司 :
1Gb独立旋转传输转矩MRAM的商业化。 1-4 斋藤仁 , 渡边捷昭 , J.塞诺 , T.田村 , N.Sashida公司 , K·哈拉 , 川端康成 , A.富士 , J.Ohno先生 , A.Nakakubo , M.小岛 , T.下山 , H.瓦达 , 李·克利夫兰 , H.栾 , R.森 , 梁朝伟(N.Leong) , T.加拉格尔 , 托马斯·鲁克斯 :
针对高可靠性、小小区面积和高切换速度开发16 Mb NRAM。 1-4 朱宾·哈兹拉 , 马克西米利安·利尔 , 卡斯滕·贝克曼 , 米哈斯·阿贝丁 , 萨拉·拉菲克 , 纳撒尼尔·C·卡迪 :
300mm晶圆平台上CMOS集成HfO2基RRAM器件的开关度量优化。 1-4 K.班纳吉 , 劳伦特·布鲁尔 , A.P.米列宁 , M.帕克 , J.斯蒂尔斯 , 肖恩·麦克米切尔 , L.Di广场 , Geert Van den博世 , 简·范·霍特 :
首次演示铁电硅:基于HfO2的3D FE-FET,具有沟道结构,用于密集非易失性存储器应用。 1-4 Hang-Ting Lue公司 , 徐子轩 , 宋成林 , 滕浩业 , 王克忠 , 致远路 :
就地写入操作及其提升3D and型闪存性能的优势。 1-4 沃尔夫冈走了 , D.绿色 , 菲利普·布莱塞 , 朱塞佩·皮科波尼 , 亚历山德罗·布里卡利 , 阿米尔·雷格夫 , 加布里埃尔·莫拉斯 , 让-弗朗索瓦·诺丁 :
一个综合的基于氧化的ReRAM TCAD模型及其实验验证。 1-4 在户(Jae Hur) , 袁春洛 , 郑旺(音) , Wonbo Shim公司 , 阿西夫·伊斯兰·汗 , 施蒙于(Shimeng Yu) :
使用2T1C结构将嵌入式FeRAM扩展到28nm的技术途径。 1-4 李一锁 , 金泽贤治 , 岩泽哲雄 , 小井酒井 , 乔治·斯特罗夫 , 奥斯卡·鲍姆加特纳 , 格哈德·雷帕 , 马库斯·卡纳 , 兹拉坦·斯坦诺杰维奇 , 原田诺佐木 , 舛冈富士雄 :
1.5-nm节点环绕栅晶体管(SGT)-带有交错支柱的SRAM单元,以及用于栅极、底部触点和支柱的自对准工艺。 1-4 宋成林 , Hang-Ting Lue公司 , 陈伟晨 , 子玄虚 , Keh-Chung Wang(王基忠) , 致远路 :
首次研究具有各种电子和空穴注入方法的P沟道垂直分裂门闪存器件以及启用功能存储电路的潜在未来可能性。 1-4 徐晓欣 , 孙文轩 , 洁余 , 赖进如 , 大年董(Danian Dong) , 悬挂式Lv :
CMOS兼容Ox-RRAM的标度电势分析。 1-4 塔拉斯·拉舍尔 , 沙明·H·沙里菲 , 安德烈亚·范蒂尼 , 休伯特·霍迪 , 托马斯·威特斯 , 丹尼尔·加宾 , 罗宾·德雷夫 , 瓦莱里·阿法纳斯 , 简·范·霍特 , 卢多维克·古克斯 , D.克罗蒂 , 古里·桑卡尔 :
基于a-Si和a-Ge的MSM选择器中的阈值切换及其对器件可靠性的影响。 1-4