“STI和eSiGe源漏外延诱导28 nm应力建模……”
张多勇 , 玛丽·加西亚·巴登 , 德米特里·亚基米特 , 宫口贤一 , 德基斯吉特 , 托马斯·齐亚雷拉 , 罗曼·里森塔勒 , 莫林·德汉 , 阿卜杜勒卡里姆·默查 :
STI和eSiGe源极/漏极外延诱导应力建模,采用28nm技术和替换栅(RMG)工艺。 ESSDERC公司 2013 : 159-162
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